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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IST 2016-05-06
13:05
東京 東京理科大学 森戸記念館 [ポスター講演]高光耐性・広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサを用いた紫外分光イメージング
藤原康行那須野悟史若嶋駿一楠原史章石井秀和黒田理人須川成利東北大
広光波長帯域・高光耐性PD,高感度・高飽和性能を有するLOFIC CMOSイメージセンサを用いた紫外分光イメージングにつ... [more] IST2016-24
pp.13-16
IST 2015-09-18
16:10
東京 機械振興会館 電荷電圧変換ゲイン240uV/e-、飽和電子数200ke-、感度波長帯域190-1000nmを有するCMOSイメージセンサ
那須野悟史若嶋駿一楠原史章黒田理人須川成利東北大
広光波長帯域・高信頼性PD技術,低容量FD形成技術,LOFIC技術,埋め込みチャネル技術を融合した画素ピッチ5.6 μm... [more] IST2015-55
pp.49-52
IST 2015-09-18
16:40
東京 機械振興会館 フローティングディフュージョン容量成分の解析・低減技術と高感度・高飽和CMOSイメージセンサへの適用
楠原史章若嶋駿一那須野悟史黒田理人須川成利東北大
フローティングディフュージョン(FD)容量(CFD)成分の解析と低減技術,およびそれらを適用して試作した高感度・高飽和C... [more] IST2015-56
pp.53-56
IST 2015-03-27
14:55
東京 機械振興会館 浮遊容量負荷読み出しを用いたCMOSイメージセンサの読み出しゲインと線形範囲向上効果
若嶋駿一楠原史章黒田理人須川成利東北大
浮遊容量負荷読み出しは,従来の定電流読み出し方法と比較して,画素信号読み出しゲインと線形範囲が向上する.試作した2.8u... [more] IST2015-20
pp.41-44
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