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講演抄録／キーワード
講演名 2018-08-07 12:55
［招待講演］慣性センサの超低消費電力化に向けたCMOS混載SiGe-MEMS技術の開発
○富澤英之・久留井慶彦（東芝）・秋田一平（産総研）・藤本　明・齋藤友博・小島章弘・柴田英毅（東芝）
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文献情報 映情学技報
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研究会情報
研究会 IST IEICE-ICD IEICE-SDM  
開催期間 2018-08-07 - 2018-08-09 
開催地（和） 北海道大学 M棟M151 
開催地（英） Hokkaido University M Bldg. M151 
テーマ（和） アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ（英）  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-SDM 
会議コード 2018-08-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル（和） 慣性センサの超低消費電力化に向けたCMOS混載SiGe-MEMS技術の開発 
サブタイトル（和）  
タイトル（英） Development of SiGe-MEMS-on-CMOS technology for ultra-low-power inertial sensors 
サブタイトル（英）  
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第1著者 氏名（和/英/ヨミ） 富澤 英之 / Hideyuki Tomizawa / トミザワ ヒデユキ
第1著者 所属（和/英） 株式会社東芝 (略称： 東芝)
Toshiba Corporation (略称： Toshiba)
第2著者 氏名（和/英/ヨミ） 久留井 慶彦 / Yoshihiko Kurui / クルイ ヨシヒコ
第2著者 所属（和/英） 株式会社東芝 (略称： 東芝)
Toshiba Corporation (略称： Toshiba)
第3著者 氏名（和/英/ヨミ） 秋田 一平 / Ippei Akita / アキタ イッペイ
第3著者 所属（和/英） 産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
第4著者 氏名（和/英/ヨミ） 藤本 明 / Akira Fujimoto / フジモト アキラ
第4著者 所属（和/英） 株式会社東芝 (略称： 東芝)
Toshiba Corporation (略称： Toshiba)
第5著者 氏名（和/英/ヨミ） 齋藤 友博 / Tomohiro Saito / サイトウ トモヒロ
第5著者 所属（和/英） 株式会社東芝 (略称： 東芝)
Toshiba Corporation (略称： Toshiba)
第6著者 氏名（和/英/ヨミ） 小島 章弘 / Akihiro Kojima / コジマ アキヒロ
第6著者 所属（和/英） 株式会社東芝 (略称： 東芝)
Toshiba Corporation (略称： Toshiba)
第7著者 氏名（和/英/ヨミ） 柴田 英毅 / Hideki Shibata / シバタ ヒデキ
第7著者 所属（和/英） 株式会社東芝 (略称： 東芝)
Toshiba Corporation (略称： Toshiba)
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講演者 第1著者 
発表日時 2018-08-07 12:55:00 
発表時間 45分 
申込先研究会 IEICE-SDM 
資料番号  
巻番号（vol） vol.42 
号番号（no）  
ページ範囲  
ページ数  
発行日  

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