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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IST 2021-10-21
10:50
ONLINE オンライン開催 大判12µm画素と高解像度2.8µm画素の高精度近接容量CMOSイメージセンサ
須釜侑希渡部吉祥黒田理人山本将大後藤哲也東北大)・安田俊朗村上真一羽森 寛オー・エイチ・ティー)・栗山尚也ラピスセミコンダクタ)・須川成利東北大
本稿では,新たに開発した2つの高精度近接容量CMOS イメージセンサ,12 µmピッチ画素で1.68 $cm^2$の撮像... [more] IST2021-51
pp.13-16
IST 2021-03-26
11:05
東京 オンライン開催 45μm厚裏面照射型フォトダイオード・2段LOFICを有する広ダイナミックレンジ軟X線検出グローバルシャッタCMOSイメージセンサ
四家寛也黒田理人小林諒太村田真麻藤原康行鈴木 学原田将真東北大)・柴口 拓栗山尚也ラピスセミコンダクタ)・初井宇記理研)・宮脇 淳東大/量研機構)・原田哲男兵庫県立大)・山崎裕一物質・材料研究機構)・渡邊健夫兵庫県立大)・原田慈久東大)・須川成利東北大
 [more] IST2021-12
pp.17-20
IST 2019-03-22
13:00
東京 機械振興会館 横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を有する飽和電子数2430万個・近赤外高感度CMOSイメージセンサ
村田真麻黒田理人藤原康行大塚雄介東北大)・柴田 寛柴口 拓鎌田 浩三浦規之栗山尚也ラピス)・須川成利東北大
低不純物濃度p型Si基板上の各画素に横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を搭載し,1千万個を超える高い飽和電子数と近赤外領... [more] IST2019-17
pp.27-32
IST 2017-03-10
10:40
東京 NHK放送技術研究所講堂 高密度アナログメモリを搭載した超高速グローバルシャッタCMOSイメージセンサ
鈴木 学鈴木 将黒田理人東北大)・熊谷勇喜千葉 亮三浦規之栗山尚也ラピスセミコンダクタ宮城)・須川成利東北大
 [more] IST2017-10
pp.7-10
IEICE-ICD, IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
14:40
大阪 中央電気倶楽部 ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FET
吉田貴大井田次郎堀井隆史金沢工大)・沖原将生ラピス)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構
PN-Body Tied SOI FETのBody Tied部のN層の濃度を濃いN+層から薄いN-層に見直すことで、ボデ... [more]
IST, IEICE-ICD
(連催)
2013-07-04
11:40
北海道 サン・リフレ函館 [招待講演]低消費電力近距離無線通信LSIとそのインターフェース
野田光彦ラピスセミコンダクタ
 [more]
IST, IEICE-ICD
(連催)
2013-07-04
17:10
北海道 サン・リフレ函館 [パネル討論]増々アナログインタフェース機能を拡充するマイコン
濱崎利彦広島工大)・本間義久パナソニック)・石原秀昭デンソー)・岩田佳英日本テキサス・インスツルメンツ)・林越正紀ルネサス エレクトロニクス)・野田光彦ラピスセミコンダクタ)・土肥義康富士通研
 [more]
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