| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2019-03-22 13:00
横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を有する飽和電子数2430万個・近赤外高感度CMOSイメージセンサ
○村田真麻・黒田理人・藤原康行・大塚雄介（東北大）・柴田 寛・柴口 拓・鎌田 浩・三浦規之・栗山尚也（ラピス）・須川成利（東北大） |
| 抄録 |
（和） |
低不純物濃度p型Si基板上の各画素に横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を搭載し，1千万個を超える高い飽和電子数と近赤外領域における高量子効率化の両立を図ったCMOSイメージセンサ(CIS)を設計・試作し，低照度から高照度にかけての光に対する線形応答，2430万個の飽和電子数，71.3dBの信号対雑音比，200-1100nmの広光波長帯域における高量子効率の性能を達成した．本CISを用いた応用例の1つとして，非侵襲血糖値測定に向けた近赤外吸光イメージングを行い，1050nmの光波長を用いて5mg/dlグルコース溶液の拡散・対流をリアルタイムかつ鮮明に捉えることができた． |
| （英） |
This paper presents a 16$mu$m pixel pitch CMOS image sensor exhibiting 24.3Me- full well capacity and high near infrared sensitivity by the introduction of lateral overflow integration trench capacitor on a low impurity concentration p-type Si substrate. The CIS achieved 71.3dB SNR with linear response and 200-1100nm wide spectral response with high quantum efficiency. As one of applications using the CIS, a near infrared absorption imaging for non-invasive blood glucose measurement was experimented and a diffusion of 5mg/dl concentration glucose was clearly visualized at 1050nm. |
| キーワード |
（和） |
CIS / 横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量 / 吸光イメージング / 近赤外光 / 高飽和 / / / |
| （英） |
CIS / Lateral Overflow Integration Trench Capacitor / Absorption Imaging / Near Infrared Light / High Saturation / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 43, no. 11, IST2019-17, pp. 27-32, 2019年3月. |
| 資料番号 |
IST2019-17 |
| 発行日 |
2019-03-15 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
| PDFダウンロード |
|