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講演抄録／キーワード
講演名
2017-08-02 11:35
急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスト用Gate Controlled Diodeの特性
○
百瀬 駿
・
井田次郎
・
森 貴之
・
吉田貴大
・
岩田潤平
・
堀井隆史
・
古田貴大
・
山田拓弥
・
高松大地
・
伊東健治
（
金沢工大
）・
石橋孝一郎
（
電通大
）・
新井康夫
（
高エネルギー加速器研究機構
）
抄録
（和）
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（英）
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キーワード
（和）
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（英）
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文献情報
映情学技報
資料番号
発行日
ISSN
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研究会情報
研究会
IEICE-SDM IEICE-ICD IST
開催期間
2017-07-31 - 2017-08-02
開催地（和）
北海道大学情報教育館
開催地（英）
Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg.
テーマ（和）
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用
テーマ（英）
Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications
講演論文情報の詳細
申込み研究会
IEICE-SDM
会議コード
2017-07-SDM-ICD-IST
本文の言語
日本語
タイトル（和）
急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスト用Gate Controlled Diodeの特性
サブタイトル（和）
タイトル（英）
Gate Controlled Diode Characteristics of Super Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI-FET for High Efficiency RF Energy Harvesting
サブタイトル（英）
キーワード(1)（和/英）
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キーワード(2)（和/英）
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キーワード(3)（和/英）
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キーワード(4)（和/英）
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キーワード(5)（和/英）
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キーワード(6)（和/英）
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キーワード(7)（和/英）
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キーワード(8)（和/英）
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第1著者 氏名（和/英/ヨミ）
百瀬 駿
/
Shun Momose
/
モモセ シュン
第1著者 所属（和/英）
金沢工業大学
(略称：
金沢工大
)
Kanazawa institute of Technology
(略称：
KIT
)
第2著者 氏名（和/英/ヨミ）
井田 次郎
/
Jiro Ida
/
イダ ジロウ
第2著者 所属（和/英）
金沢工業大学
(略称：
金沢工大
)
Kanazawa institute of Technology
(略称：
KIT
)
第3著者 氏名（和/英/ヨミ）
森 貴之
/
Takayuki Mori
/
モリ タカユキ
第3著者 所属（和/英）
金沢工業大学
(略称：
金沢工大
)
Kanazawa institute of Technology
(略称：
KIT
)
第4著者 氏名（和/英/ヨミ）
吉田 貴大
/
Takahiro Yoshida
/
ヨシダ タカヒロ
第4著者 所属（和/英）
金沢工業大学
(略称：
金沢工大
)
Kanazawa institute of Technology
(略称：
KIT
)
第5著者 氏名（和/英/ヨミ）
岩田 潤平
/
Junpei Iwata
/
イワタ ジュンペイ
第5著者 所属（和/英）
金沢工業大学
(略称：
金沢工大
)
Kanazawa institute of Technology
(略称：
KIT
)
第6著者 氏名（和/英/ヨミ）
堀井 隆史
/
Takashi Horii
/
ホリイ タカシ
第6著者 所属（和/英）
金沢工業大学
(略称：
金沢工大
)
Kanazawa institute of Technology
(略称：
KIT
)
第7著者 氏名（和/英/ヨミ）
古田 貴大
/
Takahiro Furuta
/
フルタ タカヒロ
第7著者 所属（和/英）
金沢工業大学
(略称：
金沢工大
)
Kanazawa institute of Technology
(略称：
KIT
)
第8著者 氏名（和/英/ヨミ）
山田 拓弥
/
Takuya Yamada
/
ヤマダ タクヤ
第8著者 所属（和/英）
金沢工業大学
(略称：
金沢工大
)
Kanazawa institute of Technology
(略称：
KIT
)
第9著者 氏名（和/英/ヨミ）
高松 大地
/
Daichi Takamatsu
/
タカマツ ダイチ
第9著者 所属（和/英）
金沢工業大学
(略称：
金沢工大
)
Kanazawa institute of Technology
(略称：
KIT
)
第10著者 氏名（和/英/ヨミ）
伊東 健治
/
Kenji Itoh
/
イトウ ケンジ
第10著者 所属（和/英）
金沢工業大学
(略称：
金沢工大
)
Kanazawa institute of Technology
(略称：
KIT
)
第11著者 氏名（和/英/ヨミ）
石橋 孝一郎
/
Koichiro Ishibashi
/
イシバシ コウイチロウ
第11著者 所属（和/英）
電気通信大学
(略称：
電通大
)
The University of Electro-Communications
(略称：
UEC
)
第12著者 氏名（和/英/ヨミ）
新井 康夫
/
Yasuo Arai
/
アライ ヤスオ
第12著者 所属（和/英）
高エネルギー加速器研究機構
(略称：
高エネルギー加速器研究機構
)
High Energy Accelerator Research Organization
(略称：
KEK
)
第13著者 氏名（和/英/ヨミ）
/ /
第13著者 所属（和/英）
(略称： )
(略称： )
第14著者 氏名（和/英/ヨミ）
/ /
第14著者 所属（和/英）
(略称： )
(略称： )
第15著者 氏名（和/英/ヨミ）
/ /
第15著者 所属（和/英）
(略称： )
(略称： )
第16著者 氏名（和/英/ヨミ）
/ /
第16著者 所属（和/英）
(略称： )
(略称： )
第17著者 氏名（和/英/ヨミ）
/ /
第17著者 所属（和/英）
(略称： )
(略称： )
第18著者 氏名（和/英/ヨミ）
/ /
第18著者 所属（和/英）
(略称： )
(略称： )
第19著者 氏名（和/英/ヨミ）
/ /
第19著者 所属（和/英）
(略称： )
(略称： )
第20著者 氏名（和/英/ヨミ）
/ /
第20著者 所属（和/英）
(略称： )
(略称： )
講演者
第1著者
発表日時
2017-08-02 11:35:00
発表時間
25分
申込先研究会
IEICE-SDM
資料番号
巻番号（vol）
vol.41
号番号（no）
ページ範囲
ページ数
発行日
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