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講演抄録／キーワード
講演名 2019-12-24 13:25
SiO2/GaN MOS構造におけるアニール前後の界面電荷および酸化膜中電荷の評価
○古川暢昭・上沼睦典・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）
抄録 （和） (まだ登録されていません) 
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文献情報 映情学技報
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研究会情報
研究会 IEICE-SDM IEICE-EID IDY  
開催期間 2019-12-24 - 2019-12-24 
開催地（和） 奈良先端大(物質領域 大講義室） 
開催地（英） NAIST 
テーマ（和） 半導体材料プロセス・デバイス研究会 
テーマ（英） Semiconductor Material Process and Device Meeting 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-SDM 
会議コード 2019-12-SDM-EID-IDY 
本文の言語 日本語 
タイトル（和） SiO2/GaN MOS構造におけるアニール前後の界面電荷および酸化膜中電荷の評価 
サブタイトル（和）  
タイトル（英） Evaluate interface charges and oxide charges on SiO2/GaN MOS structure before and after annealing 
サブタイトル（英）  
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第1著者 氏名（和/英/ヨミ） 古川 暢昭 / Masaaki Furukawa / フルカワ マサアキ
第1著者 所属（和/英） 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST)
第2著者 氏名（和/英/ヨミ） 上沼 睦典 / Mutsunori Uenuma / ウエヌマ ムツノリ
第2著者 所属（和/英） 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST)
第3著者 氏名（和/英/ヨミ） 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ
第3著者 所属（和/英） 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST)
第4著者 氏名（和/英/ヨミ） 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル
第4著者 所属（和/英） 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2019-12-24 13:25:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 IEICE-SDM 
資料番号  
巻番号（vol） vol.43 
号番号（no）  
ページ範囲  
ページ数  
発行日  

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