| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2023-06-21 13:10
［ポスター講演］埋め込みオーバーフロー転送ゲート構造を有するCMOSイメージセンサにおける飽和電荷数の照度・光照射後電荷保持時間依存性の解析
○宮内 健（ブリルニクス/東北大）・磯崎俊之・池野理門・中村淳一（ブリルニクス） |
| 抄録 |
（和） |
本稿では埋め込みオーバーフロー転送ゲート構造を有するCMOSイメージセンサにおける飽和電荷数の照度依存性と光照射後電荷保持時間依存性現象の解析結果を報告する．現象説明のために，光発生電流とオーバーフロー電流の関係を元に上記2つの現象を定式化したモデルを提案する．最終的には，TCADシミュレーションおよび実測で提案モデルが正しいことを検証し，上記2つの現象が物理現象に基づいていることを確認した． |
| （英） |
In this paper, an analytical model of CMOS image sensor full well capacity with a buried overflow transfer gate is proposed to introduce its dependence on the light intensity and charge holding time. In the proposed model, the relation between the photo-generated current and the overflow current is formulated. This proposed model has been successfully validated by a technology computer-aided design (TCAD) device simulation and actual device measurement and are confirmed that those results are based on the basic physics. |
| キーワード |
（和） |
CMOSイメージセンサ / 埋め込みオーバーフロー転送ゲート / 飽和電荷数 / 照度 / 電荷保持時間 / 平衡PD飽和 / / |
| （英） |
CMOS image sensor / Buried overflow transfer gate / Full well capacity / Light intensity / Charge holding time / Equilibrium PD full well capacity / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 47, no. 19, IST2023-19, pp. 1-4, 2023年6月. |
| 資料番号 |
IST2023-19 |
| 発行日 |
2023-06-14 (IST) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
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