研究会情報 |
研究会 |
IST IEICE-ICD IEICE-SDM |
開催期間 |
2018-08-07 - 2018-08-09 |
開催地(和) |
北海道大学 M棟M151 |
開催地(英) |
Hokkaido University M Bldg. M151 |
テーマ(和) |
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
IEICE-SDM |
会議コード |
2018-08-SDM-ICD-IST |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスによるSOI-CMOSの作製及び電気特性評価 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Fabrication and Characterization of SOI-CMOS Using Minimal-Fab and Mega-Fab Hybrid Process |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
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キーワード(2)(和/英) |
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キーワード(3)(和/英) |
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キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
柳 永勛 / Yongxun Liu / リュウ ユウシュン |
第1著者 所属(和/英) |
産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) (略称: AIST) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2018-08-07 13:40:00 |
発表時間 |
45分 |
申込先研究会 |
IEICE-SDM |
資料番号 |
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巻番号(vol) |
vol.42 |
号番号(no) |
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ページ範囲 |
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ページ数 |
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発行日 |
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