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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2020-01-23
13:10
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]ZnO系ナノ粒子分散薄膜のミストCVD
大城巨暉小野田翔悟奈良俊宏小南裕子原 和彦静岡大
新規の蛍光体応用のための材料としてナノ粒子分散半導体薄膜を提案し,その一例として,ZnOナノ粒子分散Ga2O3薄膜の作製... [more] IDY2020-3
pp.5-8
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
13:45
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) ミストCVD法によるGa-Sn-O薄膜を用いたメモリスタ開発
小林雅樹杉崎澄生木村 睦龍谷大
我々は酸化物半導体 Ga-Sn-O(GTO)薄膜を用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)についての研究を行っ ている。今回... [more] IDY2019-69
pp.5-8
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
14:05
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT
服部一輝谷野健太松田時宜木村 睦龍谷大)・川原村敏幸劉 麗高知工科大
絶縁体層としてAl2O3膜をミストCVD法 (mist CVD) により作製し,Al2O3膜の有無によるGa-Sn-O薄... [more] IDY2019-70
pp.9-12
IEICE-EID, IEICE-SDM
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
11:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 ミストCVD法によるGTO薄膜を用いたデバイス
滝下雄太杉崎澄夫龍谷大)・是友大地曲 勇作古田 守高知工科大)・松田時宜木村 睦龍谷大
非真空プロセスであるミストCVD法により,レアメタルフリーなGa-Sn-O(GTO)薄膜を成膜し,それを用いたデバイスを... [more] IDY2018-57
pp.13-16
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催)
2013-01-25
10:10
静岡 静岡大学 非真空プロセス「ミストCVD法」でのIGZO/AlOx酸化物TFTの作製とその特性
川原村敏幸内田貴之王 大鵬眞田 克古田 守高知工科大
昨年、大気圧下で汎用の試薬を用いて金属酸化物薄膜を作製する事が可能なミストCVD法を用いて、絶縁膜(AlOx)及び活性層... [more] IDY2013-8
pp.73-76
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