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講演抄録／キーワード
講演名
2019-08-09 14:10
急峻なSSを持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の固定電荷と基板バイアスの影響
○
矢吹 亘
・
井田次郎
・
森 貴之
（
金沢工大
）・
石橋孝一郎
（
電通大
）・
新井康夫
（
高エネルギー加速器研究機構
）
抄録
（和）
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（英）
(Not available yet)
キーワード
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文献情報
映情学技報
資料番号
発行日
ISSN
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研究会情報
研究会
IEICE-SDM IEICE-ICD IST
開催期間
2019-08-07 - 2019-08-09
開催地（和）
北海道大学 情報科学院 3F A31
開催地（英）
Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and
テーマ（和）
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用
テーマ（英）
Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications
講演論文情報の詳細
申込み研究会
IEICE-SDM
会議コード
2019-08-SDM-ICD-IST
本文の言語
日本語
タイトル（和）
急峻なSSを持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の固定電荷と基板バイアスの影響
サブタイトル（和）
タイトル（英）
Effect of Vsub and Positive Charge in Buried Oxide on Super Steep SS “PN Body-Tied SOI-FET”
サブタイトル（英）
キーワード(1)（和/英）
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第1著者 氏名（和/英/ヨミ）
矢吹 亘
/
Wataru Yabuki
/
ヤブキ ワタル
第1著者 所属（和/英）
金沢工業大学
(略称：
金沢工大
)
Kanazawa Institute of Technology
(略称：
KIT
)
第2著者 氏名（和/英/ヨミ）
井田 次郎
/
Jiro Ida
/
イダ ジロウ
第2著者 所属（和/英）
金沢工業大学
(略称：
金沢工大
)
Kanazawa Institute of Technology
(略称：
KIT
)
第3著者 氏名（和/英/ヨミ）
森 貴之
/
Takayuki Mori
/
モリ タカユキ
第3著者 所属（和/英）
金沢工業大学
(略称：
金沢工大
)
Kanazawa Institute of Technology
(略称：
KIT
)
第4著者 氏名（和/英/ヨミ）
石橋 孝一郎
/
Koichiro Ishibashi
/
イシバシ コウイチロウ
第4著者 所属（和/英）
電気通信大学
(略称：
電通大
)
University of Electro-Communications
(略称：
UEC
)
第5著者 氏名（和/英/ヨミ）
新井 康夫
/
Yasuo Arai
/
アライ ヤスオ
第5著者 所属（和/英）
高エネルギー加速器研究機構
(略称：
高エネルギー加速器研究機構
)
High Energy Accelerator Research Organization
(略称：
KEK
)
第6著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第6著者 所属（和/英）
(略称： )
(略称： )
第7著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第7著者 所属（和/英）
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(略称： )
第8著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第8著者 所属（和/英）
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第9著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第9著者 所属（和/英）
(略称： )
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第10著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第10著者 所属（和/英）
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第11著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第11著者 所属（和/英）
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第12著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第12著者 所属（和/英）
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第13著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第13著者 所属（和/英）
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第14著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第14著者 所属（和/英）
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第15著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第15著者 所属（和/英）
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第16著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第16著者 所属（和/英）
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第17著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第17著者 所属（和/英）
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第18著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第18著者 所属（和/英）
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第19著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第19著者 所属（和/英）
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第20著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第20著者 所属（和/英）
(略称： )
(略称： )
講演者
第1著者
発表日時
2019-08-09 14:10:00
発表時間
25分
申込先研究会
IEICE-SDM
資料番号
巻番号（vol）
vol.43
号番号（no）
ページ範囲
ページ数
発行日
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