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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IST 2015-09-18
16:10
東京 機械振興会館 電荷電圧変換ゲイン240uV/e-、飽和電子数200ke-、感度波長帯域190-1000nmを有するCMOSイメージセンサ
那須野悟史若嶋駿一楠原史章黒田理人須川成利東北大
広光波長帯域・高信頼性PD技術,低容量FD形成技術,LOFIC技術,埋め込みチャネル技術を融合した画素ピッチ5.6 μm... [more] IST2015-55
pp.49-52
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