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講演抄録/キーワード
講演名 2020-12-02 16:30
酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ
福井智貴中川滉貴木村 睦龍谷大
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文献情報 映情学技報
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研究会情報
研究会 IEICE-EID IEICE-SDM IDY  
開催期間 2020-12-02 - 2020-12-02 
開催地(和) 龍谷大学 響都ホール 校友会館 
開催地(英)  
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-EID 
会議コード 2020-12-EID-SDM-IDY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Ferroelectric gate thin film transistor using oxide semiconductor Ga-Sn-O 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 福井 智貴 / Tomoki Fukui / フクイ トモキ
第1著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku Univercity (略称: Ryukoku Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中川 滉貴 / Kouki Nakagawa / ナカガワ コウキ
第2著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku Univercity (略称: Ryukoku Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ
第3著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku Univercity (略称: Ryukoku Univ)
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講演者 第1著者 
発表日時 2020-12-02 16:30:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 IEICE-EID 
資料番号  
巻番号(vol) vol.44 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数  
発行日  


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