| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2018-03-08 15:00
［依頼講演］TFT作製プロセスによりa-IGZO-TFTに導入される水素関連欠陥の光誘起電流過渡分光法による評価
○林 和志・越智元隆・日野 綾・後藤裕史・釘宮敏洋（神戸製鋼所） |
| 抄録 |
（和） |
In-Ga-Zn-O（IGZO）に代表されるアモルファス酸化物半導体は、高い電子移動度が比較的容易に得られるため次世代高精度FPD用材料として期待されている。しかしながら、各種ストレスに対する不安定性などの問題から、実際に量産に成功したメーカーは、現時点では一部に留まっている。TFT動作時のストレス不安定性は、TFTチャネル領域の電子状態の変化に起因する。本研究では、TFTのチャネル部の電子状態を明確化するために、光誘起電流過渡分光法（Photo-induced transient Spectroscopy: PITS)を適用し、TFT作製プロセス中に導入される水素関連欠陥の評価を行った。 |
| （英） |
Hydrogen-related trap states induced during a-IGZO TFT fabrication process were examined. The a-IGZO TFTs with various ESL deposition conditions were examined by means of photo-induced transient spectroscopy (PITS). The PITS measurements revealed that, as the flow rate of SiH4/N2O, the position of the peak changed from 110 to 160 K in the PITS spectra. Accordingly, a monotonous increase in width was observed. These results were successfully correlated with the threshold voltage shift originating from positive bias thermal and negative bias thermal illumination stresses. |
| キーワード |
（和） |
a-IGZO / トラップ準位 / TFT / 光誘起電流過渡分光法 / / / / |
| （英） |
Amorphous In-Ga-Zn-O / Trap states / Thin-film transistor / Photo-induced transient spectroscopy / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 42, no. 8, IDY2018-19, pp. 21-26, 2018年3月. |
| 資料番号 |
IDY2018-19 |
| 発行日 |
2018-03-01 (IDY) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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