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講演抄録／キーワード
講演名 2024-10-31 13:40
共添加HfO2系強誘電体の開発
○浅沼周太郎・右田真司・太田裕之・森田行則・畑山祥吾（産総研）
抄録 （和） (まだ登録されていません) 
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文献情報 映情学技報
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研究会情報
研究会 IEICE-MRIS IEICE-CPM MMS  
開催期間 2024-10-31 - 2024-11-01 
開催地（和） 信州大学＋オンライン開催 
開催地（英） Shinshu Univ. 
テーマ（和） スピントロニクス・固体メモリ・機能性材料・薄膜プロセス・材料・デバイス＋一般 
テーマ（英） Spintronics, Solid State Memory, Functional material, Thin film process, Material, Devices, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-MRIS 
会議コード 2024-10-MRIS-CPM-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル（和） 共添加HfO2系強誘電体の開発 
サブタイトル（和）  
タイトル（英） Development of co-doped HfO2-based ferroelectrics 
サブタイトル（英）  
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第1著者 氏名（和/英/ヨミ） 浅沼 周太郎 / Shutaro Asanuma / アサヌマ シュウタロウ
第1著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
第2著者 氏名（和/英/ヨミ） 右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ
第2著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
第3著者 氏名（和/英/ヨミ） 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ
第3著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
第4著者 氏名（和/英/ヨミ） 森田 行則 / Yukinori Morita / モリタ ユキノリ
第4著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
第5著者 氏名（和/英/ヨミ） 畑山 祥吾 / Shogo Hatayama / ハタヤマ ショウゴ
第5著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2024-10-31 13:40:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 IEICE-MRIS 
資料番号  
巻番号（vol） vol. 
号番号（no）  
ページ範囲  
ページ数  
発行日  

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