| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2015-05-08 13:10
［ポスター講演］全空乏化SOIピクセルを用いたロックインイメージセンサの設計と評価
○長谷川 椋・安富啓太・シュミート シュレスタ・尹 亨埈・寺西信一・亀濱博紀・香川景一郎・川人祥二（静岡大） |
| 抄録 |
（和） |
本研究では,近赤外光に高い感度を有する時間分解イメージセンサの実現の為に, 全空乏化 SOI ピクセルを用いたロックイン画素を提案する.提案する画素構造ではセンサ部を全空乏化させることで,近赤外光に対して高い量子効率と高速な電荷収集・および電荷変調を可能とする.本稿では,提案する画素構造をシミュレーションにより検討し,実際に試作した素子の基礎的な評価の結果について報告する. |
| （英） |
This paper proposes a lock-in pixel using a fully-depleted SOI pixel structure, which has high sensitivity for near-infrared light. The fully depleted structure also enables the high-speed detection and modulation of careers generated by near infrared light. In this paper, simulation results with a device simulator and preliminary evaluation results of the test chip
are shown. |
| キーワード |
（和） |
完全空乏 / ロックインピクセル / 時間分解撮像デバイス / SOI / / / / |
| （英） |
Lock-in pixel / Time-resolved image sensor / SOI / fully depleted photo-diode / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 39, no. 17, IST2015-26, pp. 9-12, 2015年5月. |
| 資料番号 |
IST2015-26 |
| 発行日 |
2015-05-01 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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