| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2020-10-05 15:25
［招待講演］3次元積層技術を用いた多結晶電極上への単結晶磁気抵抗素子の作製 ～ 単結晶磁気抵抗素子の近年の進展 ～
○桜庭裕弥・チン カミン（物材機構）・薬師寺 啓・倉島優一・渡辺直也・福島章雄・高木秀樹・菊地克弥・湯浅新治（産総研）・宝野和博（物材機構） |
| 抄録 |
（和） |
単結晶構造を有する巨大磁気抵抗(GMR)素子やトンネル磁気抵抗素子は、高い性能を示すだけでなく基礎的観点でも興味深く多くの研究が行われてきた．近年、準安定bcc Cuスペーサーやハーフメタルホイスラー合金電極を用いた単結晶GMR素子で過去最高クラスの磁気抵抗出力が観測されている。しかし、それらは非実用的なMgO単結晶基板の必要性が実用デバイスへの大きな足枷となっている。本研究では、Si基板上にMgO基板上と同等の高い耐熱性を持つ単結晶磁気抵抗素子を実現するとともに、3次元積層技術によって多結晶電極上への貼り付けを行うことに成功した。本プロセスにより、単結晶磁気抵抗素子を実用展開させる新たな道筋が示された。 |
| （英） |
Single crystalline giant magnetoresistance (GMR) and tunneling magnetoresistance devices have been extensively studied because of not only its high magnetoresistance (MR) performance but also its ideal structure to understand fundamental properties. Recently, we observed the highest MR output in single crystalline GMR devices using metastable bcc Cu spacer or half-metallic Heusler alloy electrodes. However, because of a necessity to use unpractical MgO substrate, there is a strong obstacle for them toward practical applications. In this study, we have successfully realized the single crystalline GMR device on Si substrate and bonded it on the poly-crystalline electrode using three dimensional integration technique. This process opens up a new approach to use single crystalline MR device for practical applications. |
| キーワード |
（和） |
スピントロニクス / 単結晶磁気抵抗素子 / 3次元積層技術 / 巨大磁気抵抗素子 / / / / |
| （英） |
Spintronics / Single-crystalline magnetoresistance device / three dimensional integration technique / / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 44, no. 25, MMS2020-50, pp. 21-25, 2020年10月. |
| 資料番号 |
MMS2020-50 |
| 発行日 |
2020-09-28 (MMS) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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