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講演抄録／キーワード
講演名
2019-08-07 14:15
二次元チャネルFETの電流電圧特性におけるフリンジ電界効果のTCAD解析
○
浅井栄大
・
張 文馨
・
岡田直也
・
福田浩一
・
入沢寿史
（
産総研
）
抄録
（和）
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（英）
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キーワード
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文献情報
映情学技報
資料番号
発行日
ISSN
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研究会情報
研究会
IEICE-SDM IEICE-ICD IST
開催期間
2019-08-07 - 2019-08-09
開催地（和）
北海道大学 情報科学院 3F A31
開催地（英）
Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and
テーマ（和）
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用
テーマ（英）
Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications
講演論文情報の詳細
申込み研究会
IEICE-SDM
会議コード
2019-08-SDM-ICD-IST
本文の言語
日本語
タイトル（和）
二次元チャネルFETの電流電圧特性におけるフリンジ電界効果のTCAD解析
サブタイトル（和）
タイトル（英）
TCAD analysis of the fringe-field effect on transfer characteristics of 2D channel FET
サブタイトル（英）
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第1著者 氏名（和/英/ヨミ）
浅井 栄大
/
Hidehiro Asai
/
アサイ ヒデヒロ
第1著者 所属（和/英）
産業技術総合研究所
(略称：
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称：
AIST
)
第2著者 氏名（和/英/ヨミ）
張 文馨
/
Wen Hsin Chang
/
Wen Hsin Chang
第2著者 所属（和/英）
産業技術総合研究所
(略称：
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称：
AIST
)
第3著者 氏名（和/英/ヨミ）
岡田 直也
/
Naoya Okada
/
オカダ ナオヤ
第3著者 所属（和/英）
産業技術総合研究所
(略称：
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称：
AIST
)
第4著者 氏名（和/英/ヨミ）
福田 浩一
/
Koich Fukuda
/
フクダ コウイチ
第4著者 所属（和/英）
産業技術総合研究所
(略称：
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称：
AIST
)
第5著者 氏名（和/英/ヨミ）
入沢 寿史
/
Toshifumi Irisawa
/
イリサワ トシフミ
第5著者 所属（和/英）
産業技術総合研究所
(略称：
産総研
)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
(略称：
AIST
)
第6著者 氏名（和/英/ヨミ）
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第36著者 氏名（和/英/ヨミ）
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講演者
第1著者
発表日時
2019-08-07 14:15:00
発表時間
25分
申込先研究会
IEICE-SDM
資料番号
巻番号（vol）
vol.43
号番号（no）
ページ範囲
ページ数
発行日
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