| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2019-03-22 13:30
180nm CMOSプロセスを用いた32×32画素並列VCO型ADC構成テラヘルツイメージセンサ
○金澤悠里・横山紗由里・池上高広・Prasoon Ambalathankandy・平松正太・佐野栄一（北大）・瀧田佑馬・南出泰亜（理研）・池辺将之（北大） |
| 抄録 |
（和） |
テラヘルツ波を用いたイメージングが注目される一方で，用いるイメージセンサ自体が高価である問題があった．この問題に対し，アンテナ型CMOSテラヘルツイメージャは高速で動作する安価なテラヘルツイメージャであるが，読み出しアーキテクチャによっては，その性能を十分に発揮できないという問題を抱えていた．本研究ではこの問題に対し，ピクセル並列アーキテクチャを採用したアンテナ型CMOSテラヘルツイメージャを提案する．本イメージャは，ピクセル並列・VCO-Based ADCアーキテクチャによるグローバルシャッタ動作・ディジタルCDSの実現，218kV/W@0.93THzの応答性を持つ低消費電力テラヘルツ波検出回路の構築，また，安価な180nm Si-CMOSプロセスを用いたリアルタイムテラヘルツイメージングの実現を達成するものである． |
| （英） |
A terahertz imaging has attracted attention. However, it is problem that conventional terahertz imagers are expensive. An antenna-type terahertz imager is cheap and works faster than previous ones, but whether it can demonstrate its own performance depends on its readout architecture. In this work, we propose fully pixel parallel CMOS terahertz images sensor. Our terahertz imager achieves “global shutter function and digital CDS function thanks to pixel parallel architecture and its VCO-Based ADC”, “high responsivity (218kV/W@0.93THz) in low power consumption CMOS terahertz detecting circuit” and “the real-time terahertz imaging on cheap 180nm Si-CMOS process.” |
| キーワード |
（和） |
テラヘルツ / イメージセンサ / 0.18μm CMOS / VCO-Based ADC / ピクセル並列 / / / |
| （英） |
terahertz / image sensor / 0.18μm CMOS / VCO-Based ADC / pixel-parallel / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 43, no. 11, IST2019-18, pp. 33-36, 2019年3月. |
| 資料番号 |
IST2019-18 |
| 発行日 |
2019-03-15 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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