| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2018-12-25 11:45
ミストCVD法によるGTO薄膜を用いたデバイス
○滝下雄太・杉崎澄夫（龍谷大）・是友大地・曲 勇作・古田 守（高知工科大）・松田時宜・木村 睦（龍谷大） |
| 抄録 |
（和） |
非真空プロセスであるミストCVD法により，レアメタルフリーなGa-Sn-O(GTO)薄膜を成膜し，それを用いたデバイスを作成した．成膜されたGTO薄膜をチャネル層とした薄膜トランジスタを作成し，トランジスタとして駆動していることを確認した．また，同様の方法で成膜されたGTO薄膜を用いたクロスポイント型の抵抗変化型メモリを作成，評価した． |
| （英） |
We made devices using Ga-Sn-O(GTO) thin films deposited by mist CVD method. A thin film transistor incorporating GTO prepared by the mist CVD method as a channel layer was fabricated with the AlOx dielectric onto Si substrate. The device was evaluated and confirmed that it was success driven. In addition, switching resistance memory using a GTO thin film prepared by the mist CVD method was created and evaluated. |
| キーワード |
（和） |
酸化物半導体 / GaSnO / 薄膜トランジスタ / ミストCVD / / / / |
| （英） |
Oxide semiconductor / GaSnO / thin film transistor / mistCVD / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 42, no. 45, IDY2018-57, pp. 13-16, 2018年12月. |
| 資料番号 |
IDY2018-57 |
| 発行日 |
2018-12-18 (IDY) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
| PDFダウンロード |
|