研究会情報 |
研究会 |
IEICE-SDM IEICE-EID IDY |
開催期間 |
2019-12-24 - 2019-12-24 |
開催地(和) |
奈良先端大(物質領域 大講義室) |
開催地(英) |
NAIST |
テーマ(和) |
半導体材料プロセス・デバイス研究会 |
テーマ(英) |
Semiconductor Material Process and Device Meeting |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
IDY |
会議コード |
2019-12-SDM-EID-IDY |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
2段階堆積プロセスを用いた(Bi,La)4Ti3O12薄膜の結晶成長 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Crystal growth of (Bi, La) 4Ti3O12 thin film using a two-step deposition process |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
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キーワード(2)(和/英) |
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キーワード(3)(和/英) |
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キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
吉田 誉 / Homare Yoshida / ヨシダ ホマレ |
第1著者 所属(和/英) |
龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
石崎 勇真 / Yuma Ishisaki / イシサキ ユウマ |
第2著者 所属(和/英) |
龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
宮部 雄太 / Yuta Miyabe / ミヤベ ユウタ |
第3著者 所属(和/英) |
龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ |
第4著者 所属(和/英) |
龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 所属(和/英) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2019-12-24 16:20:00 |
発表時間 |
20分 |
申込先研究会 |
IDY |
資料番号 |
IDY2019-73 |
巻番号(vol) |
vol.43 |
号番号(no) |
no.44 |
ページ範囲 |
pp.25-28 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2019-12-17 (IDY) |