| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2019-09-20 13:15
画素単位の3次元集積化技術を用いたリニア広ダイナミックレンジ出力デジタル画素イメージセンサ
○後藤正英（NHK）・本田悠葵（NHK-ES）・渡部俊久・萩原 啓・難波正和・井口義則（NHK）・更屋拓哉・小林正治（東大）・日暮栄治（産総研）・年吉 洋・平本俊郎（東大） |
| 抄録 |
（和） |
超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して，画素並列信号処理を行う3次元構造イメージセンサの研究を進めている．今回，微細なAu電極を埋め込んだSOI基板の直接接合技術により，フォトダイオード（PD），パルス出力回路，16 bit カウンタを3次元的に接続し，画素内で入射光量に対応したパルスを発生してA/D変換を行うイメージセンサの試作に取り組んだ．その結果，3次元構造で画素並列信号処理を行うQVGAフォーマット（320 × 240画素）の動画像センサとしての動作を確認するとともに，入射光量に対応した優れた線形性と，16 bit の多ビット出力，96 dB以上の広いダイナミックレンジを得ることができ，将来の高性能なイメージセンサへの適用可能性を示した． |
| （英） |
We report digital pixel image sensors developed by using pixel-wise three-dimensional (3D) integration technology. Photodiodes (PDs), pulse generation circuits and 16-bit pulse counters are three-dimensionally integrated within every pixel by direct bonding of silicon on insulator (SOI) layers with embedded Au electrodes, which provides in-pixel pulse frequency modulation A/D converters. The developed sensor successfully confirms excellent linearity with a dynamic range of 96 dB, corresponding to a 16-bit value. Pixel-parallel video images with QVGA resolution (320 × 240 pixels) without pixel defects are obtained, demonstrating the feasibility of ultimate image sensors for the next-generation. |
| キーワード |
（和） |
CMOSイメージセンサ / 3次元集積化技術 / 接合 / SOI / フォトダイオード / A/D変換回路 / / |
| （英） |
CMOS image sensor / 3D integration / bonding / SOI / photodiode / A/D converter / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 43, no. 31, IST2019-47, pp. 17-20, 2019年9月. |
| 資料番号 |
IST2019-47 |
| 発行日 |
2019-09-13 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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