SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果

水谷,朋子; 竹内,潔; 更屋,拓哉; 小林,正治; 平本,俊郎

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講演名		2018-08-09 13:45 SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果 ○水谷朋子・竹内　潔・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大）
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文献情報		映情学技報
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研究会情報
研究会	IST IEICE-ICD IEICE-SDM
開催期間	2018-08-07 - 2018-08-09
開催地（和）	北海道大学 M棟M151
開催地（英）	Hokkaido University M Bldg. M151
テーマ（和）	アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用
テーマ（英）
講演論文情報の詳細
申込み研究会	IEICE-SDM
会議コード	2018-08-SDM-ICD-IST
本文の言語	日本語
タイトル（和）	SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果
サブタイトル（和）
タイトル（英）	Effect of multiple stress application in post-fabrication cell stability self-improvement in SRAM cell array
サブタイトル（英）
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第1著者氏名（和/英/ヨミ）	水谷朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニトモコ
第1著者所属（和/英）	東京大学 (略称：東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo)
第2著者氏名（和/英/ヨミ）	竹内潔 / Kiyoshi Takeuchi / タケウチキヨシ
第2著者所属（和/英）	東京大学 (略称：東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo)
第3著者氏名（和/英/ヨミ）	更屋拓哉 / Takuya Saraya / サラヤタクヤ
第3著者所属（和/英）	東京大学 (略称：東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo)
第4著者氏名（和/英/ヨミ）	小林正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシマサハル
第4著者所属（和/英）	東京大学 (略称：東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo)
第5著者氏名（和/英/ヨミ）	平本俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモトトシロウ
第5著者所属（和/英）	東京大学 (略称：東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo)
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講演者	第1著者
発表日時	2018-08-09 13:45:00
発表時間	25分
申込先研究会	IEICE-SDM
資料番号
巻番号（vol）	vol.42
号番号（no）
ページ範囲
ページ数
発行日

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