| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2019-12-24 13:45
ミストCVD法によるGa-Sn-O薄膜を用いたメモリスタ開発
○小林雅樹・杉崎澄生・木村 睦（龍谷大） |
| 抄録 |
（和） |
我々は酸化物半導体 Ga-Sn-O(GTO)薄膜を用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)についての研究を行っ ている。今回は低コストで成膜が可能であるミスト CVD 法を用いて酸化物層を成膜し、ReRAM を作製して評価 した。作製した素子の I-V 特性を評価したところ、150 回の繰り返し、メモリとしての特性を確認した。 |
| （英） |
We are conducting research on Resistive Random Access Memory (ReRAM) using Ga-Sn-O(GTO) thin films. In this study, we fabricated and evaluated an oxide layer ReRAM using the low-cost mist CVD method. The experiment of the I-V characteristics was repeated 150 times, and the characteristics as a memory were confirmed. |
| キーワード |
（和） |
抵抗変化型メモリ / Ga-Sn-O / ミストCVD法 / / / / / |
| （英） |
ReRAM / Ga-Sn-O / Mist CVD method / / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 43, no. 44, IDY2019-69, pp. 5-8, 2019年12月. |
| 資料番号 |
IDY2019-69 |
| 発行日 |
2019-12-17 (IDY) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
IEICE-SDM IEICE-EID IDY |
| 開催期間 |
2019-12-24 - 2019-12-24 |
| 開催地（和） |
奈良先端大(物質領域 大講義室） |
| 開催地（英） |
NAIST |
| テーマ（和） |
半導体材料プロセス・デバイス研究会 |
| テーマ（英） |
Semiconductor Material Process and Device Meeting |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
IDY |
| 会議コード |
2019-12-SDM-EID-IDY |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
ミストCVD法によるGa-Sn-O薄膜を用いたメモリスタ開発 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Development of memristor using Ga-Sn-O thin film by mist CVD method |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
抵抗変化型メモリ / ReRAM |
| キーワード(2)（和/英） |
Ga-Sn-O / Ga-Sn-O |
| キーワード(3)（和/英） |
ミストCVD法 / Mist CVD method |
| キーワード(4)（和/英） |
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| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
小林 雅樹 / Masaki Kobayashi / コバヤシ マサキ |
| 第1著者 所属（和/英） |
龍谷大学 (略称： 龍谷大)
Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
杉崎 澄生 / Sumio Sugisaki / スギサキ スミオ |
| 第2著者 所属（和/英） |
龍谷大学 (略称： 龍谷大)
Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ |
| 第3著者 所属（和/英） |
龍谷大学 (略称： 龍谷大)
Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第4著者 所属（和/英） |
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| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2019-12-24 13:45:00 |
| 発表時間 |
20分 |
| 申込先研究会 |
IDY |
| 資料番号 |
IDY2019-69 |
| 巻番号（vol） |
vol.43 |
| 号番号（no） |
no.44 |
| ページ範囲 |
pp.5-8 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2019-12-17 (IDY) |