講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-03-22 10:50
新設計導波路構造を用いた高性能2.5umセルグローバルシャッタCMOSイメージセンサ ○横山敏史・筒井将史・西 嘉昭・水野郁夫(TPSCo)・Veinger Dmitry・Assaf Lahav(TowerJazz) |
抄録 |
(和) |
我々は、新たな設計指針を用いた導波路構造を採用し、画素サイズ2.5umのグローバルシャッタ(GS)CMOSイメージセンサを開発した。開発された画素は、優れた量子効率(QE)、入射角特性、および非常に低い寄生光感度(PLS)を実現した。また、斜め10度の入射光でもQEはピーク値の80%以上、1/PLSは50%以上の値に保たれた。 |
(英) |
We developed a 2.5um global shutter (GS) CMOS image sensor pixel using an advanced waveguide structure designed with novel guidelines. To the best of our knowledge, it is the smallest reported GS pixel in the world. The developed pixel shows an excellent Quantum Efficiency (QE), Angular responses and very low Parasitic Light Sensitivity (PLS). Also, even in oblique light condition of 10 degrees, the 1/PLS is maintained to about half value. |
キーワード |
(和) |
グローバルシャッタ / 導波路 / 寄生光感度 / / / / / |
(英) |
global shutter / waveguide / Parasitic Light Sensitivity / / / / / |
文献情報 |
映情学技報, vol. 43, no. 11, IST2019-15, pp. 17-20, 2019年3月. |
資料番号 |
IST2019-15 |
発行日 |
2019-03-15 (IST) |
ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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