講演抄録/キーワード |
講演名 |
2020-08-06 10:15
[招待講演]Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響 ○トープラサートポン カシディット・林 早阳・李 宗恩・竹中 充・高木信一(東大) |
抄録 |
(和) |
強誘電体をMOSFETのゲート絶縁膜とした強誘電体FETは従来のMOSFETとは異なり,強誘電体/半導体界面における強誘電分極・反転層電荷・トラップ電荷の複雑な相互作用によってデバイス動作が決まる.本発表では,我々が提唱した測定手法であるP-Vと準静的Split C-V測定およびホール測定によって明らかになった分極と電荷の相互作用,および強誘電体FETの複雑なデバイス動作と非対称なメモリ特性の起源について解説する. |
(英) |
Ferroelectric FETs, where the ferroelectric material is employed as the MOSFET gate insulator, are different from conventional MOSFETs that the device operation is determined by the complicated interaction between ferroelectric polarization/inversion charges/trapped charges at the ferroelectric/semiconductor interface. In this report, we summarize our finding on the interaction between polarization and charges extracted from P-V and quasi-static split C-V measurements, proposed by our group, together with Hall measurements, and discuss the origin of complicated device operation and asymmetric memory characteristics of ferroelectric FETs. |
キーワード |
(和) |
強誘電体FET / デバイス動作機構 / 反転層電荷 / 準静的Split C-V / 分極-電圧特性 / / / |
(英) |
Ferroelectric FET / Device operation mechanism / Inversion charge / Quasi-static split C-V / Polarization-voltage characteristics / / / |
文献情報 |
映情学技報 |
資料番号 |
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発行日 |
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ISSN |
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