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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IST 2025-03-21
15:00
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
A 1.25 μm 8K×8K-pixel 60 fps CIS with 2×1 Multi-Directional Phase-Detection Pixels
Kodai KikuchiKohei TomiokaTakenobu UsuiAkira HonjiNHK)・Hiroshi ShimamotoNHK Foundation)・Tomonari KenzakiSota HidaTakeo UshinagaKenichi NagaiSSIC)・Kazuya KitamuraNHK
 [more] IST2025-18
pp.37-41
IST 2020-03-27
09:50
東京 機械振興会館 地下2階ホール
(開催延期)
1280x720p 4.86um画素 積層型イベントベースビジョンセンサ
Thomas FinateuProphesee)・丹羽篤親ソニー)・Daniel MatolinProphesee)・○土本航也ソニー)・Andrea MascheroniEtienne ReynaudProphesee)・Pooria MostafaluFrederick Bradyソニー)・Ludovic ChotardFlorian LeGoffProphesee)・高橋裕嗣若林準人大池祐輔ソニー)・Christoph PoschProphesee
本稿では,光学サイズ1/2”の中にアレイサイズ1280x720の解像度を持ち,裏面照射型積層構造で画素ピッチ4.86um... [more] IST2020-10
pp.13-16
IST 2020-03-27
17:00
東京 機械振興会館 地下2階ホール
(開催延期)
0.50e-rmsノイズを達成した参照共有型画素内差動アンプを有する1.45umセルサイズの8.3Mpixel 35fps CMOSイメージセンサ
長沼秀樹佐藤 守寄門雄飛松村勇佑加藤恵里子豊福卓哉加藤昭彦大池祐輔SSS
本稿では参照共有型ソース接地画素内差動アンプ(RSDA)を有する1.45umセルサイズ、1/2.8インチのCMOSイメー... [more] IST2020-24
pp.77-80
IST 2017-09-25
15:25
東京 機械振興会館 Region Control Oriented Stacked CMOS Image Sensor with Array-Parallel ADC Architecture
Takahito YamauchiTomohiro TakahashiSony Semiconductor Solutions)・Yuichi KajiSony Electronics Incorporated)・Yasunori TsukudaShinichiro FutamiSony Semiconductor Solutions)・Katsuhiko HanzawaPing Wah WongFrederick BradyPhil HoldenThomas AyersSony Electronics Incorporated)・Kyohei MizutaSusumu OhkiKeiji TataniTakashi NaganoSony Semiconductor Solutions)・Hayato WakabayashiSony Electronics Incorporated)・Yoshikazu Nittaony Semiconductor Solutions
領域制御のアプリケーションに向けて410万画素, 280fpsのアレイ並列アーキテクチャに基づく積層型CMOSイメージセ... [more] IST2017-57
pp.35-38
IST 2014-09-29
14:00
東京 機械振興会館 湾曲CMOSイメージセンサ
江崎孝之糸長総一郎ソニー)・有村季幸松本圭司ソニー大分)・近藤悟郎ソニー熊本)・寺畑和秀牧元晋作馬場雅和本田耕功母里正剛甲斐 亮笠原恵樹ソニー大分)・長野光浩木村真幸木下欣紀ソニー熊本
平面型のBISに対して,イメージサークルの中心で感度2倍,端で感度1.4倍,5分の1の低暗電流(Jd)を実現する,半球状... [more] IST2014-41
pp.1-4
IST 2014-03-14
11:30
東京 NHK放送技術研究所 3次元積層型CMOSイメージセンサ
梅林 拓・○荻田知治助川俊一中島 務河野邉 宏ソニー)・小関 賢ソニーエルエスアイデザイン)・春田 勉高橋 洋ソニー)・井上啓司ソニーセミコンダクタ)・若野寿史馬田祐輔福元康司永野隆史新田嘉一平山照峰ソニー
裏面照射型イメージセンサの支持基板の代わりにロジック基板をThrough Silicon Via (TSV) で3次元積... [more] IST2014-9
p.5
IST 2014-03-14
12:00
東京 NHK放送技術研究所 1.2um裏面照射型イメージセンサにおける飽和信号増大と混色抑制のための三次元構造
篠原武一渡辺一史ソニーセミコンダクタ)・○阿部高志太田和伸ソニー)・中山 創ソニーセミコンダクタ)・森川隆史大野圭一ソニー)・杉本 大ソニーセミコンダクタ)・門村新吾平山照峰ソニー
新規に開発した1.20μm画素の裏面照射型CMOSイメージセンサに搭載した縦型転送ゲート(VTG)と埋め込み遮光メタル(... [more] IST2014-10
pp.7-10
IST, CE
(共催)
2010-03-26
13:50
東京 機械振興会館 1/2.3型 10.3M画素 50frames/s 裏面照射型CMOSイメージセンサ
山口圭治若林準人岡野正史倉持宗一郎熊谷央一坂根誠二郎伊藤真路畑野昌洋菊地 勝ソニー)・山形優輝鹿内勇史小関 賢ソニー LSI)・馬渕圭司丸山 康秋山健太郎ソニー
1/2.3型 1030万画素 50frame/s読み出しの 裏面照射型CMOSイメージセンサを開発した。本センサにおいて... [more] IST2010-15 CE2010-24
pp.35-38
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