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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
IEICE-SDM
,
IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催)
[詳細]
2025-08-06
13:25
北海道
北海道大学薬学部第二講義室
（ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催）
［招待講演］極薄膜HZOにおけるwake-upダイナミクス：酸素を介したドメインde-pinningと最適周波数
○
伊藤広恭
・
竹中 充
（
東大
）・
高木信一
（
帝京大
）・
トープラサートポン カシディット
（
東大
）
[more]
IEICE-SDM
,
IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催)
[詳細]
2021-08-18
11:00
ONLINE
オンライン開催
［招待講演］低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ～ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ～
○
トープラサートポン カシディット
・
田原建人
（
東大
）・
彦坂幸信
・
中村 亘
・
齋藤 仁
（
富士通セミコンダクターメモリソリューション
）・
竹中 充
・
高木信一
（
東大
）
[more]
IEICE-ICD
,
IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催)
[詳細]
2020-08-06
10:15
ONLINE
オンライン開催
［招待講演］Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響
○
トープラサートポン カシディット
・
林 早阳
・
李 宗恩
・
竹中 充
・
高木信一
（
東大
）
強誘電体をMOSFETのゲート絶縁膜とした強誘電体FETは従来のMOSFETとは異なり，強誘電体/半導体界面における強誘...
[more]
IEICE-ICD
,
IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催)
[詳細]
2020-08-07
10:15
ONLINE
オンライン開催
［招待講演］ニューロモルフィック応用に向けたHf0.5Zr0.5O2/Si FeFETを用いたリザバーコンピューティング
○
名幸瑛心
・
トープラサートポン カシディット
・
中根了昌
・
王 澤宇
・
宮武悠人
・
竹中 充
・
高木信一
（
東大
）
[more]
IEICE-SDM
,
IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催)
[詳細]
2019-08-09
10:15
北海道
北海道大学 情報科学院 3F A31
アモルファスZnSnO/Si積層型トンネルFETの作製と電気特性評価
○
加藤公彦
（
東大/産総研
）・
松井裕章
・
田畑 仁
・
竹中 充
・
高木信一
（
東大
）
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