| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2018-12-25 14:30
Ga-Sn-O薄膜の熱電特性及び構造のアニール依存性
○池口 翼・荒牧達也（龍谷大）・梅田鉄馬・上沼睦典（奈良先端大）・是友大地・曲 勇作・古田 守（高知工科大）・木村 睦（龍谷大） |
| 抄録 |
（和） |
RFマグネトロンスパッタリング装置を用いてGa-Sn-O(GTO)薄膜を成膜し，成膜圧力及び結晶構造が熱電特性に与える影響を調査した．その結果，成膜圧力を低くすることで熱電特性及び電気的特性が向上した．また，350度1時間のアニール処理を施した素子が最も熱電特性が良く，微結晶となっていることが確認できた．今後，GTOの組成比を制御することで，熱電特性が向上すると考えられる． |
| （英） |
Ga-Sn-O(GTO) thin films were formed using RF magnetron sputtering, and the influence of deposition pressure and crystal structure on thermoelectric properties was investigated. As a result, thermoelectric properties and electrical characteristics were improved by reducing deposition pressure. In addition, it was confirmed that the device subjected to the annealing treatment at 350 degrees for 1 hour had the best thermoelectric properties and was microcrystalline. It is considered that thermoelectric properties are improved by controlling the composition ratio of GTO. |
| キーワード |
（和） |
熱電 / Ga-Sn-O (GTO) / 酸化物半導体 / 微結晶 / / / / |
| （英） |
Thermoelectric / Ga-Sn-O (GTO) / Oxide Semiconductor / Microcrystal / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 42, no. 45, IDY2018-59, pp. 33-36, 2018年12月. |
| 資料番号 |
IDY2018-59 |
| 発行日 |
2018-12-18 (IDY) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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