| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2019-12-24 14:05
Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT
○服部一輝・谷野健太・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・川原村敏幸・劉 麗（高知工科大） |
| 抄録 |
（和） |
絶縁体層としてAl2O3膜をミストCVD法 (mist CVD) により作製し，Al2O3膜の有無によるGa-Sn-O薄膜トランジスタ (GTO TFT) の特性を比較した．
結果として，Al2O3絶縁膜のないGTO TFTよりも，Al2O3絶縁膜上のGTO TFTの方が高い移動度が得られた．
これは，GTO TFT特性のさらなる改善の可能性を示唆している． |
| （英） |
We compared the characteristics of Ga-Sn-O Thin Film Transistors (GTO TFTs) with and without an Al2O3 film by mist Chemical Vapor Deposition (mist CVD) method as an insulator layer.
As a result, high mobility was obtained from the GTO TFT on the Al2O3 insulating film.
This result suggests the possibility of further improvement of GTO TFT characteristics. |
| キーワード |
（和） |
ミストCVD法 (mist CVD) / Al2O3 / Ga-Sn-O (GTO) / 薄膜トランジスタ (TFT) / / / / |
| （英） |
mist Chemical Vapor Deposition (mist CVD) / Al2O3 / Ga-Sn-O (GTO) / Thin-Film Transistor (TFT) / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 43, no. 44, IDY2019-70, pp. 9-12, 2019年12月. |
| 資料番号 |
IDY2019-70 |
| 発行日 |
2019-12-17 (IDY) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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