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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IST 2024-09-25
10:25
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[チュートリアル講演]CMOSイメージセンサの最先端ハイダイナミックレンジ技術
宮内 健ブリルニクス/東北大
本稿では近年の主要学会,論文で報告されたCMOSイメージセンサのハイダイナミックレンジ技術を紹介する. [more] IST2024-43
pp.1-4
IST 2020-03-27
17:20
東京 機械振興会館 地下2階ホール
(開催延期)
トレンチ型2段LOFICを有する単一露光・線形応答・120dB超広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ
藤原康行村田真麻中山翔太黒田理人須川成利東北大
トレンチ型2段LOFICを有する単一露光・線形応答・広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサについて述べる.高密度トレ... [more] IST2020-25
pp.81-84
IST 2019-09-20
13:45
東京 機械振興会館 横型オーバーフロー蓄積容量を用いた飽和電荷量120ke-,変換ゲイン160µV/e-を有する2.8µm裏面照射型画素の光学特性
宮内 健盛 一也高柳 功中村淳一ブリルニクス)・須川成利東北大
本論文では,単一露光での広ダイナミックレンジセンサの更なる性能向上のために,裏面照射技術を用いた2.8µmサイズの横型オ... [more] IST2019-48
pp.21-24
IST 2019-03-22
13:00
東京 機械振興会館 横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を有する飽和電子数2430万個・近赤外高感度CMOSイメージセンサ
村田真麻黒田理人藤原康行大塚雄介東北大)・柴田 寛柴口 拓鎌田 浩三浦規之栗山尚也ラピス)・須川成利東北大
低不純物濃度p型Si基板上の各画素に横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を搭載し,1千万個を超える高い飽和電子数と近赤外領... [more] IST2019-17
pp.27-32
IST 2015-09-18
16:40
東京 機械振興会館 フローティングディフュージョン容量成分の解析・低減技術と高感度・高飽和CMOSイメージセンサへの適用
楠原史章若嶋駿一那須野悟史黒田理人須川成利東北大
フローティングディフュージョン(FD)容量(CFD)成分の解析と低減技術,およびそれらを適用して試作した高感度・高飽和C... [more] IST2015-56
pp.53-56
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