| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2020-01-23 13:05
［ポスター講演］c面サファイアおよびSi (111)基板上への六方晶BN薄膜のCVD成長
○名嘉眞朝泰・松下一貴・渡邊泰良・小南裕子・原 和彦（静岡大） |
| 抄録 |
（和） |
BCl3とNH3を原料とする減圧化学気相法（CVD）を用いて、c面サファイアおよびSi (111)基板上へ六方晶窒化ホウ素（h-BN）薄膜の作製を行った。特に、この原料系のCVDでSi基板を用いるのは、本研究が初めての試みである。Si基板上に作製した薄膜の表面モフォロジーは、同じ条件で作製したサファイア基板上の試料と同様のものであったが、カソードルミネッセンス測定では固有励起子発光（波長215 nm）がより顕著に観測された。これは、Si基板上に作製したh-BN薄膜としては初めての固有励起子発光の観測であり、BCl3を用いるCVDによりSi基板上へも良質なh-BN薄膜を作製できることを示している。さらに、基板加熱機構の変更、原料ガスに対する基板角度の調整、および基板温度依存性を明らかにすることから膜特性の改善を図った。 |
| （英） |
The hexagonal boron nitride (h-BN) thin films were grown on c-plane sapphire and Si (111) substrates by low-pressure chemical vapor deposition using BCl3 and NH3 as sources. The film grown on the Si substrate had the surface morphology similar to that on the sapphire substrate. However, it showed cathodoluminescence with improved intrinsic exciton emission, which is the first observation of intrinsic exciton emission for the h-BN films grown on Si substrate. This result leads us to expect the growth of high-quality h-BN films by the CVD with BCl3. To further improve the film properties, the heating method for substrates, the tilting angle of substrates and growth temperature were also examined. |
| キーワード |
（和） |
六方晶窒化ホウ素 / CVD / 薄膜 / カソードルミネッセンス / 深紫外発光 / / / |
| （英） |
hexagonal boron nitride / CVD / thin film / cathodoluminescence / deep-ultraviolet luminescence / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 44, no. 1, IDY2020-2, pp. 1-4, 2020年1月. |
| 資料番号 |
IDY2020-2 |
| 発行日 |
2020-01-16 (IDY) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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