| 研究会情報 |
| 研究会 |
IEICE-SDM IEICE-ICD IST |
| 開催期間 |
2017-07-31 - 2017-08-02 |
| 開催地（和） |
北海道大学情報教育館 |
| 開催地（英） |
Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） |
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） |
Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
IEICE-SDM |
| 会議コード |
2017-07-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
ノーマリーオフ動作のための強誘電体HfO2を集積した不揮発性SRAM |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
A Nonvolatile SRAM Integrated with Ferroelectric HfO2 Capacitor for Normally-Off Operation |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
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| キーワード(2)（和/英） |
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| キーワード(3)（和/英） |
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| キーワード(4)（和/英） |
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| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル |
| 第1著者 所属（和/英） |
東京大学 (略称： 東大)
The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
上山 望 / Nozomu Ueyama / ウエヤマ ノゾム |
| 第2著者 所属（和/英） |
東京大学生産技術研究所 (略称： 東大生研)
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo (略称： IIS, Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第3著者 所属（和/英） |
東京大学生産技術研究所 (略称： 東大生研)
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo (略称： IIS, Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第4著者 所属（和/英） |
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| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第5著者 所属（和/英） |
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| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第6著者 所属（和/英） |
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| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第7著者 所属（和/英） |
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| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第8著者 所属（和/英） |
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| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第9著者 所属（和/英） |
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| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第11著者 所属（和/英） |
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| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第12著者 所属（和/英） |
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| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第13著者 所属（和/英） |
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| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第14著者 所属（和/英） |
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| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第15著者 所属（和/英） |
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| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第16著者 所属（和/英） |
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| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第19著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 所属（和/英） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2017-08-01 09:00:00 |
| 発表時間 |
45分 |
| 申込先研究会 |
IEICE-SDM |
| 資料番号 |
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| 巻番号（vol） |
vol.41 |
| 号番号（no） |
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| ページ範囲 |
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| ページ数 |
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| 発行日 |
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