| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2023-06-21 13:10
［ポスター講演］埋め込みオーバーフロー転送ゲート構造を有するCMOSイメージセンサにおける飽和電荷数の照度・光照射後電荷保持時間依存性の解析
○宮内 健（ブリルニクス/東北大）・磯崎俊之・池野理門・中村淳一（ブリルニクス） |
| 抄録 |
（和） |
本稿では埋め込みオーバーフロー転送ゲート構造を有するCMOSイメージセンサにおける飽和電荷数の照度依存性と光照射後電荷保持時間依存性現象の解析結果を報告する．現象説明のために，光発生電流とオーバーフロー電流の関係を元に上記2つの現象を定式化したモデルを提案する．最終的には，TCADシミュレーションおよび実測で提案モデルが正しいことを検証し，上記2つの現象が物理現象に基づいていることを確認した． |
| （英） |
In this paper, an analytical model of CMOS image sensor full well capacity with a buried overflow transfer gate is proposed to introduce its dependence on the light intensity and charge holding time. In the proposed model, the relation between the photo-generated current and the overflow current is formulated. This proposed model has been successfully validated by a technology computer-aided design (TCAD) device simulation and actual device measurement and are confirmed that those results are based on the basic physics. |
| キーワード |
（和） |
CMOSイメージセンサ / 埋め込みオーバーフロー転送ゲート / 飽和電荷数 / 照度 / 電荷保持時間 / 平衡PD飽和 / / |
| （英） |
CMOS image sensor / Buried overflow transfer gate / Full well capacity / Light intensity / Charge holding time / Equilibrium PD full well capacity / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 47, no. 19, IST2023-19, pp. 1-4, 2023年6月. |
| 資料番号 |
IST2023-19 |
| 発行日 |
2023-06-14 (IST) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
IST |
| 開催期間 |
2023-06-21 - 2023-06-21 |
| 開催地（和） |
東京理科大学森戸記念館 |
| 開催地（英） |
Tokyo University of Science Morito Memorial Hall |
| テーマ（和） |
高機能イメージセンシングとその応用 |
| テーマ（英） |
|
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
IST |
| 会議コード |
2023-06-IST |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
埋め込みオーバーフロー転送ゲート構造を有するCMOSイメージセンサにおける飽和電荷数の照度・光照射後電荷保持時間依存性の解析 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Analysis of Light Intensity and Charge Holding Time Dependence of Full Well Capacity in CMOS Image Sensor with A Buried Overflow Transfer Gate |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
CMOSイメージセンサ / CMOS image sensor |
| キーワード(2)（和/英） |
埋め込みオーバーフロー転送ゲート / Buried overflow transfer gate |
| キーワード(3)（和/英） |
飽和電荷数 / Full well capacity |
| キーワード(4)（和/英） |
照度 / Light intensity |
| キーワード(5)（和/英） |
電荷保持時間 / Charge holding time |
| キーワード(6)（和/英） |
平衡PD飽和 / Equilibrium PD full well capacity |
| キーワード(7)（和/英） |
/ |
| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
宮内 健 / Ken Miyauchi / ミヤウチ ケン |
| 第1著者 所属（和/英） |
ブリルニクスジャパン株式会社/東北大学 (略称： ブリルニクス/東北大)
Brillnics Japan/Tohoku University (略称： Brillnics/Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
磯崎 俊之 / Toshiyuki Isozaki / イソザキ トシユキ |
| 第2著者 所属（和/英） |
ブリルニクスジャパン (略称： ブリルニクス)
Brillnics Japan (略称： Brillnics) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
池野 理門 / Rimon Ikeno / イケノ リモン |
| 第3著者 所属（和/英） |
ブリルニクスジャパン (略称： ブリルニクス)
Brillnics Japan (略称： Brillnics) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
中村 淳一 / Junichi Nakamura / ナカムラ ジュンイチ |
| 第4著者 所属（和/英） |
ブリルニクスジャパン (略称： ブリルニクス)
Brillnics Japan (略称： Brillnics) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2023-06-21 13:10:00 |
| 発表時間 |
60分 |
| 申込先研究会 |
IST |
| 資料番号 |
IST2023-19 |
| 巻番号（vol） |
vol.47 |
| 号番号（no） |
no.19 |
| ページ範囲 |
pp.1-4 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2023-06-14 (IST) |