| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2021-03-26 09:25
プラズマプロセスにより形成される3次元欠陥分布が暗電流特性に及ぼす影響評価
○佐藤好弘・山田隆善・西村佳壽子・山崎雅之・村上雅史（パナソニック）・占部継一郎・江利口浩二（京大） |
| 抄録 |
（和） |
半導体集積回路の製造工程にはプラズマプロセスが広く用いられている．プラズマ処理中には入射イオンによるダメージにより被加工材料中に欠陥が形成される．入射イオンは深さ方向だけでなく，「確率的な散乱」により横（ラテラル）方向にも欠陥を形成する．横方向に形成される欠陥は低密度であるが，超低密度の欠陥が要求されるセンシングデバイスや超低消費電力デバイスで将来問題となってくることが予想される．ラテラル散乱で形成された欠陥を検出するには，３次元欠陥分布を解析することが必要となり，従来の評価技術のみでは困難である．そこで今回，横方向にpn接合距離を変化させたデバイス構造を設計した．この構造を用いて，プラズマ誘起ダメージ形成に伴う接合リーク電流の変化を解析することで，横方向に拡がる低密度の欠陥の存在を確認することに成功した．さらに，イメージセンサの暗電流特性に着目し，横方向に形成された低密度欠陥のデバイスへの影響を検証した． |
| （英） |
Plasma processing is widely used in manufacturing present-day ULSI circuits. During plasma processing, defects are created in a material by incident plasma species. The defects are created not only in the depth direction but also in the lateral direction due to the stochastic lateral straggling of incident species. Although the density of defects created in the lateral direction is extremely small, it is predicted to become one of key issues in device designs which require ultra-low-density defects such as sensors and ultra-low power devices. The defects created by lateral straggling of incident species are difficult to detect using conventional analytical techniques. In this study, we have designed device structures with various lateral distances of pn junction to evaluate the defects in the lateral direction as well as that in the vertical direction. We analyzed the change in junction leakage current due to plasma-induced damage and clarified the density and profile of defects in the lateral direction. In addition, we focused on the dark current characteristics of the image sensor and verified the effect of low-density defects created in the lateral direction on the device performance. |
| キーワード |
（和） |
プラズマ誘起ダメージ / 欠陥 / 暗電流 / pn接合 / / / / |
| （英） |
Plasma-induced damage / Defect / Dark current / pn junction / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 45, no. 11, IST2021-9, pp. 5-8, 2021年3月. |
| 資料番号 |
IST2021-9 |
| 発行日 |
2021-03-19 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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