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講演抄録/キーワード
講演名 2019-08-09 14:35
極急峻SSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電力レクテナ
山田拓弥井田次郎森 貴之安丸暢彦伊東健治金沢工大)・石橋考一郎電通大
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文献情報 映情学技報
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研究会情報
研究会 IEICE-SDM IEICE-ICD IST  
開催期間 2019-08-07 - 2019-08-09 
開催地(和) 北海道大学 情報科学院 3F A31 
開催地(英) Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-SDM 
会議コード 2019-08-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 極急峻SSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電力レクテナ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Ultra Low power rectenna with super SS "PN-Body Tied SOI-FET" 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 拓弥 / Takuya Yamada / ヤマダ タクヤ
第1著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ
第2著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 貴之 / Takayuki Mori / モリ タカユキ
第3著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 安丸 暢彦 / Nobuhiko Yasumaru /
第4著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊東 健治 / Kenji Itoh /
第5著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 石橋 考一郎 / Koichiro Ishibashi /
第6著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
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講演者 第1著者 
発表日時 2019-08-09 14:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 IEICE-SDM 
資料番号  
巻番号(vol) vol.43 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数  
発行日  


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