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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SID-JC
(共催)
IDY, IEICE-EID
(連催) [詳細]
2024-08-02
15:45
ONLINE オンライン開催(ZOOM) [招待講演]ハイブリッドバックプレーン向け高信頼性IGZO TFT開発による高精細HMDの量産化
蜂谷篤史アマン メハディシャープ)・Hsin-Ying Chiuリアリティ・ラボ)・篠原卓志シャープ)・Wan Yu LinHossein Nematiリアリティ・ラボ)・竹内洋平伊東一篤齊藤裕一古川博章武田悠二郎松木薗広志シャープ)・Linghui RaoJacob Choiリアリティ・ラボ)・伊藤康尚シャープ)・Jim Zhuangリアリティ・ラボ
CMOS-LTPSとIGZO TFTのハイブリッドバックプレーン技術を使用したQuest 3用の2.48インチ、1,21... [more] IDY2024-30
pp.22-26
SID-JC
(共催)
IDY, IEICE-EID
(連催) [詳細]
2022-07-29
16:10
ONLINE オンライン開催(ZOOM) [招待講演]バックコンタクトIGZO-TFTを用いた新規ハイブリッドバックプレーン構造の開発
本城正智武田悠二郎アマン メハディ伊東一篤田中耕平松木薗広志中村 渉SDTC
バックコンタクトIGZO-TFTとLTPSを用いた新規ハイブリッドバックプレーン構造の開発について報告する。本構造ではレ... [more] IDY2022-29
pp.35-37
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2020-01-24
11:10
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用
河野守哉森 海是友大地古田 守高知工科大
フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al2O3)... [more]
IEICE-EID, IEICE-SDM
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
15:30
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 脳型集積システムのためのIGZO薄膜シナプス
柴山友輝山川大樹生島恵典杉崎澄生木村 睦龍谷大)・中島康彦奈良先端大
我々は、薄膜デバイスを用いたニューラルネットワークの研究開発を行っている.本研究では、LSI を用いたニューラルネットワ... [more] IDY2018-63
pp.49-52
IDY 2018-03-08
15:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]TFT作製プロセスによりa-IGZO-TFTに導入される水素関連欠陥の光誘起電流過渡分光法による評価
林 和志越智元隆日野 綾後藤裕史釘宮敏洋神戸製鋼所
In-Ga-Zn-O(IGZO)に代表されるアモルファス酸化物半導体は、高い電子移動度が比較的容易に得られるため次世代高... [more] IDY2018-19
pp.21-26
IDY 2018-03-08
16:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]非晶質酸化物半導体の空乏状態を利用した新規薄膜デバイスのシミュレーション検討
安部勝美藤永正人桑垣武司シルバコ
非晶質酸化物半導体(AOS)を用いた新規薄膜デバイスをデバイスシミュレーションにより検討した.シミュレーション結果より,... [more] IDY2018-22
pp.37-41
IDY, SID-JC
(共催)
IEICE-EID
(連催) [詳細]
2016-08-02
15:20
東京 機械振興会館 [依頼講演]Development of a 27-in. 8K x 4K Liquid-Crystal Display Using an InGaZnO TFT Backplane
Shigeyuki YamadaFumikazu ShimoshikiryohYasuhisa ItohAtsushi BanSharp Corp.
We have successfully developed 27inch 8K4K Liquid Crystal di... [more] IDY2016-36
pp.27-30
IST, IEICE-ICD
(連催)
2015-07-03
09:30
神奈川 防衛大学校 [招待講演]酸化物半導体とイメージセンサへの応用
前田修平王丸拓郎中川貴史岡本佑樹上妻宗広米田誠一井上広樹黒川義元池田隆之家田義紀山出直人宮入秀和半エネ研)・池田 誠東大)・山元良高山﨑舜平半エネ研
新しい結晶構造であるc-axis-aligned a-b-plane-anchored crystal (CAAC) と... [more] IST2015-41
pp.21-26
IST 2015-03-27
10:30
東京 機械振興会館 25.3uW at 60fps 240x160 Pixel Vision Sensor for Motion Capturing with In-Pixel Non-volatility Analog Memory Using Crystalline Oxide Semiconductor FET
王丸拓郎中川貴史前田修平岡本佑樹上妻宗広米田誠一井上広樹黒川義元池田隆之家田義紀山出直人宮入秀和半導体エネルギー研)・池田 誠東大)・山元良高山崎舜平半導体エネルギー研
結晶性酸化物半導体の一つであるc軸に配向した結晶性酸化物半導体を用いたFETが有する極めて小さいオフ電流特性を利用して、... [more] IST2015-13
pp.13-16
IDY 2014-03-07
14:15
東京 機械振興会館 [招待講演]結晶性酸化物半導体とその情報ディスプレイへの応用
小山 潤大力浩二半導体エネルギー研)・岡崎健一肥塚純一AFD Inc)・三宅博之松林大介山元良高山﨑舜平半導体エネルギー研
本論文では結晶性酸化物半導体の物性とその情報ディスプレイへの応用を示す。 [more] IDY2014-20
pp.9-14
IDY, IEICE-EID
(連催)
2013-07-17
10:45
東京 機械振興会館 SID2013報告会 ~ 有機ELディスプレイと照明 ~
伊佐敏行半エネ研
SID2013で発表された有機ELディスプレイおよび有機EL照明技術について報告する。 [more]
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催)
2013-01-25
10:10
静岡 静岡大学 非真空プロセス「ミストCVD法」でのIGZO/AlOx酸化物TFTの作製とその特性
川原村敏幸内田貴之王 大鵬眞田 克古田 守高知工科大
昨年、大気圧下で汎用の試薬を用いて金属酸化物薄膜を作製する事が可能なミストCVD法を用いて、絶縁膜(AlOx)及び活性層... [more] IDY2013-8
pp.73-76
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