| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2018-03-09 16:15
［招待講演］量子線イメージセンサ用SOIモノリシックピクセル技術
○新井康夫・三好敏喜・倉知郁生（高エネ研） |
| 抄録 |
（和） |
Silicon-On-Insulator (SOI)技術は、回路層に加え厚いシリコン層を持つことから、放射線センサと回路とを一体化したピクセル検出器に適した技術である。しかしながら、実現にはいくつかの克服すべき課題がある。すなわち、バックゲート効果、センサと回路の結合、そして蓄積放射線ダメージ等である。我々はこれらの課題を、中間シリコン層を加えたDouble SOI構造にすることで解決した。また、複数の埋め込み層を作る事で、低ノイズ化と高い電荷収集効率をも実現した。使用したSOI技術は0.2μm プロセスだが、PMOSとNMOSのアクティブ領域を一体化することで、同レベルのバルクプロセスの場合よりも画素サイズは小さく出来た。 |
| （英） |
Silicon-On-Insulator (SOI) technology is a suitable choice to realize monolithic radiation imaging device as it involves a separate thick silicon layer in addition to a circuit layer. However, there are several issues to overcome for using radiation sensors and CMOS LSI circuits on a same die, i.e., the back-gate effect, coupling between sensors and circuits, and the total ionization dose (TID) effect. These issues have been solved by introducing a middle Si layer between the sensor and circuit layer (double SOI). By introducing multiple buried layer, lower noise and high charge collection efficiency is obtained. In addition, a small pixel size is achieved by using the PMOS and NMOS active merge technique in the SOI. This enables a much smaller layout size than that in the bulk CMOS process with the same feature size. |
| キーワード |
（和） |
X線 / 量子線 / Silicon-On-Insulator / SOI / イメージセンサ / ３次元積層 / / |
| （英） |
X-ray / Quantum Beam / Silicon-On-Insulator / SOI / Image Sensor / 3D Integration / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 42, no. 10, IST2018-25, pp. 61-66, 2018年3月. |
| 資料番号 |
IST2018-25 |
| 発行日 |
2018-03-02 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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