| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2024-08-05 13:00
［記念講演］半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱で決まる平均自由行程の量子論に基づく数値解析手法
○岡田 丈・田中 一・森 伸也（阪大） |
| 抄録 |
（和） |
半導体ナノシートでは，チャネルの薄膜化を進めるにつれて，界面ラフネス散乱が増大し，キャリア移動度が低下する．この現象を解析するため，摂動論に基づくラフネス散乱のモデル化手法が多く提案されてきた．これらの摂動論に基づくアプローチの妥当性を検討するためには，摂動論によらない計算手法が必要である．本研究では，単一モード半導体ナノシートにおいて，界面ラフネス散乱で決まる平均自由行程の摂動論によらない数値計算手法を提案した．そして，提案手法を用いて，平均自由行程のチャネル膜厚(Tw) 依存性を計算することにより，膜厚が厚い領域では既知のTw^6依存性を示し，膜厚が薄い領域ではTw依存性が弱くなることを示した． |
| （英） |
In semiconductor nanosheets, as the channel becomes thinner, the interface roughness scattering increases and the carrier mobility decreases. Many methods based on perturbation theory have been proposed to model the roughness scattering. In order to verify the validity of these approaches, a calculation method that does not rely on perturbation theory is needed. In this study, we propose a perturbation-free numerical method for the mean free path limited by the interface roughness scattering in single-mode semiconductor nanosheets. Using the proposed method, we calculate the dependence of the mean free path on the channel thickness (Tw), and show that the well-known Tw^6 dependence exists when Tw is large, but becomes weaker when Tw is small. |
| キーワード |
（和） |
半導体ナノシート / ラフネス散乱 / アンダーソン局在 / 極微細トランジスタ / デバイスシミュレーション / / / |
| （英） |
semiconductor nanosheet / roughness scattering / Andersonlocalization / ultra-small transistor / device simulation / / / |
| 文献情報 |
映情学技報 |
| 資料番号 |
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| 発行日 |
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| ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
IEICE-ICD IEICE-SDM IST |
| 開催期間 |
2024-08-05 - 2024-08-07 |
| 開催地（和） |
北海道大学 情報教育館３F スタジオ型多目的中講義室 |
| 開催地（英） |
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| テーマ（和） |
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） |
Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
IEICE-SDM |
| 会議コード |
2024-08-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱で決まる平均自由行程の量子論に基づく数値解析手法 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Simulation Method for the Mean Free Path of Semiconductor Nanosheets with Surface Roughness |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
半導体ナノシート / semiconductor nanosheet |
| キーワード(2)（和/英） |
ラフネス散乱 / roughness scattering |
| キーワード(3)（和/英） |
アンダーソン局在 / Andersonlocalization |
| キーワード(4)（和/英） |
極微細トランジスタ / ultra-small transistor |
| キーワード(5)（和/英） |
デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
岡田 丈 / Jo Okada / オカダ ジョウ |
| 第1著者 所属（和/英） |
大阪大学 (略称： 阪大)
Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
田中 一 / Hajime Tanaka / タナカ ハジメ |
| 第2著者 所属（和/英） |
大阪大学 (略称： 阪大)
Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
森 伸也 / Nobuya Mori / モリ ノブヤ |
| 第3著者 所属（和/英） |
大阪大学 (略称： 阪大)
Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第4著者 所属（和/英） |
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| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2024-08-05 13:00:00 |
| 発表時間 |
45分 |
| 申込先研究会 |
IEICE-SDM |
| 資料番号 |
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| 巻番号（vol） |
vol.48 |
| 号番号（no） |
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| ページ範囲 |
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| ページ数 |
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| 発行日 |
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