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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2018年 2月号 | 低波長の2光子融合 高エネ光変換技術開発 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2017年11月17日PP.23) | 深共晶溶媒 波長530nmの緑の光を440nmの青に42%の効率で変換 | 120 |
| 2018年 2月号 | 高い耐熱・熱伝導性 完全CNT製 放熱シート開発 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2017年11月30日PP.21) | 熱伝導率1mK/80W | 700℃以上の高温に耐える カーボンナノチューブ 120 |
| 2018年 1月号 | GaNトランジスタの結晶層を発見 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2017年10月26日PP.23) | 絶縁層とGaNの界面に1.5nmのガリウム磁化膜の薄層 | 220 |
| 2018年 0月号 | ナノ多層薄膜 常温常圧で容易構築 | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2017年9月20日PP.27) | π電子の相互作用により積層されやすいフラットな形状の分子を使用 | 160 |
| 2017年11月号 | 壊れず拭き取り可能 モスアイ構造フィルム開発 | 理科大 | 日刊工業新聞 (2017年8月9日PP.23) | ナノインプリント技術で転写 | 130 160 |
| 2017年10月号 | シリコン・化合物半導体融合 により高性能光変調器作製 光通信大容量化に道 | NTT | 日刊工業新聞 (2017年7月19日PP.30) 日経産業新聞 (2017年7月21日PP.8) | インジウムリン系化合物半導体 従来比役10倍の変調効率 変調領域波 0.25nm 32Gbpsの変調性能 シリコンフォトニクス 光変調器 シリコン基板 小型化 | 240 |
| 2017年10月号 | 電子が偏る様子観測 | 東京農工大 | 日経産業新聞 (2017年7月28日PP.12) | レーザ 微細加工 電子の偏り ナノメートルサイズ | 120 250 160 |
| 2017年 9月号 | ゲルマニウムLSIに一歩 超薄膜構造均一化 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年6月7日PP.23) | 10nm以下の均一な超薄膜構造 | 160 |
| 2017年 9月号 | 電子伝導性と白色発光発見 | 名大 | 日刊工業新聞 (2017年6月20日PP.34) | カーボンナノリング | 120 |
| 2017年 9月号 | 量子ナノディスク作成 発光効率100倍に | 東北大 | 日刊工業新聞 (2017年6月22日PP.25) | 窒化物量子ドット発光ダイオード 直径5nmの窒化インジウムガリウムと窒化ガリウムの3次元構造を持つ量子ドット(量子ナノディスク) 発光効率100倍 直径5nmの窒化インジウムガリウムと窒化ガリウムの3次元構造を持つ量子ドット | 160 250 |
| 2017年 8月号 | 白色発光する透明高分子 | 立命館大 | 日刊工業新聞 (2017年5月29日PP.21) | 波長366nmの紫外線を当てると 400n-700nmの可視光を発光 紫外線を当てると可視光領域全体で発光 発光効率5% 曲面対応 | 120 |
| 2017年 7月号 | 光子1個ごと見える顕微鏡開発 光子1個色を識別 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年4月6日PP.21) 日経産業新聞 (2017年4月13日PP.8) | 計測可能波長200nm～2000nm，光強度0.16fW，光子顕微鏡，超電導光センサー | 360 210 |
| 2017年 7月号 | レーザ発振・高速変調動作 ナノワイヤで実証 | NTT | 日刊工業新聞 (2017年4月7日PP.23) | 10Gbpsの高速変調動作に成功 | 240 |
| 2017年 7月号 | カーボンナノベルト初合成 | 名大 | 日刊工業新聞 (2017年4月14日PP.23) | パラキシレンを炭素原料 直径約0.8nm | 120 |
| 2017年 7月号 | 物質表面のナノ構造アルミ 思い通りの色彩に アルミニウムのナノ構造体で「色」を作る -半永久的に失われず塗料より軽い「メタマテリアル・カラー」- http://www.riken.jp/pr/press/2017/20170426_1/ | 理化学研究所 | 日刊工業新聞 (2017年4月27日PP.23) | メタマテリアル | 160 |
| 2017年 6月号 | 深紫外LED5倍効率化 | 理研 | 日刊工業新聞 (2017年3月29日PP.31) | 外部量子効率 275nmで 20.3% 水銀ランプの効率に迫る水準 | 250 |
| 2017年 5月号 | 蓄電容量4倍の電極材 | 東大 | 日経産業新聞 (2017年2月9日PP.8) | 電池 電極材料 カーボンナノチューブ | 120 250 |
| 2017年 5月号 | 単一超電導ナノチューブ利用 トランジスタ開発 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年2月27日PP.21) | 二硫化タングステンナノチューブにおいて超電導の発現を発見。単一ナノチューブにおける超電導の初めての報告。 | 220 |
| 2017年 4月号 | 素子の接合面 非破壊評価 | 英ヨーク大 | 日刊工業新聞 (2017年1月9日PP.13) | SEMの加速電圧制御 深さ100nmまで連続的に観察 | 660 |
| 2017年 3月号 | 3次元フィン型ゲルマニウムトランジスタ開発 | 東北大など | 日刊工業新聞 (2016年12月6日PP.23) | 中性粒子ビーム加工 フィン幅6nm 従来比オン電流約6倍 | 220 |
| 2017年 2月号 | 電子多い電流で量子効果 大電流で量子効果 | NTTなど | 日経産業新聞 (2016年11月9日PP.8) | 量子コンピュータ 量子効果 超電導 物理現象 2枚のアルミニウムで酸化アルミを挟んだ約90nm厚のジョセフソン結合 | 120 |
| 2017年 2月号 | 折曲げ自由自在 テラヘルツ検出器 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2016年11月16日PP.25) 日経産業新聞 (2016年11月16日PP.8) | カーボンナノチューブ(CNT) 従来のCNTテラヘルツセンサと比べ感度50倍 | 210 |
| 2017年 1月号 | 600℃でも機能維持する不揮発性メモリー素子 600度でも記録保持 | 千葉工大など | 日刊工業新聞 (2016年10月17日PP.16) 日経産業新聞 (2016年10月27日PP.8) | 白金のナノギャップ構造を利用 二つの白金電極をナノレベルの間隔を隔てて並べた 半導体が動作しない高温環境下でも動作 | 230 |
| 2016年12月号 | 透明な強磁性体 電気機器への応用期待 | 電磁材料研 | 日経産業新聞 (2016年9月30日PP.12) | ナノグラニュラー膜 磁性体の透明度 | 120 |
| 2016年11月号 | シリコンナノ構造を活用した熱電変換素子 | 東北大など | 日刊工業新聞 (2016年8月22日PP.21) | 直径10nm以下 高さ30nm～100nmのシリコンナノワイヤを1平方cmあたり10の11乗個 既存の素子に比べ 安価で汎用性が高く 大幅な小型化も可能 | 210 250 |
| 2016年11月号 | 角状分子がつながる ナノ炭素材料開発 | NEC | 日刊工業新聞 (2016年7月1日PP.29) | カーボンナノブラシ 角状炭素分子がつながった繊維 電気を通しやすい | 120 |
| 2016年11月号 | 電子の移動 1個ずつ制御 シリコン単電子転送素子 電流再定義へ一歩 | NTT | 日経産業新聞 (2016年7月6日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年7月6日PP.23) | シリコン半導体素子 1GHz動作で10-6以下の転送エラー率 直径10nmのシリコン線上に2個のシリコントランジスタを配置した200nmの素子 | 220 660 |
| 2016年11月号 | 波長変えられる蛍光材料 カーボンナノチューブ応用 | 九大 | 日経産業新聞 (2016年7月11日PP.8) | 化学修飾する分子の長さで波長を自由に調整 | 250 |
| 2016年 9月号 | 超電導ナノワイヤで特異現象 http://www.keio.ac.jp/ja/press_release/2016/osa33qr000001r2pm.html | 慶大 物材機構 群馬大 | 日刊工業新聞 (2016年6月8日PP.21) | 超電導ナノワイヤ 超高感度光検出器 カーボンナノチューブ 量子位相スリップ 幅10nmのナノワイヤ 窒化ニオブ結晶 | 120 220 |
| 2016年 9月号 | 電圧で曲がる光ファイバー | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2016年6月20日PP.19) | ナノファイバ 光ファイバ アクチュエータ 圧力センサ 電圧100Vで4%膜厚増 -100Vで9%縮む | 210 240 250 |
| 2016年 9月号 | 量子情報光チップに道 http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/research/research_results/2016/160523_1.html | 京大 | 日刊工業新聞 (2016年5月20日PP.29) | フォトニック結晶 ナノ共振器 量子情報光チップ 光を数10ps以内に転送 | 120 220 |
| 2016年 6月号 | Q値 世界最高水準150万 光ナノ共振器大量作成 http://www.osakahu-u.ac.jp/info/publicity/release/2015/pr20160316.html | 大阪府大 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年3月17日PP.27) | Q値150万 光ナノ共振器 フォトリソグラフィ法 大量作成 | 240 160 |
| 2016年 6月号 | 有機半導体動作速度2倍 http://www.toray.co.jp/news/it_related/detail.html?key=DA8EA1B0DF6BA34349257f8000172E84?OpenDocument | 東レ | 日経産業新聞 (2016年3月24日PP.10) | 有機半導体 カーボンナノチューブ 動作速度2倍 フィルムに印刷 | 260 220 |
| 2016年 6月号 | 光の粒の波長変換 損失なく光子波長変換 http://www.ntt.co.jp/news2016/1603/160326a.html | NTT | 日本経済新聞 (2016年3月28日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年3月28日PP.26) | 量子情報通信 波長変換量約3nm 量子暗号通信 相互位相変調 | 240 220 |
| 2016年 4月号 | クリアで高効率な赤色蛍光体を開発 | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2016年1月11日PP.13) | 発光波長625nm | 酸化物系蛍光体材料 120 250 210 |
| 2016年 4月号 | 記憶性能2倍を実現する次世代不揮発メモリ技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年1月11日PP.13) | 19nmの素子サイズのスピントルク書き込み型磁気ランダムアクセスメモリーの実現 | 230 |
| 2016年 4月号 | 曲面上でも圧力計測 折り曲げても性能維持 http://www.t.utokyo.ac.jp/foe/press/setnws_2016012614100745 7986881185.html | 東大 | 日刊工業新聞 (2016年1月26日PP.25) 日経産業新聞 (2016年1月29日PP.8) | ナノファイバ フレキシブル 圧力センサ | 210 |
| 2016年 1月号 | 世界最小の磁性粒子 http://www.s.u-tokyo.ac.jp/press/9679/ | 東大 | 日刊工業新聞 (2015年10月7日PP.35) | ナノメートルサイズのハードフェライト磁石 粒子サイズ5n～40nm，8nmで，5Kエルステッドの保持力 低価格で大量生産可能 磁気テープやプリンター用磁性トナーへの応用 | 120 |
| 2016年 1月号 | 光の振動変える半導体 | ナノフォトニクス工学推進機構 | 日経産業新聞 (2015年10月29日PP.8) | 進行方向に向かって一定方向だけ振動する光(直線偏光)の角度を変える半導体。高速液晶に応用 LCDの10倍以上高速 光の振動方向 | 250 120 |
| 2015年12月号 | 光集積回路を作るための層間信号伝達技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2015年9月9日PP.23) | 厚み600nmの中間層を超えても減衰17% | 240 |
| 2015年11月号 | 薄膜でも特性劣化せず 強誘電体エピタキシャル膜 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150804eaab.html | 東工大 東北大 | 日刊工業新聞 (2015年8月4日PP.23) | 結晶方位がそろった単結晶膜 組成を変え薄膜を成長させる基材 15nm 強誘電体相400℃ | 120 160 |
| 2015年11月号 | 折り曲げ変形自在 柔らかいトランジスタ開発 トランジスタ 柔剛兼備 http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20150812/pr20150812.html | 鳥居・浜田・澤谷 | 産総研 (0年2015月8日PP.12) 13 (6年0月2015日PP.8) 26 (5年0月0日) | 19 | 衣類のように柔らかく 曲げたり伸ばしたりしても壊れないトランジスタを開発。単層カーボンナノチューブ イオンゲル シリコンゴム 医療用の人体圧力分布センサー開発 オンオフ比1万 220 210 |
| 2015年11月号 | 「フォトニック結晶ナノ光ファイバ」の二つの作製方法を開発 | 電通大 石原産業 | 日刊工業新聞 (2015年8月18日PP.17) | フェムト秒レーザを用いてナノファイバ自身に光共振器を形成 外部回折格子を接触させることで光共振器機能を組込む方法 光子機能を制御 | 240 260 |
| 2015年11月号 | 世界最短波長0.15ナノメートル 原子準位レーザ開発 http://www.uec.ac.jp/about/publicity/media_release/pdf/20150827.pdf | 電通大 理研 高輝度光科学研 東大 阪大 京大 | 日刊工業新聞 (2015年8月27日PP.33) | 波長従来比10分の1以下 0.15nm 世界最短波長の原子準位レーザを開発 | 250 |
| 2015年10月号 | 新ナノデバイス開発 もつれ電子対を離れた量子ドットに分離 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150702eabl.html | 理研，阪大，東大 | 日刊工業新聞 (2015年7月2日PP.21) | もつれ電子対 非局所性 量子ドット ナノデバイス | 140 |
| 2015年10月号 | 有機FET内部の電子状態を動作中に観測 | 東大，物材機構 | 日刊工業新聞 (2015年7月24日PP.33) | スプリング8，3次元走査型光電子顕微鏡装置，空間分解能70ナノメートル | 360 |
| 2015年 9月号 | ナノワイヤ型の量子ドットレーザを開発 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150630eaaf.html | 東大 | 日刊工業新聞 (2015年6月30日PP.21) | 世界最小となるナノワイヤ型の量子ドットレーザ，従来に比べ面積は1/100以下，直径290nmのガリウムヒ素製ナノワイヤ，特性温度133K，27℃でレーザ動作に成功 | 240 250 |
| 2015年 8月号 | 波長可変 広範に | 東北大 情報通信機構 | 日刊工業新聞 (2015年5月26日PP.25) | 1.2マイクロから1.244マイクロメートルの波長範囲 幅400ナノ 高さ220ナノの光導波路 | 250 |
| 2015年 8月号 | EUV露光用のレジストを開発 | EUVL基盤開発センター | 日経産業新聞 (2015年5月28日PP.1) | 波長13.5nmのEUVに高感度で反応 | 120 |
| 2015年 7月号 | 原子1個を判別可能な電子顕微鏡 | 日立 | 日経産業新聞 (2015年4月13日PP.13) | 分解能0.043nm 加速電圧120万ボルト 電子を高速の95%まで加速 | 360 |
| 2015年 5月号 | 固体蛍光体で最短波長の真空紫外光源 | 名工大 | 日刊工業新聞 (2015年2月10日PP.21) | 波長140～220nm 三フッ化マグネシウムカリウム薄膜 | 250 |
| 2015年 5月号 | カーボンナノチューブの透明導電膜 | 産総研 | 日経産業新聞 (2015年2月10日PP.8) 日刊工業新聞 (2015年2月10日PP.21) | 空気中で1000時間以上安定 表面抵抗率60オーム/スクエア CNTを網目のように配線，ヨウ化銅薄膜の表面にCNTを塗布して強力な光を照射，瞬間的に温度が上昇してヨウ化銅がNTの内部に入り込む | 120 |
| 2015年 5月号 | 量子ドット立体型ディスプレイ 各面に異なる画像表示 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150218eaaq.html | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2015年2月18日PP.19) | 直径5～10nmの微細構造セレン化カドミウム製の量子ドットをシリコン樹脂に混ぜた立方体を3次元配置 紫外光を当てると発行する量子ドットを使った立体ディスプレイ 面ごとに異なる画像を同時に表示 | 250 450 |
| 2015年 5月号 | 半導体線幅20nmに対応するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを開発 http://www.dnp.co.jp/news/10107733_2482.html | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2015年2月20日PP.6) | 微細な回路パターンをテンプレートに作製 紫外線硬化樹脂を利用 | 160 |
| 2015年 4月号 | 光で電圧が発生素子作製 | 東北大 日本原子力研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2015年1月14日PP.27) | 直径30ナノから90ナノメートルの金微粒子 磁性ガーネット 表面プラズモン共鳴 10mx5mmの素子 | 120 220 250 |
| 2015年 4月号 | SiC基板 低温プラズマで微細加工 | 理化学研究所 慶大 日進工具 | 日刊工業新聞 (2015年1月14日PP.27) | 表面粗さ1ナノメートル以下 送り速度2倍 | 160 |
| 2015年 4月号 | 白熱電球 効率2倍 | 阪大 | 日経産業新聞 (2015年1月28日PP.10) | フィラメントに大きさ数百ナノメートルの穴を多数空けた LEDに匹敵する効率を狙える | 250 |
| 2015年 3月号 | 1ナノ素子で微弱光伝送 東大 LSI配線に応用へ http://www.t.u-tokyo.ac.jp/epage/release/2014/2014112601.html | 東大 | 日経産業新聞 (2014年12月3日PP.10) | 電子の代わりに光を使うLSIを実現する可能性 | 220 |
| 2015年 3月号 | 貴金属を含まない電極 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2014年12月15日PP.13) | 3次元ナノ多孔質グラフェン | 120 |
| 2015年 3月号 | 「量子もつれ光子対」高速30倍で生成 http://www.nict.go.jp/press/2014/12/19-1.html | 情通機構，電通大 | 日刊工業新聞 (2014年12月22日PP.18) | 従来比3倍以上高速，1550nm付近の光ファイバ通信波長帯において2個の光子が特殊な相関を持ち結びつく，高速で安定性の高い周波数コム光源を内蔵した2.5GHzの駆動型レーザシステム | 240 |
| 2015年 2月号 | 近赤外光で細胞遠隔操作 | 産総研，東北大他 | 日刊工業新聞 (2014年11月20日PP.26) | 近赤外光で熱を発生させる角状炭素構造物「カーボンナノホーン(CNH)」と活性酸素を発生させる色素を組合せた複合体を合成，熱の発生公立が倍，細胞内へのカルシウム流量がCNHの14倍 | 120 |
| 2015年 2月号 | 多波長3次元カラー画像を瞬時に記録 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720141120eaai.html | 関西大 | 日刊工業新聞 (2014年11月20日PP.26) | ホログラフィーを利用して波長情報を選択的に分離・抽出，画像を重ね合せて撮影，空間約800nmの構造を可視化できる分解能，フェムト秒撮影 | 430 |
| 2015年 2月号 | アモルファス合金のナノワイヤによる磁気センサ | 東北大 | 日刊工業新聞 (2014年11月25日PP.15) | コバルトと鉄を50対50，直径100nm～3000nm，応答速度従来比1000倍以上 | 210 |
| 2015年 1月号 | 16ギガバイトNAND型フラッシュメモリー http://www.toshiba.co.jp/about/press/2014_10/pr_j0202.htm | 東芝 | 日刊工業新聞 (2014年10月3日PP.8) | 回路線幅15nmのNANDチップ搭載，従来比約26%小型化，スマートフォンやタブレット向け，コントローラ一体型 | 230 |
| 2015年 1月号 | 単電子転送の高速化 | NTT | 日刊工業新聞 (2014年10月7日PP.25) | 3.5GHで単電子転送，ナノメートル寸法で2層ゲート構造を持つシリコントランジスタをウエハーレベルで作成 | 120 220 |
| 2015年 1月号 | 真空より低い屈折率のメタマテリアルを開発 | 理研 国立大湾大 | 日刊工業新聞 (2014年10月27日PP.19) 日経産業新聞 (2014年10月28日PP.9) | 3次元構造，屈折率0.3～1.9，32.8Thzの電磁波に対して屈折率0.35，ナノメートル寸法の共振器アンテナ素子を大量集積 | 120 |
| 2015年 1月号 | 紙製のディスプレイ | 東大 | 日経産業新聞 (2014年10月29日PP.10) | 銀ナノ粒子のインク，温度で色が変わるインク | 250 |
| 2014年12月号 | バイオ技術で3D構造の量子ドットLED作製 | 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 | 日刊工業新聞 (2014年9月5日PP.19) | バイオ技術で3D構造，柱状の3次元量子ドット構造を20nm間隔で高密度に配列，発光波長760ナノメートル | 120 250 |
| 2014年12月号 | 高導電性を持ち光透過性40%の銅薄膜の開発 | 工学院大 | 日刊工業新聞 (2014年9月10日PP.1) | 膜厚40nm 常温常圧で溶液をガラス基板に塗布し熱処理で薄膜化する技術を開発。従来手法に比べ装置コストは1/200に。 | 120 260 |
| 2014年11月号 | 物質構造や化学的組成を分子レベルで解析する装置 | 堀場製作所 | 日経産業新聞 (2014年8月27日PP.3) | 分解能10nm ラマン分光器とAFMを組み合わせ TERS | 360 660 |
| 2014年11月号 | レアアース使わずに赤色LED照明を実現 | レンゴー | 日経産業新聞 (2014年8月29日PP.3) | 鉱物のゼオライトが入った水溶液に銀イオンを混ぜ 特殊な薬品を加えてろ過 約200度で乾燥 穴の大きさが0.4nmのA型ゼオライトを使用 | 250 |
| 2014年 9月号 | ガラス原料に化学品を分散させる技術の開発 | 日本板硝子 | 日経産業新聞 (2014年6月30日PP.15) | 製造で使用する溶液を独自開発しシリカ中に科学品を分散させる技術を開発 酸化チタンを分散した光拡散シートでは 従来の4～5倍の効果 径4μmのシリカ粒子に数十から数百nmの化学品を分散 | 160 |
| 2014年 8月号 | 低消費電力の光メモリーを開発 | NTT | 日本経済新聞 (2014年5月27日PP.15) | フォトニック結晶 光ナノ共振器 100bitを集積 | 120 230 |
| 2014年 7月号 | グラフェンナノリボン(GNR)を従来法比10倍の高効率で合成 | 京大 | 日刊工業新聞 (2014年4月9日PP.21) | ラジカル重合型化学気相成長法 3種類のGNRを合成可能 | 120 |
| 2014年 7月号 | 燃料電池の白金触媒を削減 | 九大 | 日経産業新聞 (2014年4月11日PP.10) | CNTの表面にPtを塗布 粒径1.2nmのPt微粒子 質量活性8倍に向上 | 150 160 120 |
| 2014年 7月号 | 高品質薄膜を低コストで作成 | 産総研 | 日経産業新聞 (2014年4月23日PP.10) | BaTiO3の場合220℃・20気圧・70時間で1辺15nmのサイコロ状微粒子 厚さ500nの薄膜 850度で1時間熱処理 誘電率3000 | 160 |
| 2014年 6月号 | 基板に塗布印刷可能な単層CNTコート剤 | 産総研 単層CNT融合新材料研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2014年3月5日PP.17) | スーパーグロース法 0.5重量%で溶媒に分散 膜厚を数百nm～数十μmで制御 最小線幅50μm | 120 |
| 2014年 5月号 | スピントロニクス活用で電池の寿命を延ばすMCU | 東北大 NEC | 日刊工業新聞 (2014年2月11日PP.13) | 不揮発レジスタの書き込み電力を削減 回路線幅90nmのCMOS回路と三端子MTJ素子を組み合わせたICチップ | 220 |
| 2014年 5月号 | 28Gbps伝送可能な60GHzミリ波無線機IC | 東工大 | 日刊工業新聞 (2014年2月12日PP.14) | ミキサファースト型IC 消費電力が送信機168mW・受信機155mW・発信器64mW 65nmのCMOSプロセス技術 60GHz帯 64QAM | 220 340 |
| 2014年 5月号 | GaN系量子ドットで室温単一光子源 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年2月13日PP.19) 日経産業新聞 (2014年2月13日PP.11) | 有機金属気相成長法(MOCVD)で直径50nm・高さ1.5μmのGaNナノワイヤを作製 通常の半導体製造技術で製造可能 | 120 160 |
| 2014年 5月号 | 化合物半導体ナノワイヤとSi光結晶混載で集積する技術 | NTT | 日刊工業新聞 (2014年2月21日PP.17) | 直径90nmのインジウム・ヒ素・リンによる化合物半導体 人工的なSi光結晶中の幅約150nmの溝に載せる Siチップ上に化合物半導体素子を混載 | 120 |
| 2014年 5月号 | 低消費電力のSRAM | 東芝 ルネサスエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2014年2月12日PP.7) | 配線幅65nm 消費電力1/100 | 230 |
| 2014年 4月号 | マイクロ波帯の小型発振器 | 産総研 キヤノンアネルバ 大阪大 | 日経産業新聞 (2014年1月9日PP.11) 日刊工業新聞 (2014年1月9日PP.21) | ナノコンタクト型スピントルク発振素子 振動子を100nm以下で作成 | 240 |
| 2014年 4月号 | 電子の動きを観察 | 北大 筑波大 | 日経産業新聞 (2014年1月22日PP.6) | プラズモニック太陽電池 nmオーダのAu微粒子 | 250 |
| 2014年 4月号 | ペンタセンの単結晶化で高いエネルギー変換効率を実現 | 京都工繊大 英ケンブリッジ大 | 日刊工業新聞 (2014年1月29日PP.21) | 物理気相成長(PVD)装置を使用 励起子の拡散長は350nm-700nm | 150 |
| 2014年 4月号 | 製造コスト1/100の赤外線カメラ | 東大 | 日経産業新聞 (2014年1月31日PP.15) | 1200nmの波長を効率よく取り込む | 310 210 |
| 2014年 3月号 | 低消費電力の書き換え可能な20nm素子 | 東北大 京大 | 日経産業新聞 (2013年12月11日PP.6) 日刊工業新聞 (2013年12月27日PP.13) | 線幅20nm 磁性体にCo・Fe・Bを混ぜたものを使用 書き換え消費電力が数フェムトジュール | 230 |
| 2014年 3月号 | グラフェンで幅20nmの微細配線 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年12月13日PP.27) | 電気抵抗率は最低4.1μmΩcm 断線しにくい サファイア基板上に約1000℃7-15層のグラフェンを合成 銅配線なみの抵抗率 | 160 120 |
| 2014年 3月号 | 単層CNTの量産技術 ・1と合わせる | 産総研 名城ナノカーボン | 日刊工業新聞 (2013年12月26日PP.15) | φ1～4nm 「eDIPS法」 従来の100倍速 | 160 120 |
| 2014年 2月号 | 市販プリンタで電子回路を印刷 | 東大 英MSリサーチ 米ジョージア工大 | 日経産業新聞 (2013年11月7日PP.11) 日刊工業新聞 (2013年11月8日PP.25) | 化学焼結銀ナノ粒子インク 印刷後の加熱不要 | 320 330 360 |
| 2014年 2月号 | 効率80%超のナノワイヤ単一光子検出器 | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2013年11月8日PP.25) | 酸化膜をもつSi基板 10nm厚の超電導窒化ニオブのナノワイヤ ジッタ68ps | 210 |
| 2014年 2月号 | 光子の進み方を揃える量子コンピュータ向け技術 | NTT | 日経産業新聞 (2013年11月13日PP.6) 日刊工業新聞 (2013年11月13日PP.23) | 量子ビットのタイミングを合わせる Si製光導波路 φ210nmの穴を400個 22～55℃で調製 | 120 |
| 2014年 2月号 | 変換効率の高い量子ドット太陽電池 | 東大 | 日経産業新聞 (2013年11月18日PP.11) | φ20～30nmの粒子 1兆個/cm2 試作品5.5mm格で変換効率15% | 250 |
| 2014年 2月号 | 触媒使用率を減らせる剣山型構造 | 理研 九大 | 日経産業新聞 (2013年11月25日PP.10) | 触媒量を数万分の一 φ100nm 長さ数μm Pd粒子を付着 0.49ppmで反応 | 260 |
| 2014年 1月号 | 高感度なスピントルクダイオード | 阪大 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年10月21日PP.16) | 磁気トンネル接合素子 半導体ダイオードの3倍感度 ナノサイズ磁石利用 非線形効果 | 220 |
| 2014年 1月号 | 太陽電池の感度高める新構造 | 理研 東大 | 日経産業新聞 (2013年10月24日PP.11) | 有機薄膜太陽電池 1nm厚の絶縁層を追加 効率0.4%から0.53%に | 250 |
| 2014年 1月号 | 市販試薬で3D炭素ナノ分子を合成 | 京大 | 日刊工業新聞 (2013年10月30日PP.23) | 6個の炭素原子からなるベンゼン環 有機分子の3次元構造の精密制御 有機エレ材料に活用 | |
| 2013年12月号 | 炭素繊維表面にグラフェン被膜 | インキュベーション・アライアンス | 日刊工業新聞 (2013年9月6日PP.10) | 独自の高速科学気相成長法で，半焼き状態の樹脂有機物を炭化する際に発生する水素などが原料，直径1～50μm，グラフェンの厚さ1～2nmの繊維 | 120 |
| 2013年12月号 | 変換効率7.34%の有機太陽電池用材料 12と一つに | 阪大 ダイキン工業 | 電波新聞 (2013年9月18日PP.1) | フラーレン 性能10倍に ナノチューブ活用 乾かさず細胞解析 | 120 250 |
| 2013年12月号 | 近接場光を用いた光学顕微鏡 | 日立 | 日経産業新聞 (2013年9月18日PP.7) | 分解能3nm 直径4nmのCNTから近接場光を出す | 360 |
| 2013年12月号 | 有機半導体を微細加工する露光技術など | 富士フイルム ベルギーImec | 日経産業新聞 (2013年9月27日PP.9) | 線幅0.5μmまで加工 非フッ素系レジスト 365nmのi線による露光技術により製造 | 160 260 |
| 2013年11月号 | 薄膜中のスピン方向検出技術 | 日本原子力機構 千葉大 高エネ研 | 日経産業新聞 (2013年8月5日PP.11) | 表面から2nmまでX線照射し放出電子を解析 | 120 660 |
| 2013年11月号 | 電導性優れるCNT | 信州大 | 日刊工業新聞 (2013年8月13日PP.15) | 電気を通す線上の結晶性硫黄原子鎖を1nm程度の円筒空間中に作製 | 120 220 |
| 2013年11月号 | 電極に炭素材料を使ったキャパシタ | 豊橋技科大 湘南合成樹脂製作所 | 日経産業新聞 (2013年8月28日PP.6) | カーボンナノバルーン100mV/sの電圧で電極1g当たり13ファラド | 220 150 |
| 2013年10月号 | 幅広い波長の光を吸収させる太陽電池用素材 | 東大 | 日経産業新聞 (2013年7月4日PP.11) | 直径0.5～1μmの量子ドット Cd-SeとZnOの5nm微粒子を樹脂で固め青・緑色レーザ光を照射。近接場光。紫外光は波長を伸ばし 赤外光は縮める波長変換効果を確認 | 120 250 |
| 2013年10月号 | 量子ドットでCNTの発光効率18倍に高める | 京大 東大 | 日刊工業新聞 (2013年7月8日PP.15) | 光励起 幅1nm長さ100nm 励起子がCNT線上で動く速度は100ps CNTの壁に酸素分子埋め込み励起子が端部や欠陥部から逃がさず発光させる | 120 250 |
| 2013年10月号 | 大容量HD向けナノパターンを高速生産 | 素形材センタ 明昌機工 東北大 | 日経産業新聞 (2013年7月11日PP.11) | 微細構造 レーザ光で加熱 φ25nmパターンを45nmピッチで作成 従来の15倍高速 | 230 |
| 2013年10月号 | 湾曲した”うねり構造”の炭素ナノ分子 | 名大 | 日刊工業新聞 (2013年7月15日PP.11) | ワープド・ナノグラフェン 第4のナノカーボン 7角形構造と5角形構造が集積配置 緑色に発光 | 120 |
| 2013年10月号 | ナノサイズの分子運動を3D観測 | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年7月22日PP.19) | SEM Au粒子で標識 試料の周りを水溶液で包む | 360 |
| 2013年10月号 | 導電性の高い透明な紙 | 阪大 | 日経産業新聞 (2013年7月25日PP.11) | 折りたたみ可能 φ15nmのセルロース繊維 Agナノワイヤを貼り付け | 120 |
| 2013年10月号 | 量子暗号通信向けの小型光源 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2013年7月31日PP.6) | 量子もつれ光子 AlGaAs薄膜にGaAs量子ドット 一辺15nm厚さ1.5nmの三角形 | 250 |
| 2013年 9月号 | 変換効率2倍の太陽電池 | 北大 大阪府立大 | 日経産業新聞 (2013年6月3日PP.11) | 金微粒子 カーボンナノチューブ φ数十nmのAu微粒子2個でφ1nmのCNTを挟む 波長785nmの光で実験 | 250 |
| 2013年 9月号 | 0.37V動作のトランジスタを採用したロジックIC | 超低電圧デバイス技術研究組合 NEDO | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) 日経産業新聞 (2013年6月11日PP.9) | SOTBトランジスタを用いたSRAM シリコン基板上に厚さ10nmの絶縁膜・その上に電極 SOTB 最小電圧0.37Vの演算用LSI | 220 230 |
| 2013年 9月号 | 多値構造セルでMROM高速化 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2013年6月13日PP.21) | 1セル当たり2ビットの多値構造 40nm世代CMOSプロセスで試作 | 230 |
| 2013年 9月号 | 磁化の向きを電圧で高効率制御 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年6月24日PP.14) | スピントロニクス 1.5nmの金属磁石層 MgOの絶縁層で挟んだ構造 | 230 |
| 2013年 8月号 | ナノ粒子で紫外線を捕集 | 北大 | 日経産業新聞 (2013年5月8日PP.7) | 太陽電池の効率向上 光を当てると電子発生 | 250 |
| 2013年 8月号 | アルミ(Al)微粒子を使ったLED | 京大 | 日経産業新聞 (2013年5月13日PP.11) | 青色光を受けて赤色光を励起する色素を含む樹脂の層とガラス基板の間に直径140nmの円柱型Al微粒子を多数埋め込んだシートを挟んだ | 250 |
| 2013年 8月号 | ナノアンテナでLEDの発光強度を増強 | 京大 蘭AMOLF研 フィリップス研 | 日刊工業新聞 (2013年5月16日PP.21) | ガラス基板上に金属Al粒子の周期構造を作製し650nmのポリマー膜を塗布 | 150 250 |
| 2013年 8月号 | 光を使わずレーザ発振 | 国立情報学研 | 日経産業新聞 (2013年5月29日PP.1) | 「励起子」 消費電力1/100 800nmの電磁波をあてる | 240 |
| 2013年 7月号 | 生きたままの昆虫を電子顕微鏡で観察可能に | 浜松医科大 | 日経産業新聞 (2013年4月16日PP.9) | 「ナノスーツ」 50～100nm厚の薄膜で覆う | 360 660 |
| 2013年 7月号 | 積層型Si太陽電池の吸収率向上 | 東工大 | 日経産業新聞 (2013年4月22日PP.11) | AuやAgの微粒子を塗布 粒子径10～45nm 効率2～3ポイント向上 | 250 |
| 2013年 7月号 | ナノワイヤを効率的に作る手法 | 北大 物材機構 | 日刊工業新聞 (2013年4月25日PP.28) | 10～20nmの幅の線維状構造物に触媒になる物質を結合 アミロイドペプチド SCAP法 | 120 |
| 2013年 7月号 | 合金微粒子含むナノ炭素 | 京大 | 日経産業新聞 (2013年4月24日PP.6) | パラジウム 白金 カーボンナノホーン | 120 |
| 2013年 7月号 | CNTから陽子ビーム | 阪大 中部大 | 日刊工業新聞 (2013年4月25日PP.28) | ナノチューブ内部に水素化合物を充填し強力なレーザを照射 | 160 |
| 2013年 6月号 | 4波長Si集積レーザ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2013年3月21日PP.13) | シリコンフォトニクス 反射ミラーによる波長選択 光増幅素子をSi上に0.5μmで貼り合わせた 波長間隔12±0.5nmの4波長を+5dBmで生成 | 240 |
| 2013年 5月号 | 液晶の色むら抑制 | 東洋紡 慶応大 | 日刊工業新聞 (2013年2月6日PP.11) 20 (0年0月0日) | 液晶ディスプレイの色むらを抑えるポリエステルフィルム 従来フィルムの最大1/10となる10 | 000nmに抑える 250 |
| 2013年 5月号 | 単純構造で製造容易なレーザ素子 | 産総研 | 日経産業新聞 (2013年2月15日PP.10) | ランダムレーザ 平均粒径約212nm のZnO微粒子 厚さ100μmに成膜 380nm波長でレーザ発振 ZnOなどでできた膜が光源 | 250 |
| 2013年 4月号 | ナノ分子をコマ状に回転 | 東北大 | 日経産業新聞 (2013年1月9日PP.7) | フラーレン CNT 外径2nmで内径1nm | 120 |
| 2013年 4月号 | 10nmサイズの光信号制御用技術 | NTT 東工大 | 日経産業新聞 (2013年1月16日PP.6) | グラフェン プラズモンの伝わる速さを制御 光信号のオンオフ LSI消費電力を1/100に | 120 |
| 2013年 4月号 | 短時間で鏡から透明へ変化する調光ミラーシート | 産総研 | 日経産業新聞 (2013年1月24日PP.11) | Mg合金とPdの薄膜 370x260mm角で切替え時間5秒 従来比6倍高速 透過率60% 厚さ100nm以下 | 250 |
| 2013年 4月号 | 持ち運び型燃料電池 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年1月29日PP.29) | 液化石油ガス(LPG)，カセットボンベで発電，ナノサイズの酸化セリウム，出力50Wの電気を24時間維持 | 250 |
| 2013年 3月号 | LSI集積度を100倍以上高める技術 | 東大 理研 | 日経産業新聞 (2012年12月11日PP.9) | 原子3個分のMoS2薄膜 0.6nm厚 トランジスタ | 120 220 |
| 2013年 3月号 | 低消費電力のSTT-MRAM | 東芝 | 日刊工業新聞 (2012年12月11日PP.25) | 不揮発性磁性体メモリ 垂直磁化方式 30nmプロセス 待機電力を従来比1/10に低減 | 230 |
| 2013年 3月号 | カーボンナノグラフェンを常温高速合成 | 名大 | 日刊工業新聞 (2012年12月18日PP.16) | アルコール液とプラズマ放電 合成スピードがエタノール100mlで0.61mg/min・ブタノール100mlで1.7mg/min CVD法 | 160 |
| 2013年 3月号 | EUV利用のフォトマスク欠陥検査装置 | 東北大 EUVL基盤開発センター | 日経産業新聞 (2012年12月19日PP.7) | 13.5nm波長のEUV光 解析能力30nm 16nm世代パターン観察に適用可能 | 160 360 |
| 2013年 2月号 | 安価な各色対応LED蛍光体 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2012年11月2日PP.8) | Ge微粒子 粒径1～12nmで波長350～1280nmを発光 紫外LEDの蛍光体 | 250 |
| 2013年 2月号 | 長寿命の深紫外線LED | 日機装 | 日経産業新聞 (2012年11月2日PP.1) | 波長255～250nm 寿命は約1万時間 窒化ガリウム(GaN) アルミニウム(Al) | 250 |
| 2013年 2月号 | エレクトロクロミック素子の印刷製造法 | 産総研 東和製作所 関東化学 | 日経産業新聞 (2012年11月21日PP.7) 日刊工業新聞 (2012年11月21日PP.23) | ナノ粒子インク +0.4～-0.4Vで青色から透明に変化 スプレー印刷とスクリーン印刷の組合せ 化学反応 インク 電子ペーパ 調光ガラス 酸化還元反応 プルシアンブルー | 160 250 |
| 2013年 1月号 | 膜厚10nmの金属酸化膜トランジスタ | 物材機構 理研 | 日刊工業新聞 (2012年10月18日PP.24) | 酸化タングステン(W2O3) 100℃で成膜が可能 | 120 220 |
| 2013年 1月号 | 銀微粒子で太陽電池の効率向上 | 大日本塗料 三菱マテリアル 九大 | 日経産業新聞 (2012年10月26日PP.9) | 表面プラズモン共鳴 一辺20～100nm 厚さ10nmの三角形板状粒子 | 250 |
| 2012年12月号 | 太陽光から効率よくレーザ光に変換できる材料 | 北大 | 日刊工業新聞 (2012年9月24日PP.23) | CaとYとAlの酸化物の結晶にCrとNdを混ぜたもの 浮遊帯溶融 500nm付近で吸収大 | 150 120 250 |
| 2012年11月号 | 化合物型太陽電池の効率向上 | 東大 | 日経産業新聞 (2012年8月8日PP.9) | InGaAsとGaAsPの400nm薄膜結晶層 25.2%の変換効率 幅3～5μmの微細なギザギザ構造 | 250 |
| 2012年11月号 | スピンの向きを微小電流で制御 | 理研 東大 物材機構 | 日刊工業新聞 (2012年8月8日PP.19) 日経産業新聞 (2012年8月23日PP.11) | FeGe化合物 -23～-3℃かつ150mT磁界 φ70nmのスキルミオンの結晶を観察 スピンの渦巻きを形成 5A/cm2で渦巻きが動く 縦165μm 横100μm 厚さ100nm～30μmの超小型素子 | 120 |
| 2012年11月号 | 10兆分の1秒の高速撮影が可能な3次元計測システム | 京都工繊大 千葉大 | 日刊工業新聞 (2012年8月20日PP.16) | ディジタルホログラフィ 光源にフェムト秒パルスレーザを使用 中心波長800nmに対応し 画素ごとに独立させた偏光素子をカメラに搭載 | 430 660 |
| 2012年11月号 | 炭素・水素原子でカゴ状分子 | 名大 産総研 | 日経産業新聞 (2012年8月28日PP.9) | 半導体の性質 青色光を出す 内側に他の分子・原子を取り込める C120個・H78個で構成 直径2nmで内側に1.8nmの空間 | 120 |
| 2012年10月号 | プローブを使った半導体描画技術 | 東芝 技術研究組合BEANS研究所 東大 | 日刊工業新聞 (2012年7月10日PP.23) | 回路線幅50nmの微細加工が可能 プローブの先端に庇部と接触部を設けた新構造 | 260 360 |
| 2012年10月号 | イリジウム錯体をナノサイズの穴で一つずつ合成 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2012年7月18日PP.19) | 1.3nmの穴を無数にもつゼオライトにIrイオンと配位子を導入しマイクロ波を当てて作成 配位子「ppy」で緑色 配位子「dfppy」で青色に発光 リン光 | 150 |
| 2012年10月号 | 1000℃までの熱を電気に変換する素材 | 物材機構 東北大 | 日経産業新聞 (2012年7月27日PP.10) | ホウ素(B)に微量のAl Yを加えた材料 B原子で構成する直径0.5nm球状分子が立体的に積み重なり 球と球の隙間にAlとYが入る n型p型2種類の半導体の温度差で電気が発生 | 120 |
| 2012年 9月号 | Co薄膜によるメモリー技術 | 京大 | 日経産業新聞 (2012年6月7日PP.11) | 磁壁 数10nm～数100nm 磁壁移動によりメモリー記録 | 130 |
| 2012年 9月号 | 純緑色レーザー | ソニー 住友電工 | 日刊工業新聞 (2012年6月22日PP.8) 日経産業新聞 (2012年6月22日PP.4) | GaN結晶を斜めに切った基板 発振波長530nm 光出力100mW 輝度2倍 | 250 |
| 2012年 9月号 | 低コストの青色発光性ナノカプセル | 東工大 | 日刊工業新聞 (2012年6月26日PP.1) | Pd不使用 外形2nm以下のカプセル 発光効率80% | 250 |
| 2012年 8月号 | p型Geに磁性体のスピン情報を室温で入力 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年5月16日PP.20) 160 (0年0月0日) | p型のGe | Fe 厚さ2nmのMgOを積層した電極を作成し スピン情報をFeからGeへ入力 ハンル効果 スピン情報80nm 120 220 |
| 2012年 8月号 | 高密度な酸化チタンメソ結晶 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2012年5月24日PP.21) | 直径30nm～40nmの粒子の集合体 一辺3～5μm・厚さ約100nmのシート状の構造 酸化チタンナノ結晶の超構造体 | 150 |
| 2012年 8月号 | 太陽電池用Si薄膜の新製造法 | 東京農工大 | 日経産業新聞 (2012年5月29日PP.9) | Siイオンを堆積 厚さ10nmのアモルファスSi 塩化シリコン(SiCl4) 液体中で成膜 | 160 |
| 2012年 7月号 | 光照射でガラス表面研磨 | 東大 シグマ光器 | 日経産業新聞 (2012年4月10日PP.9) | 近接場光 表面凹凸3.5nm以下 HDD向け | 160 |
| 2012年 7月号 | 円筒液晶に強誘電性 | 東大 東工大 | 日刊工業新聞 (2012年4月13日PP.20) | 直径4.5nmの円筒形状の液晶であるカラム構造 カラム単位で強誘電性を持たせることに世界で初めて成功 | 230 |
| 2012年 7月号 | CNT製トランジスタの印刷技術 | 単層CNT融合新素材研究開発機構 産総研 NEC | 日刊工業新聞 (2012年4月19日PP.17) 日経産業新聞 (2012年4月20日PP.10) | 半導体型ナノチューブ プラスチックフィルムに印刷 出力電流のばらつき30% 印刷面にあらかじめ単分子膜を形成しインクの吸着を促進 インクに純度95%以上の半導体型ナノチューブを使用 | 220 260 |
| 2012年 7月号 | 磁束が超電導細線を透過する新現象 | 理研 NEC | 日経産業新聞 (2012年4月19日PP.11) 日刊工業新聞 (2012年4月24日PP.23) | 酸化インジウム 量子ビット マイクロ波 コヒーレント量子位相スリップ(CQPS)効果 幅35nmのInOを仕切りとして置き 微弱な磁場を加えながらマイクロ波を当てる 電流標準 | 120 220 |
| 2012年 7月号 | 大画面有機EL向け発光材 | 山梨大 日本化学工業 | 日経産業新聞 (2012年4月23日PP.11) | 長さ数nmの分子 印刷技術を応用 | 250 |
| 2012年 6月号 | レアメタル使用量を半減したディスプレイ用透明電極材 | 東北大 三井金属 | 日経産業新聞 (2012年3月1日PP.11) | ITO(酸化InSn)を50%含有に削減 150nm厚で抵抗率270 既存材料と2層構造 スパッタリングターゲット | 120 150 |
| 2012年 6月号 | 低コストなグラフェン作製技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2012年3月19日PP.11) | 直径3nm・長さ20nmの円柱状のTiO2微粒子を利用 油に溶ける性質を付加可能 酸化グラフェンに超音波を30分当てた後紫外線照射 | 120 160 |
| 2012年 6月号 | 丈夫な超電導ナノワイヤ | 物材機構 東工大 | 日刊工業新聞 (2012年3月21日PP.15) | FeとAs・Ca等を原料 直径1μm以下のひげ状 -240℃で超電導状態 ワイヤ形状は0.2μm～0.5μm 長さ0.1mm～2mm 合金に近い性質 曲げても壊れない 反応ガスなどを輸送する大型機器が不要 | 120 |
| 2012年 5月号 | 画面の光反射率0.4%以下のフィルム | 旭化成 | 日経産業新聞 (2012年2月3日PP.1) | 反射防止フィルム ナノインプリント 幅数百nmの凹凸 | 150 160 |
| 2012年 5月号 | 高集積型の電子素子 | 産総研 東大 | 日経産業新聞 (2012年2月9日PP.11) | 強相関電子材料 CaMnO3を使った素子 10nm以下の微細加工でも高性能を維持 Caの一部をCeに置換 2mm四方のトランジスタを試作 | 220 120 |
| 2012年 5月号 | 裸眼3次元画像の広角度表示技術 | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2012年2月16日PP.19) | Fe-Tbの垂直磁化膜 厚さ数十nm 左右15°の視野で裸眼閲覧可能 FeとTbの合金による磁性薄膜とnmサイズの光メモリー用磁気記録ビットを再生画素に利用 | 450 250 |
| 2012年 5月号 | スーパハイビジョン対応復号LSIを試作 | 早大 | 日刊工業新聞 (2012年2月20日PP.17) | 7680×4320×60fps H.264/AVCハイプロファイル 65nm CMOS 消費電力410mW | 220 |
| 2012年 5月号 | 赤外線で画像を表示できる材料 | 東大 | 日刊工業新聞 (2012年2月23日PP.19) | 波長1300nmまでの光を表示可能 TiO2の上で直径数十nm 長さ数十～数百nmの棒状のAgナノ粒子を成長させる | 150 160 |
| 2012年 5月号 | ビットパターンを応用したHD大容量化技術 | 東北大 日立 東芝 富士電機 | 日経産業新聞 (2012年2月24日PP.10) | 5Tb/in2 直径17nmの磁性粒子が規則的に並ぶ | 230 260 |
| 2012年 4月号 | 超電導状態になる炭素繊維 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2012年1月5日PP.11) | 5Kで1cm2あたり200万Aの電流を流せる 合成条件によって直径90nm～1μm 長さ3μm～数mm フラーレン | 120 220 |
| 2012年 4月号 | 光照射で磁石化する新材料 | 東大 | 日経産業新聞 (2012年1月12日PP.11) | Co・W・ピリミジンを組み合わせた材料 -225℃以下で波長785nmの光を当てると強い磁石になる 保持力27kOeで光ディスク材料の9倍 | 120 |
| 2012年 4月号 | 小型で高速変調可能な緑色レーザ | QDレーザ 東大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2012年1月20日PP.25) | 波長532nm 純緑色レーザモジュール 容積0.5cc 出力100mW 100MHzで変調可能 | 250 |
| 2012年 4月号 | 単層CNTの色を電圧で制御 | 首都大 | 日経産業新聞 (2012年1月31日PP.1) | 10mm×10mm×数百nm厚 -3V印加で青から黄に変化 1000回繰り返し可能 CNT薄膜を水溶液に入れて電圧を加え変色 | 150 120 |
| 2012年 3月号 | ダイヤ分子結晶の紫外線発光技術 | 東工大 米スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2011年12月6日PP.10) | 波長230nm以下の紫外線を当てて300nmの紫外線を出す 面発光が可能になる | 120 150 |
| 2012年 3月号 | 再構成可能LSI向け配線スイッチ | 超低電圧デバイス技術研究組合 | 日刊工業新聞 (2011年12月8日PP.18) | 10～50nm スイッチ素子を3端子で構成 | 220 |
| 2012年 3月号 | 3層CNTを使ったレアメタル不要なリチウム電池 | 東大 米マサチューセッツ工科大 | 日経産業新聞 (2011年12月9日PP.10) | 正極に3層構造のナノチューブ 表面をカルボニル基で化学修飾 電圧1.5～4.5V 1000回以上充放電可能 | 120 250 |
| 2012年 3月号 | 波長1～1.3μmのレーザ光発振素子 | 情通機構 光伸工学工業 セブンシックス | 日経産業新聞 (2011年12月15日PP.11) | InAs製高さ4～6nmの量子ドットを素子に埋め込む 直径125μm 数百nmの穴を30から百数十個開けた石英ガラス製光ファイバを使用 | 140 240 250 |
| 2012年 3月号 | 高精度の圧縮材料を高速・高精度で制御 | 高輝度光センター | 日経産業新聞 (2011年12月20日PP.10) | MEMSの動作精度誤差1/10 3nmの凹凸 Si基板上にチタン酸ジルコン酸鉛 200ns | 250 150 |
| 2012年 3月号 | CNTをフィルム基板上に200℃で合成 | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2011年12月21日PP.25) | CVD法 ポリイミドフィルム グラフェン層でニッケルを包んだ特殊な触媒微粒子 アンモニアプラズマ アンモニアとメタンの混合ガス 直径10～50nm 長さ1μm以上 | 120 160 |
| 2012年 3月号 | 直径25nmの高分子ワイヤ作製 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年12月23日PP.13) | レーザ照射 ナノ材料を混合し機能性持たせる 長さ20μm | 160 |
| 2012年 3月号 | フラーレンナノウィスカー(FNW)を超電導体に | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年12月28日PP.16) | しなやかで軽い新しい超電導素材の開発 平均長さ4.4μm 平均直径0.5μm FNWにカリウムを加え200℃で1日加熱 | 120 160 |
| 2012年 2月号 | 磁気素子の構造を簡素化して記録密度を向上したHDD | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年11月1日PP.10) | 厚さ2nmの銀薄膜を厚さ4nmのホイスラー合金薄膜で挟んだ3層構造 5Tb/in2 6層以上必要だった薄膜を3層に減らせる 厚さ10nm ホイスラー合金 | 230 120 |
| 2012年 2月号 | ナノ構造体を利用した高効率シリコン太陽電池 | 東北大 | 日経産業新聞 (2011年11月1日PP.10) | 基礎実験で変換効率が2%向上 量子ドットとフォトニック結晶を利用 ウェットエッチング | 250 |
| 2012年 2月号 | 70nm分解能で角度分解測定 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年11月25日PP.23) | 放射光3次元ナノECSA | 360 |
| 2012年 1月号 | 電気の流れやすさ3倍のCNT | 早大 アルプス電気 | 日経産業新聞 (2011年10月4日PP.9) | 直径1.4nmの単層CNT テトラフルオロ・テトラシアノ・キノジメタンと呼ばれる有機分子の溶液を滴下して吸着 電気抵抗が62.5%減少 | 120 |
| 2011年12月号 | 導電率30のゴム | 単層CNT融合新材料研究開発機構 | 日経産業新聞 (2011年9月9日PP.10) | CNT | φ3nm 長さ数100μm 2倍に延ばしても導電性維持 120 |
| 2011年11月号 | たんぱくでナノ粒子3次元配置 | 奈良先端大 | 日刊工業新聞 (2011年8月8日PP.15) | たんぱく質を使うバイオ技術で作製した高密度の均一なナノ粒子を含む3次元の蓄積電極メモリーを動作 | 130 |
| 2011年11月号 | CNTに通電し温度変化測定 | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2011年8月10日PP.15) 日経産業新聞 (2011年8月11日PP.12) | 外形130nm 管の厚さ5nm 長さ3.1nmのCNT 655℃で昇華するZnS | 660 |
| 2011年11月号 | グラフェンを化学合成する手法 | 名大 | 日経産業新聞 (2011年8月16日PP.5) | クロスカップリング反応 ナノグラフェン パラジウムを含む触媒 ジグザグ型 | 120 |
| 2011年11月号 | 生きた細胞観察が可能な新型顕微鏡 | 原子力機構 奈良女子大 | 日経産業新聞 (2011年8月18日PP.12) | 分解能90nm 軟X線 波長数nm 20nm厚の金の薄膜で集光 | 360 |
| 2011年11月号 | 加工分解能数nmの光リソグラフィ | 北大 | 日刊工業新聞 (2011年8月29日PP.21) | プラズモンリソグラフィ 金や銀などの金属ナノ構造体が光と相互作用 金赤外光を露光用の光源に使用 | 160 |
| 2011年10月号 | 光ディスク容量を2倍にする技術 | 日立 | 日刊工業新聞 (2011年7月20日PP.29) | 多値化技術 ニオブ酸リチウム材料 マイクロホログラム 位相多値記録再生方式 20nmの記録マーク | 230 |
| 2011年10月号 | 消費電力ほぼ0の半導体素子 | 東大 NTT | 日本経済新聞 (2011年7月25日PP.11) | 100nmの量子ドットにスピンを閉じ込めた構造 わずかな電圧でスピンを制御 | 220 |
| 2011年10月号 | 有機薄膜太陽電池向け高分子材料 | 東大 住友化学 | 日刊工業新聞 (2011年7月26日PP.31) | 発生電流24mA/cm2 800～1000nm波長を電流に変換可能 変換効率4.8% | 250 150 |
| 2011年 9月号 | 低消費電力のDRAM | エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2011年6月15日PP.1) | High-Kメタルゲート技術 40nmプロセス 絶縁膜にハフニウム 電極にTiを使用 | 230 160 |
| 2011年 9月号 | 変換効率30%超のSi太陽電池 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2011年6月21日PP.1) | 量子ドット型 Si基板上に円盤状の量子ドットを形成する 直径10nm以下のSi量子ドットとSiCを中間層に組み合わせてをミニバンドを形成 タンパク質に鉄の微粒子を含ませ規則正しい構造を作る | 250 160 |
| 2011年 9月号 | 高効率の色素増感型太陽電池 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年6月22日PP.1) | 変換効率11.3% 4mm角の試作セル ブラックダイを改良し波長700nm以上の光を吸収 | 250 |
| 2011年 9月号 | 記憶も忘却もする新素子 | 物材機構 米カリフォルニア大ロサンゼルス校 | 日経産業新聞 (2011年6月27日PP.9) | イオンや原子の動きを制御して働く原子スイッチを応用したシナプス素子 素子サイズ縦横50nm 電極間1nmの隙間 僅かな電圧操作で材料のAg2Sから銀原子が析出し隙間の接続強度を調節 | 120 230 |
| 2011年 8月号 | 60GHz帯ミリ波無線機 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2011年5月3日PP.12) | 11Gbps 16QAM変調に対応したダイレクトコンバージョン型無線機 65nmCMOSプロセスで試作 | 340 |
| 2011年 8月号 | 導電・絶縁切替可能な液晶素子 | 山梨大 パイオニア | 日経産業新聞 (2011年5月19日PP.11) | 導電性液晶の層(厚さ200nm)をAl電極層とITO電極層で挟んだ構造 電圧を加えずに瞬間加熱200℃で導電性になる 10～30Vの電圧を加えて瞬間加熱で絶縁性になる | 230 250 120 |
| 2011年 7月号 | 白色光でカラー再生できる3次元ホログラム | 理研 阪大 | 日刊工業新聞 (2011年4月8日PP.19) | 厚さ55nmのAg薄膜 薄膜の波を打ったような細かい模様で光の場が回折 薄膜の両面はガラスコーティング 全体の厚さは1mm ホログラムの大きさ38mm×26mm | 430 250 450 |
| 2011年 7月号 | 待機電力1/100の無線LAN対応LSI | 東芝 | 日刊工業新聞 (2011年4月21日PP.21) | 90nmのCMOSプロセスで試作したLSIで待機電力7μW LSI全体の消費電力を35.2mWから0.28mWへ削減 | 120 |
| 2011年 7月号 | 光の干渉で着色できるレーザ加工技術 | フェトン 神奈川県産業技術センター 東工大 | 日刊工業新聞 (2011年4月27日PP.1) | 周期構造を形成 間隔500～800nmで制御 300m/分で加工する 近赤外線レーザと緑色レーザを当てnmサイズの周期構造を連続加工 | 160 250 260 460 |
| 2011年 6月号 | 高出力LED製造技術 | 名大 エルシード | 日経産業新聞 (2011年3月3日PP.11) 日刊工業新聞 (2011年3月25日PP.28) | モスアイ構造 光出力が従来の1.7～2.5倍 500nmのコーン形状を規則的に配置 加工時間1分程度 基板に凹凸で反射抑制 | 260 250 160 |
| 2011年 6月号 | Si素子で小型光スイッチ | NEC | 日刊工業新聞 (2011年3月7日PP.20) | Siフォトニクス 800μm×60μmの光路切替素子 光合分波素子 素子の内部を局所的に加熱することで材料の屈折率を変更 130nmCMOSプロセス | 240 160 |
| 2011年 6月号 | InGaN製の高感度紫外線センサ | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年3月7日PP.20) | 絶縁層に5nm厚のCaF2 320nm～400nmの領域を検出 | 210 |
| 2011年 6月号 | 試料の反射で凹凸観察するミラー電子顕微鏡 | 日立 | 日経産業新聞 (2011年3月11日PP.9) | 視野が広く観察効率10倍 50nm/画素での観察で16nmのずれを見分ける 試料表面をマイナスに帯電させる | 360 |
| 2011年 4月号 | 低電力で磁場を制御可能な現象を常温でも発見 | 東大 JST 物材機構 理化学研 | 日経産業新聞 (2011年1月4日PP.10) | 鉄合金内にnmの磁気の渦巻き スキルミオン結晶 磁気メモリーの低電力化 2℃で確認 | 120 230 |
| 2011年 4月号 | 電子対の量子もつれをナノテクで定量測定 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年1月20日PP.24) | 量子テレポーテーション 2つの超電導体の先端に2本のナノワイヤをつないだデバイスを作製 | 120 |
| 2011年 3月号 | TFT液晶の消費電力を低減 | 阪大 | 日経産業新聞 (2010年12月9日PP.11) | ゲート厚10nm 高濃度硝酸による表面処理 電圧1/12 多結晶Siを120℃で68%以上の高濃度の硝酸に入れて酸化膜を作成 発電効率15%以上向上 1/144に | 250 |
| 2011年 3月号 | 光電変換効率2%の透明太陽電池 | 岐阜大 | 日経産業新聞 (2010年12月10日PP.8) | ZnOなどの厚さ3～10μmの薄膜を盛り近赤外光吸収色素をつけた 波長760～1000nmで0.6～2.0%の光を吸収 色素増感型 | 250 |
| 2011年 3月号 | 様々な波長でSiを発光させる技術 | NTT | 日経産業新聞 (2010年12月16日PP.11) | Si層を厚さ8.5nmで重ねる 光の強度を保ったまま波長を1.1μm～1.15μmの範囲で変更可能 Siにリンを混合 | 140 340 |
| 2011年 3月号 | フォトニック人工原子レーザ
-3次元結晶内で発振- | 東大 | 日刊工業新聞 (2010年12月20日PP.17) | 厚さ150nmのGaAsを25層積層 Q値は約4万 中心の層に面積約1.3μm2の欠陥共振器とInAs量子ドットを埋め込み | 140 |
| 2011年 3月号 | 炭化ケイ素(SiC)製ナノものさしがNITEの標準物質DBに登録 | 関西学院大 | 日刊工業新聞 (2010年12月21日PP.20) | 耐酸化性に優れ経年劣化しにくい 段差が0.5nmの標準物質が登録 SiC製 | 160 |
| 2011年 3月号 | 28nm世代システムLSI向け混載DRAM技術 | ルネサスエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2010年12月9日PP.22) | 寄生容量・抵抗を削減 CMOSプロセスを導入 低誘電率の多孔質(MPS)膜を採用 配線層内にキャパシタ形成 | 160 230 |
| 2011年 2月号 | 炭素系ナノテク活用の高速有機トランジスタ | 阪大 山形大 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2010年11月1日PP.11) | C60と呼ぶフラーレン薄膜 Al 色素の各層を挟んだ構造 400kHzで高速応答 従来の5倍以上の電流を流せる | 120 220 |
| 2011年 2月号 | グラフェンを直接合成 | インキュベーション・アライアンス 大分大 | 日刊工業新聞 (2010年11月5日PP.1) | 高速化学気相成長(CVD) 大きさ約10μm 厚さ2.1nm 7層構成 | 120 |
| 2011年 2月号 | SiGe製光スイッチ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2010年11月9日PP.25) | Si上に約500nm×約200nmのSiGe製の細線構造 光スイッチ素子の大きさ0.4mm×50μm 動作電力1.5mW 動作可能な波長範囲1520nm～1565nm | 120 240 |
| 2011年 2月号 | 薄膜の堆積速度を調整可能なスパッタ装置 | 山口大 | 日刊工業新聞 (2010年11月12日PP.20) | 装置1台で薄膜を形成 稼働磁場発生機構 1分間の堆積速度15nmから50nmまで調整可能 | 360 |
| 2011年 2月号 | 近接場光の光源を大面積化する技術 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2010年11月24日PP.7) | 面状光源 1cm2 直径10nmの金ナノ粒子を敷き詰め | 250 |
| 2011年 2月号 | 有機太陽電池で1000nmの近赤外線光を光電変換 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年11月25日PP.31) | 電子を放出しやすい分子と受け取りやすい分子が交互に積み重なった構造 励起子が広がる距離がフラーレンの1000倍 | 150 |
| 2011年 1月号 | 波長可変のSi発光技術 | 米カルフォルニア工科大 | 日経産業新聞 (2010年10月18日PP.11) | Si上に直径数nmの針の集合体形成 2.49～8.58nmの針で670～780nmの発光 | 250 160 |
| 2011年 1月号 | CNT利用の安価な高性能トランジスタ | 名大 | 日経産業新聞 (2010年10月21日PP.11) | Si薄膜の代わりに直径1.5nm 長さ1μmのCNTを敷き詰める 縦横1cmのTFTを試作 厚さ0.5mmの基板上に2～3nmのCNT薄膜を塗布オンオフ比が最大1000万 | 120 220 |
| 2011年 1月号 | 吸収波長が広い太陽電池向け増感色素 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2010年10月25日PP.1) | 350～1000nmの波長を吸収 変換効率6.3% | 250 120 |
| 2011年 1月号 | 厚さ10nmの薄膜を使用した強誘電体 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2010年10月27日PP.21) | 酸化物ナノシート2種積層 | 120 |
| 2011年 1月号 | ナノ空間で多電子制御 | 物材機構 北大 | 日刊工業新聞 (2010年10月29日PP.29) | 直径10nmの半導体量子ドット 複数の電子を閉じ込めナノ空間の多電子状態を制御 液滴エピタキシー法 GaAs量子ドット イオン化励起子と呼ぶ3つの粒子の複合状態の観測に成功 | 120 |
| 2010年12月号 | 電子顕微鏡の性能向上 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2010年9月9日PP.24) | 6ホウ化ランタンのφ50nmのワイヤ 電界イオン顕微鏡の分析性能1桁向上 | 210 |
| 2010年12月号 | 量子暗号の安全性向上 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年9月10日PP.11) | 通信用の波長1.5μmの光を直径30～40nmのInGaPの粒「量子ドット」にあてて光子を発生 50kmの伝送実験に成功 2光子つながるケースを5～10パルスに低減 解読リスク0.01% | 340 440 |
| 2010年12月号 | 発電効率45%超を実現する太陽電池向け新素材 | 東大 シャープ | 日経産業新聞 (2010年9月29日PP.13) | 多接合 厚み3nmのInGaAsの膜と原子1個分の厚みのInGaPの膜を交互に60個積み重ねる 量子井戸効果 多接合タイプ太陽電池 | 120 250 220 |
| 2010年12月号 | ナノ炭素シート量産技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年9月29日PP.1) | 400℃で高速製造 ロールツーロール法 ITOの代替 プラズマCVD法を応用 | 150 |
| 2010年12月号 | 個々の原子が情報保持可能な時間の計測に成功 | 米IBM | 日刊工業新聞 (2010年9月29日PP.28) | STMによるポンプ・プローブ測定 ナノ秒レベルで計測可能 | 120 660 |
| 2010年12月号 | 近赤外光に対応した光電変換システム | 北大 | 日刊工業新聞 (2010年9月29日PP.28) | 光アンテナ搭載 単結晶TiO2基盤上に金のアンテナ 波長1500nmの近赤外光で8.4%の光電変換効率 | 620 |
| 2010年12月号 | ナノチューブ導電性解明 | 高度情研機構 | 日経産業新聞 (2010年9月30日PP.14) | スーパーコンピュータによるシミュレーション σ軌道では電圧上昇に対して段階的に電流が変化 | 160 |
| 2010年11月号 | 光を吸収する金属材料 | 名大 九大 | 日経産業新聞 (2010年8月10日PP.10) | タングステン 厚さ数10～数100nmの繊維状の突起が密集した構造 波長0.4～1.5μmの光を当てると98%以上は金属に取り込まれる | 120 |
| 2010年11月号 | 電気変換できる赤外線の波長帯を広くしたSi太陽電池 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年8月17日PP.10) | Si表面に大きさ100nm深さ550nmの穴 縦横100nmの間隔で穴をあける 近接場光 波長0.35～1.5μmの範囲で電気が得られた | 120 250 |
| 2010年11月号 | 誘電率200以上を実現する小型薄膜コンデンサ
・10とあわせて1件 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2010年8月25日PP.24) | チタン酸バリウム系の薄膜と比べ大きさ1/20 容量10倍以上 厚さ1.5nmで横幅約10μm | 120 220 |
| 2010年11月号 | 高性能な薄膜コンデンサ
・9とあわせて1件 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2010年8月25日PP.9) | ペロブスカイトナノシート 膜厚5～20nmで誘電率210～240 | 220 |
| 2010年10月号 | FPC基盤の誘電率を60%低下 | 京大 | 日刊工業新聞 (2010年7月6日PP.22) | 厚さ100nm～1μmの楕円形細孔をポリイミドに多数作成 | 120 |
| 2010年10月号 | 情報を暗号化する素子 | 北大 浜松ホトニクス NTT 東京理科大 | 日経産業新聞 (2010年7月8日PP.12) | p型InPにn型のInGaAsやニオブを積層 ニオブ層の厚さ80nm 光子対 量子もつれ合い状態 | 120 220 |
| 2010年10月号 | 大容量で不揮発性を兼ね備えたTMR素子 | 東北大 日立 | 日刊工業新聞 (2010年7月12日PP.1) | 素子寸法40nm 電源供給なしで10年保持 350℃の熱処理耐性 磁化方向を垂直 8Gb Co-Fe-B | 230 |
| 2010年10月号 | リチウムイオン電池使用中の内部観察技術 | ファインセラミックセンタ(JFCC) | 日経産業新聞 (2010年7月14日PP.11) 日刊工業新聞 (2010年7月23日PP.24) | ホログラム干渉縞 全個体型Liイオン 精度50nm以下の0.05V以下 | |
| 2010年10月号 | ナノサイズの光スイッチ | 阪大 物材機構 | 日刊工業新聞 (2010年7月14日PP.21) 日経産業新聞 (2010年7月14日PP.11) | 光伝導性分子 Ag電極とAg2S電極を10nm間隔で配置 | 240 |
| 2010年10月号 | 3.5nmの極小超電導体を作製 | 産総研 米オハイオ大 | 日刊工業新聞 (2010年7月21日PP.27) | 8個の有機分子でできた超電導分子構造体 (BETS)2GaCl4 分子が鎖状に積層下構造 | 120 |
| 2010年10月号 | ピーク出力100W超の青紫色半導体レーザ | 東北大 ソニー | 日刊工業新聞 (2010年7月21日PP.27) 日経産業新聞 (2010年7月21日) | パルスの出力間隔3ps 波長405nm 2光子吸収 繰り返し周波数1GHz | 250 |
| 2010年10月号 | マルチチャンネル超電導単一光子検出システム | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2010年7月28日PP.27) 日経産業新聞 (2010年7月28日PP.11) | 1.55μmの波長の光で検出効率20% 従来の100倍 単一光子検出器 動作速度2倍 検出器の大きさ2/3 1550nm通信波長帯 動作速度100MHz 積層薄膜で構成した光共振器 NbN | |
| 2010年 8月号 | 半導体上に原子積み上げてナノ構造を作成 | NTT 独ポール・ドルーデ研 | 日刊工業新聞 (2010年5月12日PP.1) | In原子を1個ずつ積み上げ STMの金属製プローブ nm寸法の構造 InAs基板 | 120 160 |
| 2010年 8月号 | スピンRAMの5Gb超の大容量化技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年5月14日PP.18) 日経産業新聞 (2010年5月14日PP.10) | トンネル磁気抵抗素子(TMR素子) MgO層の厚さを約1nmに 高いスピン分極 磁気抵抗比85% 素子抵抗値約4Ωμm2 | 230 |
| 2010年 8月号 | 磁気テープの記録容量を30倍以上に増やせる製造技術 | 日立マクセル 東工大 | 日経産業新聞 (2010年5月14日PP.1) | スパッタ テープ1巻で50TB 3層で計100nm弱の記録層を形成 垂直磁気記録 | 130 230 |
| 2010年 8月号 | テレビ向け新液晶材料 -明滅間隔を10倍高速化- | 九大 チッソ石油化学 日油 | 日経産業新聞 (2010年5月21日PP.9) | 分子の並び方を工夫 色フィルタ不要 バックライト消費電力1/3 高分子安定化ブルー相(PSBP) 1/1000秒以下で液晶分子の向きを制御 40Vで駆動 直径100nmの円柱 | 120 250 |
| 2010年 8月号 | 発光効率100%に近づける緑色LED | 京大 | 日本経済新聞 (2010年5月24日PP.13) | フォトニック結晶 InGaN 波長500nm 効率従来比2～3倍 | 250 120 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットを使用した低消費電力レーザ発振素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年5月31日PP.12) | Si基板上で微少なレーザ光を発振 InAsでできた直径20nmの「量子ドット」 長さ1mm・幅60μm・厚さ0.3mmの棒状素子 | 120 250 |
| 2010年 7月号 | ナノ粒子の大きさを自在に制御 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年4月5日PP.12) | 自己組織化 カプセル状の分子を形成 直径2～4nm | 160 |
| 2010年 7月号 | グラフェン薄膜を半導体上に作製する技術 | 日立 東北大 東洋大 | 日経産業新聞 (2010年4月8日PP.12) | 800℃の加熱条件に設定した熱CVD(化学気相成長)法で作製 厚さ30nm 幅約3μmのアルミナ薄膜 | 120 |
| 2010年 7月号 | 出力3.8倍の蓄電池 | 農工大 日本ケミコン | 日経産業新聞 (2010年4月14日PP.11) | CNT エネルギー密度4.5倍 チタン酸リチウムの結晶を1～10nmの粒にしてCNT表面につける 充電時間を1時間から12秒へ短縮 | 250 |
| 2010年 7月号 | 太い単層CNTの製法 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年4月19日PP.12) | CNTが伸びながら太さを増す アルミナ材料の表面に直径2nmのてる粒子をまき700℃に加熱 鉄粒子が集まりCNTが成長 根幹部分直径5nm 先端部分の直径1.7nm | 160 120 |
| 2010年 6月号 | A-Si製のTFTと同程度の移動度とON/OFF比を実現したCNTトランジスタ | 名大 | 日本経済新聞 (2010年3月1日PP.13) | 太さ1.2nm 長さ200nm 鮭の精子から抽出したDNA 電気の流れやすさ1000倍 | 120 220 |
| 2010年 6月号 | フラーレン ナノ材料初のJIS化 | ナノテクノロジービジネス推進協議会 | 日刊工業新聞 (2010年3月5日PP.1) | 高速液体クロマトグラフィー(HPLS)によるフラーレンC60及びC70の分析方法 JISZ8981 | 660 |
| 2010年 6月号 | フラーレン薄膜に190Tbpiの高密度記録 | 物材機構 阪大 | 日経産業新聞 (2010年3月8日PP.12) | ハードディスクの1000倍 Si基板上にフラーレン分子3個分の薄膜 金属針を1nm未満に接近させ電圧を印加 結合・非結合の状態で「1」「0」を表現 記録速度1kbs | 120 230 |
| 2010年 6月号 | 長さ500nmの光アンテナ | 広島大 | 日刊工業新聞 (2010年3月15日PP.26) | 八木・宇田アンテナ応用 電波アンテナの1/100万の寸法 光を前方に約10倍集光 局在表面プラズモン共鳴 | 340 |
| 2010年 6月号 | LEDの光取り出し効率1.5倍 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年3月19日PP.28) 日経産業新聞 (2010年3月23日PP.11) | 半導体表面にリッジ(うねり) 厚さ約150nmの酸化シリコン膜 プラズマ化学気相成長(CVD)法 | 160 250 |
| 2010年 6月号 | 8nmの太さの単層CNT実現 | 東洋大 立山マシン | 日刊工業新聞 (2010年3月24日PP.1) | プラズマ化学気相成長(CVD)法 プラズマを基板へ均一照射 | 120 160 |
| 2010年 5月号 | 記録容量5倍の新方式HDD | 日立 | 日経産業新聞 (2010年2月2日PP.1) | 近接場光 熱アシスト 幅20nm以下の領域を加熱 ヘッド部品の先端部曲率半径10nm以下 2.5Tb/in2記録可能 | 230 |
| 2010年 5月号 | 出力10倍のダイヤ製LED | 産総研 物材機構 岩崎電気 シンテック | 日経産業新聞 (2010年2月9日PP.11) | 発光出力0.3mW 波長235nm 0.1mW程度の計100秒照射で大腸菌を殺菌 | 250 |
| 2010年 5月号 | Si基板でLED | 北大 | 日経産業新聞 (2010年2月10日PP.11) | Si基板上に太さ100nmのGaAsの細いワイヤを垂直に立てる ワイヤの長さを1～2μmに変えて間隔を調整すると違う波長の光を出力可能 | 120 250 |
| 2010年 5月号 | CNT内にダイヤ型触媒 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2010年2月16日PP.22) | 液相一段合成法 金属錯体触媒 アルコール アルゴンガス 抵抗加熱で約800℃ 太さ50nm前後 | 120 160 |
| 2010年 5月号 | 20nmのナノインプリント向け感光性樹脂開発 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2010年2月17日PP.5) | モールド Siウェハ モノマー エッチング レジスト | 160 |
| 2010年 5月号 | 細い線状の太陽電池 | イデアルスター 金沢大 静大 東北大 東京理科大 慶応大 九産大 | 日経産業新聞 (2010年2月18日PP.1) | 直径0.8mm厚さ約500nmの電池 光を電気に変換する効率は3% 長さ5cmの細線を試作 フラーレン | 250 120 |
| 2010年 5月号 | 電子の見かけの質量を1000倍に | 京大 名大 | 日経産業新聞 (2010年2月19日PP.11) 日刊工業新聞 (2010年2月19日PP.20) | 大気の1/10兆の真空状態 特殊な基板にセリウム・インジウム・ランタンなどを蒸着 薄膜の厚さ約300nm 縦横1cm ほぼ絶対零度 分子線エピタキシー 電子を平面上空間に閉じ込める | 120 |
| 2010年 5月号 | 人工原子1個でレーザ光を出す半導体 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年2月22日PP.10) 日刊工業新聞 (2010年2月16日PP.22) | 直径100nmの穴を10個開けた厚さ160nmのGaAs半導体薄膜 中央に直径20～25nm厚さ2～3nmのInAsの人工原子を埋め込む 波長917nm フォトニック結晶体 ナノ共振器 | 120 250 240 |
| 2010年 4月号 | 近接場技術で200GBの新型光ディスク | パイオニア | 日経産業新聞 (2010年1月6日PP.5) | 近接場光 ピット長さ53nm 青色レーザ 光源のレンズとディスクの間隔20nm 100・200GB作製技術および100GB再生技術を確立 BDの8倍の記憶容量 | 230 |
| 2010年 4月号 | がん細胞転移を精度100倍で観察 | 東北大 | 日経産業新聞 (2010年1月19日PP.11) | nm精度 独自開発の顕微鏡 PAR1 9mmの精度 | 360 |
| 2010年 3月号 | LSIの不純物濃度のばらつき測定 | 東芝 | 日経産業新聞 (2009年12月9日PP.11) | イオンビームで素子を切り出してキャリヤ濃度を測定 結晶構造の違いでキャリヤ分布が異なる 20nm回路に対応 | 660 220 210 |
| 2010年 3月号 | エネルギー変換効率が4割向上した太陽電池 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年12月10日PP.12) | 数十nmレベルの微細な凹凸がある銀の電極 波長350～800nmの範囲の可視光を電気に変換 近接場光 | 120 250 |
| 2010年 3月号 | 独自有機化合物による微細加工技術 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2009年12月16日PP.11) | 波長405nmの青色レーザ Siや酸化シリコンやサファイアの円板 直径40nmの穴や幅200nmの溝を規則的に生成 ビオロゲン塩 レジスト | 160 |
| 2010年 3月号 | 動作速度が3割向上した高速無線用半導体 | NECエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2009年12月18日PP.11) | アナログ部の配線抵抗を従来と比べて半減 動作クロック200GHz 線幅40nmのCMOS | 220 |
| 2010年 3月号 | 光照射で発光波長を制御するLED発光層の成膜技術 | 東大 ブイ・テクノロジー 日東光器 | 日経産業新聞 (2009年12月25日PP.11) | InGaN化合物半導体層を光を当てながら均一成膜 サファイア基板 緑色光と紫外線 波長532nm LED発光層の厚さ1/5 厚さ200nmの薄膜 | 250 160 120 |
| 2010年 2月号 | ハイブリッド軸受材料に使用できる窒化チタンナノ粒子混合セラミック | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2009年11月4日PP.18) | 軸受金属リングの摩耗4割減 | 120 |
| 2010年 2月号 | LSI内1チップ光配線 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2009年11月10日PP.25) | 消費電力1/10 長さ600μmのレーザ光源部品 幅450nmのSi光導波路 受光素子の大きさ1/5 光源と導波路間の光結合効率60%以上 オンチップフォトニクス | 220 |
| 2010年 2月号 | ポリマー製平面レンズ | スカラ 慶応大 | 日経産業新聞 (2009年11月11日PP.11) | 屈折率の大きな微細粒子 GIレンズ ナノサイズの有機分子 レンズ内部に高精度な屈折率分布を作製 | 310 120 |
| 2010年 1月号 | ダイヤを用いた不純物のない単層CNT作製法 | NTT 東京理科大 | 日経産業新聞 (2009年10月6日PP.11) | 直径4～5nmのナノダイヤ使用 SiO2などの基板上に敷き詰め 850℃のアルゴンガス エタノール吹き込み 直径1～2nm 30分間で約100μmまで成長 | 120 160 |
| 2010年 1月号 | 円盤状量子ドット形成技術を開発 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年10月7日PP.1) | Si基板上に直径12nmの鉄を核とするタンパク質を並べる 厚さを2nm～6nmと変えるとバンドギャップが1.6～2.2電子ボルトの範囲で変わる 高効率太陽電池に応用可能 | 120 250 160 |
| 2010年 1月号 | 光干渉を使ったナノ精度測定 | 埼玉大 東洋精機製作所 | 日経産業新聞 (2009年10月7日PP.11) | 精度1nm以下 光干渉 レーザ光を2つの経路に分けて解析 20cm2 | 320 660 |
| 2010年 1月号 | 振動に強く設計容易なRGBコンバイナ | タツタ電線 | 日経産業新聞 (2009年10月19日PP.5) | 光ファイバで光源直結 RGBコンバイナ 直径3mm長さ51mm 450nm～650nmに対応 小型プロジェクタ向け | 250 |
| 2010年 1月号 | 伸縮自在の玉虫色フィルム | 帝人 | 日経産業新聞 (2009年10月22日PP.1) | 複数のポリエステル系の高分子材料 数十nmの厚さで交互に数百層積み重ねた構造 | 130 |
| 2009年12月号 | 極細の金属ガラスワイヤを開発 | 東北大 | 日経産業新聞 (2009年9月18日PP.10) | パラジウムをベースとする合金 太さ数十nm 100フェムトテスラの磁気を電気に変える 過冷却領域 | 120 160 |
| 2009年12月号 | 消費電力1/2の液晶表示装置向け偏光板 | 光産業技術振興協会 | 日経産業新聞 (2009年9月25日PP.1) | 30μm角のガラス板に細長い数百nm大のアルミ製突起を3000個配置 高分子フィルム プロジェクタ バックライト 光エネルギーのうち60%を透過 消費電力5割前後 | 120 250 160 |
| 2009年12月号 | 原子1個分の細さの金属ナノワイヤ | 名大 | 日刊工業新聞 (2009年9月28日PP.30) | 2層CNT ユーロピウム 気層直接法で内包 | 120 |
| 2009年11月号 | 記録密度3倍の次世代HDD用ヘッド | セイコーインスツル データストレージインスティチュート | 日経産業新聞 (2009年8月3日PP.1) | 磁気ヘッドとディスクの間隔を従来の1/3程度の7nmで維持 熱アシスト磁気記録 1Tbpi 光ファイバ磁気ヘッド | 230 |
| 2009年11月号 | 室温で世界最高の磁気抵抗効果を示す素子 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年8月6日PP.25) | 2枚の強磁性膜に絶縁膜を挟む構造 強磁性トンネル接合(MTJ) 二重トンネル障壁MTJ 中間磁性膜厚さ1.2nm 電圧約±0.1Vで磁気抵抗効果最大 | 120 230 |
| 2009年11月号 | 金属ガラスで1Tbpi以上の磁気記録媒体の製造技術 | RIMCOF | 日刊工業新聞 (2009年8月6日PP.25) | 熱インプリント パターンドメディア サファイアにダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜 25nm間隔太さ12nmのドットを形成した金型を作製 | 160 230 |
| 2009年11月号 | 携帯電話端末に1Gbpsの赤外線通信機能を開発 | KDDI | 日経産業新聞 (2009年8月6日PP.1) | 1Gbpsの赤外線通信技術が国際標準団体IrDAに採用 半導体レーザ 通信速度従来の250倍 従来のLEDと同じ850nm | 440 540 |
| 2009年11月号 | ガラスより軽く曲げやすい半導体素子 | 帝人 米ナノグラム | 日本経済新聞 (2009年8月19日PP.1) | ガラス基板に比べて重さ半分以下 縦横1.5cm 厚さ120μmの切手サイズ | 120 160 |
| 2009年11月号 | 簡単構造で耐電圧1kVのダイヤ製ダイオード | 物材機構 | 日経産業新聞 (2009年8月21日PP.9) | ショットキーダイオード CVD エキシマランプで172nmの紫外線照射 | 220 |
| 2009年11月号 | フラーレンに穴を開けて化合物を作る新手法
-長波長の光を吸収- | 京大 | 日刊工業新聞 (2009年8月21日PP.1) | 約900nmまでの光を吸収 電子を受け取り易い性質 | 120 |
| 2009年11月号 | 強誘電体PZTをナノチューブ状に形成 | 兵庫県立大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2009年8月24日PP.20) | 有機金属気相成長(MOCVD)装置 Si基板上に酸化亜鉛を直径約100nmの円柱状に形成 | 120 160 |
| 2009年11月号 | LED輝度3割向上させる技術 | SCIVAX | 日経産業新聞 (2009年8月24日PP.12) | Si製の特殊な金型でナノサイズの穴を開ける 穴の直径約200nm・深さ160nm | 160 250 |
| 2009年11月号 | ナノサイズの電子回路配線技術 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2009年8月28日PP.1) | シリコンナノチェインがCNTに変化 タングステンの針で数十Vの電圧印加 直径10～20nm ワイヤ状のナノ材料に電圧でCNTを生成 | 120 160 |
| 2009年10月号 | SRAMの駆動電圧均一化 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年7月13日PP.10) | 回路線幅65nm以降のメモリー 製造後のSRAMにいったん大きな電圧をかけ素子の性能を修復 | 230 |
| 2009年10月号 | 純緑色半導体レーザ | 住友電工 | 日本経済新聞 (2009年7月16日PP.11) | 窒化ガリウムの結晶の切り出し方を工夫 室温で波長が531nmのレーザ光 薄型テレビ プロジェクタ | 250 |
| 2009年10月号 | 燃料電池の白金使用量が1/13になる白金粒子 | 慶応大 | 日経産業新聞 (2009年7月27日PP.12) | デンドリマー ナトリウムボロハイドライド 0.9～1.2nmの白金粒子を生成 | 120 250 |
| 2009年 9月号 | 電気変換量14倍の色素増感型太陽電池 | 九大 | 日経産業新聞 (2009年6月1日PP.12) | 直径数nm～数十nmの金微粒子 フタロシアニン色素 プラズモン現象 波長700nmで得られた電流量は290nA/mW | 250 |
| 2009年 9月号 | インジウム不使用の透明・高電導の有機薄膜製造技術 | 山梨大 | 日経産業新聞 (2009年6月2日PP.11) | 有機高分子PEDOT 絶縁性高分子PSS 膜厚100nm以下 光透過率89% レアメタルを不使用 | 120 |
| 2009年 9月号 | 世界最小の強誘電体
-CNT内の水分子- | 首都大 産総研 | 日刊工業新聞 (2009年6月8日PP.18) | アイスナノチューブ 外部電圧で水素原子配列反転 異なる複数の状態を持つ電気分極 | 120 |
| 2009年 9月号 | 炭素のみを用いた超格子構造 | 産総研 | 日経産業新聞 (2009年6月12日PP.11) | ダイヤモンド同位体 炭素12と炭素13の同位体 各同位体で膜厚30nmの薄膜を作り交互に25層積層 マイクロ波プラズマCVD | 120 |
| 2009年 9月号 | 22nm世代向け基本素子ばらつき予測技術 | NECエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2009年6月16日PP.10) | 最も性能の悪い素子の電流をモデル化 不良品の割合を5～10%にまで抑制可能 | 660 |
| 2009年 9月号 | 表面積2倍の白金ナノ粒子 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2009年6月25日PP.12) | 数nmサイズの突起を直径20nmの粒子の表面に作る アスコルビン酸 1gあたりの表面積が55m2 | 120 |
| 2009年 8月号 | 色素増感太陽電池の耐久性向上技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年5月8日PP.11) | 電解液に直径5nm以下の微小なAl2O3などを含む粘土を混ぜて蒸発・液漏れを防ぐ 発電効率12.3% | 250 |
| 2009年 8月号 | 原子サイズの2層CNTトランジスタ | 青山学院大 名大 東邦大 | 日経産業新聞 (2009年5月15日PP.1) | 電子線によりナノチューブの層を分離 PN接合の特性を確認 太さ2～3nm 2層CNTをSi基板上に乗せる 大きさSiLSIの1/100程度 | 220 120 |
| 2009年 8月号 | pHに応じて明暗が切替わる蛍光分子 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年5月19日PP.9) | pH測定精度20倍 DMAPAM ベンゾフラザン 分子コンピュータへの応用の可能性 水素イオン濃度の測定精度従来の20倍 pH6をこえると波長570nmの蛍光を放つ | 120 |
| 2009年 8月号 | 直径10nmの銅合金線を開発 | 日立電線 | 日刊工業新聞 (2009年5月20日PP.1) | 直径10μm 屈曲性と強度を備える NN合金線 純銅に微量のスズとインジウムを添加 | 120 |
| 2009年 8月号 | 近紫外線LED採用の液晶モジュール | NEC液晶テクノロジー | 日刊工業新聞 (2009年5月29日) | 高い色再現性能 LED発光波長300～400nm AdobeRGBカバー率100% | 250 |
| 2009年 7月号 | 波長235nmで発光するダイヤモンド深紫外線LED | 産総研 | 日刊工業新聞 (2009年4月3日PP.22) | 従来比1000倍以上の発光強度 2000A/cm2以上の電流注入でも劣化なし 発光出力約30μW | 120 250 |
| 2009年 7月号 | ナノ繊維から不織布 | 九大 | 日経産業新聞 (2009年4月10日PP.11) | 原料の入った溶液に高電圧をかけてナノ繊維を大量に作る | 120 |
| 2009年 7月号 | フルカラーで発光するSiナノ結晶 | 広島大 JST | 日経産業新聞 (2009年4月15日PP.9) 日刊工業新聞 (2009年4月15日PP.20) | 超臨界流体のCO2にSiを浸しレーザ照射で5nmのSi粒に加工 パルスレーザアブレーション 急冷で発光強度100倍増加 光を当てると赤・緑・青・紫外光を放つ | 120 250 |
| 2009年 7月号 | ナノレベルの物差し | 産総研 | 日経産業新聞 (2009年4月20日PP.12) | ダイヤモンド結晶 0.2nmの目盛り 原子一層分の厚さ | 120 660 |
| 2009年 7月号 | 光閉じ込め能力4倍の3次元フォトニック結晶 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年4月27日PP.13) | くしの歯状に切り込みを入れた厚さ200nmの半導体の板を25層積層 縦横約10μm 波長1.3μmでQ値従来比約4倍 | 120 250 |
| 2009年 6月号 | フルカラーの表示が可能な専用フィルタによる偽造防止技術 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2009年3月2日PP.1) | フォージガード ナノメートルレベルの有機材の厚さ 200℃で5時間の耐熱性 肉眼では見えない波長の光を反射する素材 | 120 |
| 2009年 6月号 | 原子レベルで分析可能な透過型電子顕微鏡 | 日本電子 | 日刊工業新聞 (2009年3月5日PP.7) | 球面収差補正装置 分解能0.08nm | 360 |
| 2009年 6月号 | 蓄電容量3倍のリチウムイオンキャパシタ | 農工大 日本ケミコン | 日経産業新聞 (2009年3月11日PP.10) | 電極に超微細加工したリチウム化合物 チタン酸リチウムを5～50nmの結晶にしてファイバ状の炭素材料と混ぜる | 250 |
| 2009年 6月号 | 酸化ニッケルのナノワイヤでReRAMを製作 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2009年3月19日PP.24) 日経産業新聞 (2009年3月19日PP.10) | 50nm以下抵抗変化型不揮発メモリー オンオフ比ニッケル薄膜より100倍高い ナノ-ピコA程度で動作 直径10～20nm 長さ10～20μm | 160 230 |
| 2009年 6月号 | 2層CNTの内部構造を観察する技術 | 日立 名大 東北大 | 日経産業新聞 (2009年3月23日PP.12) | 走査型トンネル顕微鏡(STM) 電子の干渉 先端直径30nm以下のSTM探針 0.1V印加 外側の直径2nm 内側の直径1.4nmの2層CNT 画像処理で電子の密度を色の濃淡で示す | 120 360 |
| 2009年 6月号 | 印刷技術で発光パターンを形成できるゲル状発光材料 | 大日本印刷 | 日刊工業新聞 (2009年3月27日PP.1) | ルテニウムを中心とした遷移金属錯体，シリカナノ粒子を混練，酸化還元反応による発光 AC3.3Vで200cd/m2の輝度 大気中で厚さ25μm以上の膜でも発光 | 120 |
| 2009年 5月号 | 微細な空間測る「ナノものさし」 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2009年2月2日PP.1) | 30～40nmの空間分解能 高輝度イオンビーム2次イオン質量分析装置 | 210 660 |
| 2009年 5月号 | 粒子の形状制御でアンテナ感度向上 | 住友大阪セメント 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年2月13日PP.9) | UHF帯無線通信機のアンテナ 磁性体の形状をnmサイズの扁平状粒子に制御 樹脂中に均一に配列 感度が5倍向上 | 340 |
| 2009年 5月号 | 電流6倍のバイオ燃料電池 | 東工大 | 日経産業新聞 (2009年2月18日PP.9) | C電極の上に直径30nmのC微粒子 アクリルアミド ビニルフェロセン グルコースオキシダーゼ 電極1cm2あたり電流12mA | 250 |
| 2009年 5月号 | ナノサイズ金属の立体加工技術 | 理研 | 東京新聞 (2009年2月24日PP.20) | 金属イオン溶液に高エネルギー光を当てる 光エネルギーで結晶に変わる 約100nmの細い線 約3.5μmのまきびし状の構造物 | 120 160 |
| 2009年 4月号 | 色素増感型太陽電池 | 東工大 | 日経産業新聞 (2009年1月14日PP.11) | 直径0.1～1μmのC繊維表面に太さ50nmで長さ数100nm～1μmの針状酸化亜鉛繊維が並んだ構造 変換率10%の可能性 発電効率向上 | 250 |
| 2009年 4月号 | 体積1/60の紫外線センサ | アルプス電気 | 日経産業新聞 (2009年1月16日PP.1) | 酸化亜鉛膜 波長300nmの紫外線に最も反応 縦横1.5mm高さ0.7mm | 210 |
| 2009年 4月号 | 高感度FEDイメージセンサ | ローム | 日刊工業新聞 (2009年1月16日PP.25) | グラファイトナノファイバ X線に感度 画素サイズ48×48μm 画素数は約6万画素 | 210 |
| 2009年 4月号 | 超撥水性の表面処理技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年1月21日PP.11) | 酸化チタン 表面の凹凸1nm以下 | 160 |
| 2009年 3月号 | 直径10nm以下の立体配線技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年12月4日PP.11) | 自己組織化 親水性と疎水性を併せ持つ液状高分子 Si基板上に数～数十μmの厚さで塗布 120℃以上に過熱し冷却 塩化カリウム溶液水 十～数十Vの電圧 | 120 160 |
| 2009年 3月号 | Si薄膜の成長速度4倍に | 積水化学工業 | 日経産業新聞 (2008年12月12日PP.11) | プラズマを大気中に取り出し基板に当てる シランガス 45nm/minで成長 圧力0.7～0.9気圧 多結晶とアモルファスから構成 結晶効率80%以上 | 160 |
| 2009年 3月号 | 22ナノ世代LSI向け量産化技術 | Selete | 日刊工業新聞 (2008年12月17日PP.21) | Si基板に約0.4nmの酸化イットリウムを原子層堆積法で薄く成膜 絶縁膜としてハフニウム系の高誘電率膜 MOSトランジスタの絶縁膜にイットリウムを導入 | 220 |
| 2009年 3月号 | ひずみSiを活用してLSI処理速度を40%向上させる技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年12月18日PP.11) | 約500気圧の引っ張る力で電流量最大4%増加 チャネル幅1～20nmのトランジスタ試作 | 220 |
| 2009年 3月号 | 単結晶Siを使用した発光素子で光増幅 | 日立 | 日経産業新聞 (2008年12月18日PP.1) | 単結晶Siの上にSiNを重ねた構造 厚さ4.4nm 波長1μm 増幅効率1.1～1.7倍/cm 導波路 | 250 120 |
| 2009年 2月号 | CMOS微細化技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年11月14日PP.9) | 絶縁膜の厚さ0.37nm 回路線幅16nm以下のLSI開発に不可欠な技術 絶縁膜に酸化ランタンを採用 | 220 120 |
| 2009年 2月号 | 光信号を1/170に減速したスローライト新構造 | NTT | 日刊工業新聞 (2008年11月24日PP.14) 日経産業新聞 (2008年11月25日PP.11) | フォトニック結晶 結晶中に数nmレベルで穴を正確に配置 0.1μm3の微小な共振器 | 120 160 |
| 2009年 1月号 | 効率10倍の光子制御技術
-量子ドット埋め込み3次元フォトニック結晶発光- | 東大 | 日刊工業新聞 (2008年10月6日PP.20) 日経産業新聞 (2008年10月9日PP.11) | 膜を17層重ねた約10μm角の立方体形状 高さ5μmのフォトニック結晶 10nm四方の量子ドット 約200nmのGaAs半導体膜を交互に重畳 1.5μmで発光する量子ドットを埋めた膜を挟む GaAsSb Q値2300 | 120 250 |
| 2009年 1月号 | ダイヤで高効率のLED
-作製条件をシミュレーションで解明- | 東工大 スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2008年10月9日PP.11) | アダマンタン 直接遷移型電子構造 180nmの紫外線を放出 ダイヤ分子の大きさ0.5～数nm | 250 |
| 2009年 1月号 | 通電遮断回路不要なGaN-HEMTトランジスタ | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年10月10日PP.24) | 2nmのn型GaN膜 AlN 300Vの高耐性で動作 | 220 |
| 2009年 1月号 | ナノ粒子の導電性銀インキ | 東洋インキ製造 | 日経産業新聞 (2008年10月11日PP.1) | インクジェット方式での基板プリント リオメタル 銀粒子を直径8nmに細分化 | 220 |
| 2009年 1月号 | 折り曲げ自在の薄膜加工技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2008年10月30日PP.26) | 厚さ200～10nm程度の薄膜の片側を固定しイオン照射 数十μm程度折り曲げられる | 160 |
| 2008年12月号 | ワイヤ状の有機半導体 導電性10倍 | 物材機構 静大 | 日経産業新聞 (2008年9月10日PP.13) | ペンタゼン メチルチオ基 直径20～100nmで長さが1～5μmのワイヤ状の有機半導体 抵抗率10000Ωm | 120 220 |
| 2008年12月号 | DNAを利用したナノ構造物 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年9月13日PP.8) | 塩基をブロック状に結合 0.34nm単位で長さを設計 | 120 160 |
| 2008年12月号 | 発光率5割増の紫外線LED | 東芝 | 日経産業新聞 (2008年9月26日PP.1) | 波長383nm 厚さ10μmのA1N層をサファイア基板とGaNの間に設ける 電流20mAで23mWの光 | 250 160 |
| 2008年12月号 | 線幅10μmまでの微細化スクリーン印刷法 | 大阪府立大 新中村化学工業 中沼アートスクリーン 和歌山県工業技術センター | 日経産業新聞 (2008年9月26日PP.9) | プラスチック基板上に線幅13μm アクリル系高分子フォトレジスト材料 波長365nm 254nmの光を照射 | 160 |
| 2008年12月号 | 常温・常圧で作製可能な環状構造を持つ発光高分子 | 奈良先端大 | 日刊工業新聞 (2008年9月29日PP.25) | 大きさ100nm ポリフルオレン 有機溶媒に水を0.1%溶かす 水を足場として環状構造 歩留まり50% 強い青色発光 | 120 250 |
| 2008年11月号 | 単層CNT内に化合物ナノワイヤ合成 | 名大 高輝度光科学研究センター | 日刊工業新聞 (2008年8月1日PP.27) 日経産業新聞 (2008年8月1日PP.10) | 塩化エルビウム 直径2nmのCNT 石英管 7日間700℃で加熱 90%を超す収率 | 120 160 |
| 2008年11月号 | 超高密度で記録可能な色素材料 | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2008年8月5日PP.11) | ポルフィリン フォトクロミック分子 光ディスク1枚でテラバイト級の記憶容量 がん治療への応用 2光子吸収 波長800nmのレーザを照射 40000倍の効率で光を吸収 | 120 230 |
| 2008年11月号 | 白色LEDを1.5倍明るくする蛍光体 | 三井金属 | 日経産業新聞 (2008年8月8日PP.1) | 硫化物粒子を均一化 波長450nm前後の青色LEDに緑・赤の蛍光体を組合せ 直径10～30μmの硫化物粒子 | 120 250 |
| 2008年11月号 | 透明導電膜を酸化亜鉛で作製 | 大阪産業大 | 日経産業新聞 (2008年8月25日PP.11) | 厚さ35nmの透明な薄膜 可視光を最大90%通す インジウムが不要 「比抵抗」は10000分の2～3Ωcm | 120 |
| 2008年11月号 | ナノインプリント法で同一形状のカーボンナノファイバを大量作製 | KAST | 日刊工業新聞 (2008年8月28日PP.1) | 直径100～150nm 高さ約5μm 基板1cm角 | 120 160 |
| 2008年11月号 | 高性能強磁性トンネル接合素子で高周波発振に成功 | 阪大 産総研 キヤノンアネルバ | 日刊工業新聞 (2008年8月29日PP.31) | 数-10GHz 発振出力約0.2μW 磁極フリー層(CoFeB) 絶縁性のトンネル障壁層(MgO) 磁極固定層(CoFeB)の3層構造 スピンの歳差運動 同素子を70nm×160nm断面の柱状に加工 | 120 220 |
| 2008年10月号 | ナノSi電子源採用の放電レス発光デバイス | 松下電工 農工大 | 電波新聞 (2008年7月9日PP.1) | キセノンガス 真空紫外光 | 250 |
| 2008年10月号 | THz波利用で危険物の探知容易に | 北大 | 日経産業新聞 (2008年7月11日PP.9) | 一辺100nmの金の四角形のチェーンを並べた素子 数THz～数100THzのTHz波を増強 数11/100sで検出可能 | 120 |
| 2008年10月号 | 単層CNTで超電導材料 | 青山学院大 東大 東工大 | 日経産業新聞 (2008年7月17日PP.11) | 金属触媒中に炭素とホウ素を混合 直径1nm 長さ1μm -261℃でマイスナー評価 1/100の確率で炭素がホウ素に置換 Bを添加した単層CNT | 120 |
| 2008年10月号 | 半導体レーザの世界最短波長を実現 | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (2008年7月29日PP.8) | 波長342nmの紫外レーザ光を発振 化粧にAlを混ぜる 消費電力1/100以下 Al組成が30% AlGaNを発光層 | 250 120 |
| 2008年10月号 | 手で曲げても壊れないナノ炭素繊維不織布シート | 東工大 | 日刊工業新聞 (2008年7月31日PP.1) | 繊維に多層CNTを成長 電界紡糸法 直径200nmの繊維 500m2/gの比表面積 化学気相成長(CDV)法 CNT直径80nm 繊維と垂直に成長 | 120 |
| 2008年 9月号 | グラフェン薄膜をSi基板に作製 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2008年6月25日PP.22) 日経産業新聞 (2008年6月25日PP.11) | 厚さ80nmの炭化ケイ素の薄膜作製 熱処理 電子移動度数万cm2/Vs | 120 160 |
| 2008年 9月号 | 車載機器用レンズ開発 | タムロン | 日経産業新聞 (2008年6月26日PP.9) | 反射防止や耐久・耐水の性能を高める 車載機用レンズ ナノメートル単位の特殊な多層膜 レンズの画角30～180° | 310 |
| 2008年 9月号 | ホログラム完成イメージのシミュレーション技術 | 大日本印刷 日大 | 日刊工業新聞 (2008年6月24日PP.1) | 数100nmの干渉縞の幅を50μm前後で計算 ホログラフィ | 620 430 |
| 2008年 9月号 | TiO2ナノ粒子の発光特性解明 | 阪大 物材機構 | 日刊工業新聞 (2008年6月30日PP.25) | Euイオンを添加 粒子表面の電子と正孔との再結合によるエネルギーがEuイオンのみ励起 酸素があると消光 | 120 250 |
| 2008年 8月号 | CNTで回路を立体化 | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年5月6日PP.6) | 単層CNT LSIの配線 MEMSへの応用 Si基板 イソプロピルアルコール 膜厚100nm～50μm | 120 160 |
| 2008年 8月号 | フォトニック結晶を用いた光ビットメモリー | NTT | 電波新聞 (2008年5月8日PP.5) | 最長150nsのメモリー持続時間 InGaAsP バイアス光パワーが最低40μW 結晶の厚さが200nm 直径200nmの空気穴を420nmの周期で三角格子状に配置 | 120 230 |
| 2008年 8月号 | レーザ光で磁石になる新素材 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年5月8日PP.11) | Co W ピリミジン -233℃で波長840nmの赤外線レーザをあてて磁石になる 532nmのレーザで磁石でなくなる | 120 230 |
| 2008年 8月号 | CNTに光を当て透過量を制御し高速通信 | 甲南大 情通機構 | 日刊工業新聞 (2008年5月30日PP.30) | 直径1.2nm 応答時間1ps 1.5μm波長帯の光に波長400nmの信号光を重ねる | 120 |
| 2008年 7月号 | 光LSI配線構造解明 | 阪大 | 日経産業新聞 (2008年4月3日PP.9) | 光LSI 線幅10nm 表面プラズモン | 120 220 |
| 2008年 7月号 | 次世代大規模集積回路の実現に繋がる歪みSiLSI | 東京インスツルメンツ 群馬大 | 日経産業新聞 (2008年4月3日PP.1) | 近接場ラマン光 線幅32nm以降の次世代LSI 20nmひずみ分布を精密測定 | 120 220 660 |
| 2008年 7月号 | 板バネ微細振動を利用した省エネ半導体素子 | NTT | 日経産業新聞 (2008年4月15日PP.9) 日刊工業新聞 (2008年4月15日PP.26) | 消費電力1000～1万分の1 1ビット分の情報処理に成功 長さ250μm 厚さ1.4μm約10nmの幅で振動 | 220 |
| 2008年 7月号 | 持続時間60倍の光メモリー | NTT | 日刊工業新聞 (2008年4月25日PP.26) | InGaAsP 持続時間最大150ns 厚さ200nmの半導体結晶に直径200nmの空気穴を420nm周期で三角格子状に配置 Q値13万 | 120 |
| 2008年 6月号 | 25Gbps伝送が可能な半導体レーザ | 日立 日本オプネクスト | 日経産業新聞 (2008年3月3日PP.9) | 波長1300nm 4つの波長を組合せれば100Gbps 伝送実験12kmに成功 0℃～85℃の間で安定動作 | 240 |
| 2008年 6月号 | 電子や熱を通しやすいナノ炭素の新構造体 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年3月3日PP.1) 日経産業新聞 (2008年3月5日PP.10) | CNT 窒化チタン コバルト CVD法 直径約10nm高さ約3μm 約50層に積層した厚さ18nmのグラフェン | 120 |
| 2008年 6月号 | ディジタル情報でホログラム画像 | オプトウエア 豊橋技科大 | 日経産業新聞 (2008年3月7日PP.1) | 印刷物の大きさが5cm四方なら2～3cm浮き上がって見える 微小な点の直径は数nm 光の屈折率を変化 表面から5mmほどのところに像を結ぶ | 430 |
| 2008年 5月号 | Siでミリ波通信向け送受信チップ | NEC | 日経産業新聞 (2008年2月4日PP.5) | 出力7mW 通信距離数10m 90nm半導体製造技術 2.6Gbps サイズ2mm角 | 140 240 |
| 2008年 5月号 | 記録容量20倍の次世代HD | クレステック | 日経産業新聞 (2008年2月7日PP.1) | パターンドメディア 記録容量は1Tb/in2 直径6インチのSi基板上の感光性樹脂に電子ビームで同心円状に直径10nmの微小な穴を開ける | 230 160 |
| 2008年 5月号 | 発色純度高い無機EL
-ブラウン管並み- | HOYA | 日経産業新聞 (2008年2月8日PP.1) | CdとSeの化合物半導体の発光材料 粒径2～6nmのナノ結晶 | 250 120 |
| 2008年 5月号 | 最先端LSIパターン作製高速化 | クレステック 農工大 | 日経産業新聞 (2008年2月18日PP.10) | 配線幅40nm回路を10mm角に0.3sで作製 面電子源 | 160 |
| 2008年 5月号 | ナノ粒子の簡便な新製法 | 阪大 名大 | 日経産業新聞 (2008年2月21日PP.9) | イオン液体 スパッタリング装置 粒径を2～10数nmの範囲で制御 粒径誤差約15% | 160 120 |
| 2008年 5月号 | 量子暗号通信の中継技術 | 東北大 産総研 | 日経産業新聞 (2008年2月27日PP.12) 日刊工業新聞 (2008年2月27日PP.31) | 量子中継器 光子から電子へ1対1で転写 AlGaAsに井戸幅11nmのGaAsを挟んだ量子井戸構造の素子を作製 電子と光子のもつれ合い解消 | 120 160 220 |
| 2008年 4月号 | フラーレン薄膜状態で積層 | 東大 | 日刊工業新聞 (2008年1月16日PP.32) 日経産業新聞 (2008年1月16日PP.9) | 赤外線レーザで加熱・気化し堆積 数mm四方に直径1nm弱のフラーレンを10～20層堆積 連続光赤外線レーザ堆積法 | 120 160 |
| 2008年 4月号 | 太さ原子1個分の超極細金属ワイヤ作製技術 | 名大 | 日経産業新聞 (2008年1月29日PP.11) | 太さ0.18nm CNT レアアース ガドリニウム 長さ0.5μm ピーポッド | 120 160 |
| 2008年 3月号 | 回路線幅32nmLSI向け製造プロセス技術 | Selete 日立建機ファインテック | 日経産業新聞 (2007年12月11日PP.1) | 電流漏れを防ぐ技術 電極素材と配線層間材料を新たに開発 ゲート材料にTiN 絶縁膜に窒化ハフニウムシリケート nMOSにMgO pMOSにAlO ポーラスシリカ SiO 比誘電率2.4 | 120 160 220 |
| 2008年 3月号 | 15nmNANDフラッシュメモリー用基本素子を試作 | 東芝 | 日経産業新聞 (2007年12月13日PP.12) 日本経済新聞 (2007年12月13日PP.12) | 100Gb級の集積度 フローティングゲートを挟む酸化膜を極薄化 微細化しても高速書込みと長期記録保持可能 | 160 230 |
| 2008年 3月号 | 高速・低消費電力の新トランジスタ | 日立 東大 | 日経産業新聞 (2007年12月14日PP.11) | 絶縁膜厚を10nmにして基板からも電圧制御 漏れ電流1/10 動作速度20%向上 SOI | 160 220 |
| 2008年 3月号 | ギガビット級のMRAM | 日立 東北大 | 日経産業新聞 (2007年12月20日PP.1) | 記録層を2層に増やす スピン注入方式 積層フェリ構造 コバルト鉄ボロン ルテニウム 回路線幅45nm 小型メモリー素子 長期間保持 | 230 |
| 2008年 3月号 | GaNフォトニック結晶面発光レーザ -青紫色領域で発振- | 京大 JST | 日経産業新聞 (2007年12月21日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年12月21日PP.22) | 再成長空気孔形成法 波長406nm 素子内部に直径85nm 深さ100nmの微小な空洞を186nm間隔で配置 | 160 250 |
| 2008年 3月号 | 酸化鉄でReRAM素子 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2007年12月26日PP.9) | 不揮発性メモリー 相転移 電気抵抗が最大10の5乗まで変化 180nmプロセス 書き換え耐性3万回以上 抵抗変化式メモリー 10nsで書込み可能 データ保持時間2000時間 | 120 230 160 |
| 2008年 3月号 | 最新の光変調器 | 米IBM | 電波新聞 (2007年12月11日PP.3) | マッハツェンダ光変調器 大きさ1/100～1/1000 電気信号の代わりに光パルスを使用 シリコンナノフォトニック導波管 | 220 |
| 2008年 2月号 | 有機ELの寿命9倍に | 北陸先端大 | 日経産業新聞 (2007年11月16日PP.1) | 透明電極と正孔輸送層が接する面に酸化モリブデンで作った薄膜挿入 0.75nmの極薄膜採用 360cd/m2の輝度が半減するまで3万7千時間 | 120 160 250 |
| 2008年 2月号 | 量子多体現象 超高速で計算処理 | NII 米スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2007年11月22日PP.9) 日刊工業新聞 (2007年11月22日PP.20) | 光と閉じ込める微細構造を相互に連結 厚さ3nm半導体薄膜12層 ボーズアインシュタイン凝縮体を約20個形成 超流動的 | 120 160 220 |
| 2008年 2月号 | 高密度な光メモリー基本素子を作成 | 東大 | 日本経済新聞 (2007年11月19日PP.19) | フラッシュメモリーの一万倍の記録密度 近接場光 GaAs基板に径5～50nmの量子ドットを埋め込む 理論記録密度は10の15乗bit/inch2 | 120 160 230 |
| 2008年 1月号 | 線幅100nm以下の超電導回路 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年10月2日PP.1) | 光相変化材料Y123 Y Ba Cu O 近接場光 先端50nm径の光ファイバ 30nm径の超電導体ドットを50nm間隔で作成 10K以下で超電導状態 ジョセフソン接合 | 120 160 220 |
| 2008年 1月号 | 容量2倍を実現するHDD高密度化技術 | 昭和電工 | 日経産業新聞 (2007年10月19日PP.1) | ディスクリートトラック 非磁性材料でトラックを挟む 記録密度3倍 記録トラックの横幅65nm ナノインプリントでトラックを成型 | 230 160 |
| 2008年 1月号 | 光配線LSIチップ -線幅22nmに道- | Selete | 日経産業新聞 (2007年10月23日PP.1) | 表面プラズモン SiとSi化合物を重ねた構造の表面にくし形の電極を並べた光電気変換器 縦10μm 横2μm クロック信号部分を光配線に置き換え | 160 240 |
| 2008年 1月号 | 非極性面採用青色半導体レーザ -室温連続発振に成功- | ローム | 電波新聞 (2007年10月25日PP.1) | 非極性面(m面)GaN 波長463nm 共振器長400μm ストライプ幅2.5μm しきい値電流69mA しきい値電圧6.2V 出力2mW以上 | 120 250 |
| 2007年12月号 | ナノインプリント方式で回路線幅18nmの半導体製造技術 | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2007年9月18日PP.1) | 電子ビームのビームを細くするとともに強度や照射量を調整 石英ガラスのエッチングの条件最適化 面積は1/10程度 露光でなく転写で回路形成 | 160 220 |
| 2007年12月号 | 次世代CMOS素子 -しきい値電圧の時間変動の仕組み解明- | Selete 筑波大 広島大 早大 | 日刊工業新聞 (2007年9月20日PP.28) | 45nm世代 窒化ハフニウムシリケートの劣化 界面特性 | 120 220 |
| 2007年12月号 | 従来の約1/10以下の細さの金属微細配線技術 | 東北大 チッソ 日本電子精機 | 日刊工業新聞 (2007年9月26日PP.29) | フレキシブルプリンタブルエレクトロニクスへの応用 数百nmの微細配線 波長488nmのアルゴンレーザ | 220 160 |
| 2007年12月号 | 蛍光発光する有機ナノチューブ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2007年9月19日PP.29) | オーガニックナノチューブAIST ブドウ糖 オレイン酸 両親媒性 自己集合の際に蛍光分子を添加 薬物伝達システム(DDS) 赤 橙 黄 青 | 120 250 260 |
| 2007年11月号 | 光を2ns閉じ込め | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2007年8月2日PP.22) | 厚さ250nm Si 直径100nmの空孔 屈折率の差により共振 波長1.5μmの光 フォトニック結晶 | 240 |
| 2007年11月号 | 近接場光を利用した記録密度20倍の磁気記録装置用ヘッド骨格部 | セイコーインスツル | 日経産業新聞 (2007年8月3日PP.10) | サスペンションに光ファイバを取り付ける 領域20nm 1.8m/sで高速回転 37nm浮上 領域10nmにも対応 4Tbpi相当 | 120 230 |
| 2007年11月号 | 界面活性分子を使用したナノ自立膜の新製法 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年8月6日PP.8) 日刊工業新聞 (2007年8月6日PP.17) | ドデシルホスホコリン シャボン膜 スパッタ法 電子ビーム蒸着法 熱蒸着法 厚さ1～100nm | 160 |
| 2007年11月号 | 色が変化する調光ガラス | 産総研 山形大 北陸先端大 農工大 | フジサンケイビジネスアイ (2007年8月9日PP.7) | プルシアンブルー 直径10～20nm程度の粒子化 ナノ粒子の表面を被覆材料を添加して溶媒に分散させてインク化 エレクトロクロミズム | 120 |
| 2007年11月号 | 回路幅45nm対応の塗布型絶縁膜 | JSR | 日経産業新聞 (2007年8月22日PP.1) | 低誘電層間絶縁膜材料(Low-k材料) Cの割合を高めCとSiの分子の結びつきで強度アップ 誘電率2.4 | 120 160 |
| 2007年10月号 | 幅50nmの複数線を同時に描画する並列走査型装置 | 立命館大 兵庫県立大 ユニソク 住友精密工業 JST | 日刊工業新聞 (2007年7月12日PP.20) | フォトレジスト Si基板 並列走査型プローブ ナノライティング装置 Si酸化膜を作製 エッチング 20～60本を並列に配置 | 160 |
| 2007年10月号 | 線幅30nm以下の半導体量産向けナノインプリント技術用の石英ガラスモールド試作 | HOYA | 日経産業新聞 (2007年7月19日PP.1) | 位相シフトマスク作成原理を応用 回路パターンの材料であるCrやレジストの中身・厚さ・処理方法を最適化 型を熱硬化樹脂に押し付け紫外線で転写 | 160 |
| 2007年10月号 | ナノ炭素材料で単原子トランジスタを試作 | 青山学院大 名大 産総研 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年7月20日PP.9) | ピーポッド 量子ドット SiO2の絶縁膜 金とチタンの合金の電極 CNTの内側に複数のフラーレンを並べて詰めた構造 | 120 220 |
| 2007年 9月号 | 低抵抗CNT縦穴配線材料 -次世代LSIにおけるCNT配線実現に一歩- | Selete | 日刊工業新聞 (2007年6月5日PP.1) | ビア配線材料 弾道伝導現象 CVD ビア高さ60nm 直径160nm 化学機械研磨(CMP) 22nm世代 450℃で化学気相成長 Cuより低抵抗 | 120 160 |
| 2007年 9月号 | 反射率1/10の光学ガラス | 松下電器 NEDO | 日経産業新聞 (2007年6月7日PP.13) | 精密なSiO2製の型をレンズ表面に押しつけ微細な凹凸構造を作って反射を抑制 凹凸の頂点間隔300nm | 250 260 310 |
| 2007年 9月号 | 45nm世代以降トランジスタしきい値電圧制御技術 | Selete 物質・材料研究機構 筑波大 早大 阪大 広島大 | 日刊工業新聞 (2007年6月12日PP.24) | 金属電極にAlを10%程度 電圧変動の要因となる絶縁膜中の酸素欠損を解消 窒化ハフニウムシリケート | 220 160 |
| 2007年 9月号 | CMOSトランジスタのしきい値電圧の仕組み解明 | 産総研 超先端電子技術開発機構 | 日刊工業新聞 (2007年6月12日PP.24) | 高誘電率絶縁膜 Si酸化膜と下部絶縁膜の界面でしきい値に大きくずれ Si酸化膜上の絶縁膜を0.1nm寸法で精度よく制御することが閾値電流を制御する鍵 | 120 220 160 |
| 2007年 9月号 | 周波数倍率10倍のシステムLSI用クロック発生回路 | 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年6月13日PP.9) | クロック周波数範囲40～400MHz 回路線幅90nm半導体で試作 | 220 |
| 2007年 9月号 | 45nm半導体の製造工程を2割削減する技術 | NECエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2007年6月14日PP.9) | 絶縁膜にHfを加えることにより絶縁体の厚みでトランジスタの特性を決定 不純物添加工程が1/6 | 120 160 |
| 2007年 9月号 | 銅微粒子によるコンデンサ電極 | 東大 | 日経産業新聞 (2007年6月14日PP.13) | 銅微粒子に熱処理を施す 微細粒子を約百nmの大きさで均一に作製 | 120 |
| 2007年 9月号 | スピンの向きがそろった電子の室温での移動に成功 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2007年6月21日PP.33) | 2つのコバルト電極 幅250nmのグラフェンを通過してもスピンの向きがそろった電子の移動を示す電圧変化を観測 | 120 |
| 2007年 9月号 | 単層CNT高速成長法の再現に成功 | 東大 | 日刊工業新聞 (2007年6月21日PP.33) | スーパーグロース法 アルミナ基板 平均膜厚0.5nm程度の鉄触媒 長さ2～3mm 直径平均4nm程度 10分間で合成 | 120 160 |
| 2007年 9月号 | 可視光通信の標準規格制定 | JEITA | 日経産業新聞 (2007年6月28日PP.3) | 可視光通信コンソーシアム 照明器具に組み込んだLEDを点滅し情報を送信 波長380～780nm 最大4.8kbps | 540 |
| 2007年 8月号 | オールSiの次世代半導体素子 | 日立 | 日経産業新聞 (2007年5月8日PP.11) | 信号伝達はすべて光 SiO2の絶縁層で挟んだ厚さ9nmのSi薄膜が発光 0.5mm離れたSi受光部 室温動作 | 160 220 |
| 2007年 8月号 | 光の吸収領域を拡張できる単層CNT | 産総研 | 日刊工業新聞 (2007年5月18日PP.24) | 色素分子を内包 スクアリリウム色素 波長950nm前後に加え700nm前後の赤外光を吸収し発光 光機能材料 | 120 210 240 |
| 2007年 8月号 | 容量10倍の磁気テープ -テープ1本で10TB- | 日立マクセル 東工大 | 日経産業新聞 (2007年5月18日PP.1) | 酸化鉄をArガス中での放電を利用して気化しスパッタ 磁性粒子10nm以下 記録層の厚さ1/10 | 130 160 230 |
| 2007年 8月号 | HDの容量を10倍にする磁気ヘッド向け要素技術 | 東芝 東北大 | 日経産業新聞 (2007年5月21日PP.8) | 高い磁気抵抗比 低い素子抵抗 ナノコンタクト MgOの基板上にNi-Feの電極 電極の数十nmの隙間をNi-Feでつなぐ 最も細い部分1nm幅 磁気抵抗比室温で140% | 120 230 |
| 2007年 8月号 | 回路線幅26nmの微細加工に成功 | NEDO | 日経産業新聞 (2007年5月31日PP.3) | 極紫外線(EUV)露光 光源波長13.5nm 0.5mmの範囲に幅26nmの回路を転写 反射型マスク 高性能反射鏡 | 160 |
| 2007年 7月号 | 透明導電膜を粒子塗布で製作 | 東北大 DOWAエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2007年4月4日PP.12) | InとSnイオン混合溶液を加熱してゲル状にする ITO 大きさ50～100nmの微粒子立方体 | 160 250 |
| 2007年 7月号 | 高品質多結晶Si薄膜を熱処理により5秒で作成技術 | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2007年4月6日PP.1) | フェリチン(鉄貯蔵タンパク質) 直径7nmのNiを触媒として内包 非晶質Si薄膜 650℃で熱処理 プラスチック基板上に高性能TFTを作成可能 | 160 250 |
| 2007年 7月号 | Siを用いた1/100サイズの光スイッチ | NEC | 日経産業新聞 (2007年4月12日PP.1) | 光スイッチサイズ縦0.2mm横0.12mm シリコンナノフォトニクス 光の分岐点の角度をミクロン単位に鋭角化 | 140 240 |
| 2007年 7月号 | 大型有機EL量産技術 | ソニー | 日経産業新聞 (2007年4月13日PP.3) | 40型も量産可能 アモルファスSiをベースとしたマイクロSiTFT シリコンナノフォトニクス | 250 |
| 2007年 7月号 | リング状金属によりレンズの屈折率を高める技術 | 理化学研 | 日経産業新聞 (2007年4月18日PP.11) | 波長1/10～1/4のリングにより透磁率が高まり屈折率増大 AgNO3を透明材料に加えフェムト秒レーザで還元 直径約6nmのリング状金属 | 120 310 |
| 2007年 6月号 | ナノ構造物を半導体基板上に作製 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年3月9日PP.8) | 透過型電子顕微鏡 形成したい元素の酸化化合物ガスを吹き込んで電子ビーム照射 大きさ数nmのアンテナ型構造物を作製 | 160 |
| 2007年 6月号 | 深紫外固体紫外線レーザ | 三菱電機 阪大 | 電波新聞 (2007年3月15日PP.6) | 波長213nm 出力10W LD励起固体レーザの基本ユニットを最大9段まで連結 非線形光学結晶により波長変換 | 160 250 |
| 2007年 6月号 | ナノテクノロジー応用の高誘電率半導体素材 -記憶容量100倍に- | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年3月23日PP.11) | 厚さ約1nm横幅数十μmのシート状の酸化チタン 5～15nmの積層薄膜 | 120 |
| 2007年 6月号 | 鉄白金微粒子を基板上に成膜 -HDD容量10倍以上- | 東芝 | 日経産業新聞 (2007年3月27日PP.9) | 垂直磁気記録方式 CVD 酸化マグネシウム基板 直径5nmの微粒子 1.8インチHDDで1Tb | 130 160 230 260 |
| 2007年 6月号 | 赤外光伝送を10倍効率化 | 富士通研 東工大 | 日経産業新聞 (2007年3月29日PP.13) | Siと赤外光を通す薄膜上結晶の間に酸化セシウムなどでできた厚さ200nmの中間層 | 120 160 |
| 2007年 6月号 | 鮮明の動画を撮影でき 撮影速度2.6倍の顕微鏡 | 金沢大 | 日経産業新聞 (2007年3月9日PP.1) | ナノメートル単位の「探針」で物質の表面をなぞり分子レベルで観察できる原子間力顕微鏡(AFM) | 360 |
| 2007年 6月号 | 1ナノで室温垂直磁化 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2007年3月16日PP.22) | 鉄プラチナ規則合金薄膜 円偏光X線 | 230 |
| 2007年 5月号 | 中性粒子ビームで直径10nm厚さ2nmの円盤構造作成 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年2月19日PP.11) | 量子効果を室温で確認 塩素原子を基に電荷を持たない中性粒子ビーム加工技術 | 160 |
| 2007年 5月号 | 波長1.3μmの単一光子LEDと安全性を向上した量子暗号通信 | 英東芝欧州研 英ケンブリッジ大 英ロンドン王立大 | 日刊工業新聞 (2007年2月21日PP.24) 日経産業新聞 (2007年2月21日PP.10) 電波新聞 (2007年2月21日PP.1) | 新光源 デコイ手法 単一方向型量子暗号鍵配信技術 距離25kmで5.5kbpsの最終鍵配信速度を実証GaAsからなる基板上に直径45nm高さ10nmの量子ドットを形成 | 250 420 440 |
| 2007年 5月号 | 高速磁気光による映写技術 | 豪パノラマ・ラブズ | 電波新聞 (2007年2月22日PP.3) | ナノスケール構造でピクセルの輝度を15nsという超高速で切替える プラズマやDLPより1000倍LCDより100万倍速い | 250 350 |
| 2007年 5月号 | RGB3色発光の新結晶 | 岩手大 | 日経産業新聞 (2007年2月26日PP.8) | 硫酸カリウムの中に部分的にアミノベンゼンスルホン酸を溶かして冷却 1cm角の結晶 波長355nmのレーザを照射 リン光 量子効率70% | 120 160 250 |
| 2007年 5月号 | 直径平均3nmのITOナノ粒子を作製 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2007年2月26日PP.22) | 粒径20～100nmのITO粒子にパルスレーザを集光照射 液相レーザアブレーション技術 In使用量削減 | 160 |
| 2007年 4月号 | 次世代HD用酸化アルミ膜 | 山形富士通 富士通研 神奈川科学技術アカデミー | 日刊工業新聞 (2007年1月11日PP.27) | 酸化アルミニウム膜 ハードディスク 25nm間隔の穴 磁性金属 記録容量5倍以上 1Tbpi | 230 260 |
| 2007年 4月号 | 単電子トランジスタ試作 | 東大 | 日経産業新聞 (2007年1月19日PP.9) | 大きさ2nmの量子ドット | 220 160 |
| 2007年 4月号 | 位置決め精度3nmの小型駆動装置 | 東大 仏国立科学研究センター(CNRS) | 日経産業新聞 (2007年1月31日PP.15) | 大きさ縦0.5mm×横5mm 12枚のT字型板をバネでつなぐ 最大変位8.6μm | 250 260 |
| 2007年 4月号 | HDDヘッド用光素子開発 | 富士通 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年1月15日PP.19) | 照射部面積が縦88×横60nm 酸化タンタル 熱アシスト磁気記録ヘッド | 230 |
| 2007年 3月号 | PRAM駆動電力1/10 | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2006年12月13日PP.9) | 記録層と絶縁膜の間に厚さ2～3nmのTa2O5薄膜 記録時電流数百μA | 160 230 |
| 2007年 3月号 | 光電変換CNT | 東大 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 電子を放出する層を電子を受け取る分子の層で包んだ中空構造 直径16nm 壁の厚さ3nm 長さ数μm | 120 |
| 2007年 3月号 | 駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年12月15日PP.30) | 雪かき効果 金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2～3nm厚に偏析した層を形成 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 可視光・近赤外同時撮像可能なCMOSカメラ | 豊田中研 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 波長780～1100nmの近赤外線 二つある緑色カラーフィルタの一つを近赤外線用に変更 画素サイズ7.4μm角 | 210 |
| 2007年 3月号 | 線幅32nmLSI性能2倍に | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ 0.1%で解析 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 動作速度2割向上した線幅45nmトランジスタ | 富士通 富士通研 | 日経産業新聞 (2006年12月19日PP.11) | 電流低下や電流漏れを抑制 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 1ns間光を閉じ込める新共振器構造 | NTT | 日刊工業新聞 (2006年12月25日PP.15) | フォトニック結晶 導波路の幅を変調 直径200nm程度の穴を三角格子状に配列 穴の位置を局所的に3～9nm移動 Q値120万 | 160 240 |
| 2007年 2月号 | 回路線幅55nmのシステムLSI量産技術 | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年11月6日PP.1) | DRAM混載 液浸露光 ゲート絶縁膜上にハフニウム極薄膜 | 160 |
| 2007年 2月号 | 凹凸がナノ級のUV照射無電解メッキ | 関東学院大 | 日刊工業新聞 (2006年11月16日PP.1) | ポリイミドフィルム 液晶ポリマー 数分間のUV照射で材料に凹凸をつけずに表面改質 Cu・Ni・Pの合金を下地メッキ スパッタリングに比べて低コスト | 160 |
| 2007年 2月号 | フェムト秒レーザ照射で単結晶の格子欠陥確認 | 京大 東大 | 日刊工業新聞 (2006年11月20日PP.19) | 特定方向に数nm幅の転位線 クロス形状の構造MgO結晶 | 120 |
| 2007年 2月号 | 炭素のナノ粒子を簡単に作製 -Liイオン2次電池電極材料に使用- | 宮崎大 | 日経産業新聞 (2006年11月24日PP.10) | レゾルシノールとホルムアルデヒドを添加剤を加えて水溶液に入れて90℃で加熱 N2ガス中で約1000℃に加熱 | |
| 2007年 1月号 | LED向けGaN結晶を横向きに成長させる技術 | ローム | 日経産業新聞 (2006年10月18日PP.9) | 緑色レーザ 六角柱の結晶構造 トリメチルガリウム アンモニア 2mW出力 波長500nmの光を出すことに成功 | 160 250 |
| 2007年 1月号 | HDD磁気ヘッド用積層型光素子 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年10月19日PP.25) | 熱アシスト磁気記録方式 波長の15%に相当する88nm×60nmの光ビーム径 Si材料を用いて光の透過層を積層 波長400nmの光で17%の光利用効率 | 120 230 |
| 2007年 1月号 | 有機薄膜太陽電池の光電変換効率を向上 | 東大 | 日経産業新聞 (2006年10月25日PP.9) | 電極に直径約30nmの無数の突起 1.25cm×2.5cmの試作電池で効率2.7% ポリチオフェン フラーレンを含む有機高分子 | 120 250 |
| 2006年12月号 | フィルム中に金ナノ粒子を作製 -立体ナノ配線に道- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年9月4日PP.28) | PVAフィルム ラジカル前駆体(ベンゾフェノン)と金イオン1～5%をドープ 波長が異なる二つのレーザを照射 ギ酸がない場合に比べ金ナノ粒子の生成速度は約20倍 | 260 160 |
| 2006年12月号 | DRAMの消費電力を10%削減 -絶縁膜材料に水使用- | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年9月14日PP.37) | Al2O3絶縁膜 成膜時間半減 シリコン酸窒化膜 漏れ電流抑制 界面の酸化を回避 酸化膜換算膜圧2.9nm | 230 160 |
| 2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
| 2006年12月号 | 明るさ1.8倍のLED | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年9月21日PP.11) | ナノサイズの微細な凹凸 自己組織化 ポリスチレン ポリメタクリル酸メチル 高分子塗布 200℃で加熱 150～200nm間隔に直径100nm高さ450～500nmの円柱状の突起 | 250 160 |
| 2006年11月号 | ZnOの液晶パネル用透明導電膜 | 高知工科大 | 日経産業新聞 (2006年8月4日PP.1) | ZnOで酸化インジウムスズ(ITO)並みの電気抵抗を実現 反応性プラズマ蒸着装置 膜厚30nmで電気抵抗率4.4μΩm | 160 250 |
| 2006年11月号 | 光導波路向け微細金型 | アルプス電気 | 日経産業新聞 (2006年8月11日PP.1) | MEMS 導線幅10μm ナノインプリント 光導波路 | 160 260 |
| 2006年11月号 | 有機ナノデバイス -整流作用を確認- | 自然科学研究機構 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年8月24日PP.1) | nm径の円筒状単層CNTにポルフィリン分子吸着 自己組織化 Si製の1/10 | 120 160 220 |
| 2006年11月号 | カーボンナノウォールを効率よく大量生産 | 横浜市大 石川島播磨 | 日刊工業新聞 (2006年8月28日PP.1) | プラズマCVD装置 約10㎝角の基板でも均一に作製可能 | 120 160 |
| 2006年11月号 | 長さ3.5mmで光を100倍増幅する高分子光導波路 | KRI | 日刊工業新聞 (2006年8月29日PP.1) | ナノ粒子合成・分散技術 ユーロピウムを添加 希土類-金属ナノクラスタ 消光現象を抑制 希土類元素の添加濃度5% | 160 240 |
| 2006年10月号 | 立体映像を記録したホログラムの安価量産技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年7月11日PP.10) | ナノインプリント 微細金型 透明レジスト膜 光硬化性樹脂 紫外線照射 | 160 430 |
| 2006年10月号 | SiでLED | 日立 | 日経産業新聞 (2006年7月25日PP.10) | 厚さ9nm 発光波長約1000nm 厚さ700μmのSi基板上に厚さ約200nmのSi酸化膜とそのうえに厚さ50nmのSi膜 | 160 250 |
| 2006年 9月号 | 強度2倍層間絶縁膜 -50nm世代メモリー向け- | 日立 日立化成 | 日刊工業新聞 (2006年6月13日PP.27) | 塗布型 強固な分子構造 耐熱性800℃ 比誘電率2.4 薬品耐性向上 平坦性維持 | 160 |
| 2006年 9月号 | 55nm素子形成技術 -SRAMで実用性確認- | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜 トランジスタのしきい値制御範囲拡大 漏れ電流10%低減 ArF液浸露光装置 | 160 220 |
| 2006年 9月号 | 色でナノ構造観察する光学顕微鏡 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年6月21日PP.31) | 散乱光の色の変化 約20nmの金属針 波長532nmの光照射 CNTの構造変化を測定 | 210 320 360 |
| 2006年 9月号 | 縦型構造のGaNトランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2006年6月28日PP.1) | 微細セルフアライン工程 チャネル幅0.3μm 単位デバイス幅1.2μm In・Alを添加したInAlGaN4元混晶を20nm成長 | 160 220 |
| 2006年 8月号 | 単層CNTの新合成技術 -後処理不要 純度97%ー | 産総研 | 日刊工業新聞 (2006年5月12日PP.25) 日経産業新聞 (2006年5月12日PP.9) | 構造欠陥1/10以下 直噴熱分解合成法(DIPS法)を改良 量産性100倍 CNTの直径を0.1nm単位で制御可能 | 120 160 |
| 2006年 8月号 | ストレージ用磁気テープの基礎技術 -記録密度15倍以上へ- | 富士写真フイルム 米IBM | 日経産業新聞 (2006年5月17日PP.1) | 6.67Gbpiの記録密度 酸化鉄粒子層の上に65nm厚でバリウムフェライトを塗布 粒子直径21nm 長期保存性 テープ1巻あたり8Tbyte目標 | 130 120 160 |
| 2006年 7月号 | 次世代半導体メモリー -蓄積電荷5倍の新材料を開発- | 東工大 富士通 | 日経産業新聞 (2006年4月3日PP.17) | FeRAM ビスマスフェライト(BFO)に微量のMnを加えた新材料 65nmまで微細化可能 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 液体でSiTFT | セイコーエプソン JSR | 朝日新聞 (2006年4月6日PP.3) 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.9) | HとSiを含む液体材料 回転塗布またはインクジェットで成膜 厚さ300nmのSi膜パターン シラン化合物 500℃前後で焼成 コスト半分 消費電力1/10程度 | 120 160 220 250 |
| 2006年 7月号 | 光100%透過の新材料を設計 | 理化学研 | 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.10) | ポリマーの中に外径60nm内径40nmの金属リングを規則的に配置した構造 リング状金属 通信時の損失防ぐ | 140 120 |
| 2006年 7月号 | 黒鉛基板上の銀ナノ粒子加熱で液化せず蒸発 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年4月12日PP.29) | 透過型電子顕微鏡(TEM) 黒鉛基板を680℃で保持 約2分で消滅 ナノ粒子により融点が下がる | 160 |
| 2006年 7月号 | 1TbitHDD向けパターン磁気記録技術 | 早大 | 日刊工業新聞 (2006年4月18日PP.33) | 湿式法 直径10nmの微細孔 直径2nmの有機シラン Co系合金 ドット径10～20nmの磁性ナノドットアレイ | 120 160 230 |
| 2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
| 2006年 6月号 | 屈折限界超すナノレンズ -金属ナノ構造と光の相互作用で実現した波長を超える高解像度- | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2006年3月2日PP.27) | 表面プラズモン 金属ロッドアレイ メタマテリアル構造 生体細胞ナノサイズで撮影可能 光の収差 プラズモニクス 金属錯イオンを2光子還元 負の屈折率 | 120 160 310 |
| 2006年 6月号 | マルチモードファイバ(MMF) -10Gbps 300mの伝送に成功- | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 温度無依存の量子ドットレーザ(QDLD) 3Dのナノ構造に電子が閉じ込められて発光 冷却機・電流駆動制御不要 | 240 120 |
| 2006年 6月号 | 白色レーザ発振可能なフッ化物ファイバ | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 1本で青色半導体レーザを白色レーザとして連続発振 PrをAlF系ガラスに含ませた独自素材 522nm・635nmとあわせ440nm ディスプレイ光源 高い変換効率 三原色の高い色再現性 | 120 160 240 250 |
| 2006年 6月号 | 有機ELを光源に使用した印字ヘッド | セイコーエプソン | 日経産業新聞 (2006年3月15日PP.9) | 厚さ0.5mmのガラス基板上に有機EL素材をnm単位の厚さで塗布 印字品質向上と小型化 体積比で1割 | 250 |
| 2006年 6月号 | 次期光波網用MEMS中空導波路 -波長可変幅1桁向上- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2006年3月22日PP.19) | 微小電気機械システム 中空コア 上の反射板のMEMSで波長を変化 下の反射板の回折格子で波長選択 数百nmの変化幅 | 160 240 250 |
| 2006年 6月号 | 光で動く分子ピンセット | 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月23日PP.31) | 大きさは1nm 伸縮はアゾベンゼン 軸回転はフェロセン 塩基分子をつかむ亜鉛ポルフィリン 分子ロボット | 120 160 |
| 2006年 6月号 | 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)新材料 -記憶保持能力を5倍に- | 東工大 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.33) | ビスマスフェライト(BFO)にMnを加えて漏れ電流低減 65nm世代で256MB実現 | 120 230 |
| 2006年 6月号 | 高解像度CMOSセンサ -光で距離と画像を認識- | シャープ 静大 スズキ | 電波新聞 (2006年3月24日PP.1) 日経産業新聞 (2006年3月24日PP.8) 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.12) | LED光源からの近赤外光が対象物で反射しセンサまでの光の飛行距離と光の速度から距離計算 信号電荷検出機能を集積化 TOF OVGA 距離分解能パルス幅20nm距離1mで1cm 68ピンLCCパッケージ | 210 220 320 |
| 2006年 6月号 | 再構成可能な光合分波器 -フォトニック結晶で実現- | 東大 NEC | 日刊工業新聞 (2006年3月29日PP.37) | 波長を変えて光経路を切替え R-OADM PCの対応波長幅約10nm 埋込みSOI基板のSi層に周期的に孔 | 160 240 |
| 2006年 5月号 | すりつぶすだけでナノ結晶 | 海洋研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2006年2月2日PP.1) | フラーレン C60 C70 数分すりつぶす 約30%が直径数μm以下 毒性なし | 120 160 |
| 2006年 5月号 | LED型量子暗号通信素子 | 東芝欧州研究所 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 量子もつれ光子対を任意に発生 高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造 半導体素子 | 120 240 250 220 |
| 2006年 5月号 | たんぱく質で半導体メモリー | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2006年2月9日PP.27) | 不揮発性半導体メモリー フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子 フェリチンの外径13nm | 120 220 230 |
| 2006年 5月号 | キャパシタの蓄電効率10%改善 -電極抵抗1/4に- | 東海大 | 日経産業新聞 (2006年2月15日PP.11) | ナノテク素材 電気二重層キャパシタ 50mgの活性炭に直径10nm長さ100μmのCNT加え直径約1cm厚さ1mmの電極 電極の抵抗2.5Ω 厚さ3mmで2.5F | 120 160 250 |
| 2006年 5月号 | 銅ナノインク開発 | 旭化成 | 日刊工業新聞 (2006年2月22日PP.23) | 印刷技術活用 Cu配線や薄膜を低コスト形成 厚さや線幅をμmオーダーで制御可能 酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合 塗布後焼成 エッチング工程不要 | 130 160 120 |
| 2006年 5月号 | 回路線幅29.9nmパターン生成 -深紫外線光リソグラフィ- | 米IBM JSR | 電波新聞 (2006年2月22日PP.3) 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.3) | DUV193nm 光屈折率液侵技術 石英レンズや有機液体などの新素材 EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能 独自開発のフォトレジスト | 120 160 |
| 2006年 5月号 | 電界集中効果2割増のCNT束エミッタ -ランプやディスプレイなど多用途- | 高知工科大 大阪大 ソナック | 日刊工業新聞 (2006年2月24日PP.29) | しきい電界強度0.4～3V/μm 直径50μm 高さ125μm 個々のCNTの直径9nm フォトエッチング法 CVD法 | 160 250 |
| 2006年 4月号 | ペースト状ナノ粒子 -幅20μm配線可能に- | 大研化学工業 大阪市立工業研 | 日経産業新聞 (2006年1月1日PP.21) | AgとPdの合金ナノ粒子 直径5nm 樹脂と混ぜる スクリーン印刷 プラスチック基板に回路パターンを書く 加熱300℃で樹脂が分解 | 120 160 |
| 2006年 4月号 | 金属内包フラーレン1個でスイッチ動作 | 東工大 名大 | 電波新聞 (2006年1月5日PP.7) | 分子ナノデバイス 融合新興分野 Tb@C82 自己組織化分子膜 測定温度-260℃ | 120 160 660 |
| 2006年 4月号 | 通電にまっすぐになるコイル状CNT ―原子構造変化を解明- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2006年1月19日PP.26) | 2層CNT 円周電流密度0.9μA/nmでコイルがゆるみはじめ 2.2μA/nmで大きく変形 2.6μA/nmで直線状 電流による局所的な高温状態により曲面にある五角形 七角形の原子構造が六角形に変化 | 120 130 |
| 2006年 4月号 | 液晶フィルム新素材 | 慶応大 JST | 日本経済新聞 (2006年1月20日PP.17) | 複屈折を抑えるnmサイズの微粒子 ポリカーボネート樹脂に約50nmのSrCO3粒子を加える 押し出し成形 40μm厚 | 120 160 |
| 2006年 3月号 | 10nm未満素子集積にめど
-バルク素子のオンオフ電流比を6倍に- | NEC NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2005年12月5日PP.22) | 自己整合的に10nmのソースドレイン拡張領域(SDE)と厚いソースドレイン(S/D)を一度に作り上げるSi選択成長によるせり上げ技術 酸化Siライナー | 160 220 |
| 2006年 3月号 | 立体構造トランジスタの製造技術
-32nmLSI実現へ- | 東芝 | 日経産業新聞 (2005年12月8日PP.10) | フィンFET ゲート長20nm 不純物によりリーク電流を抑圧 寸法のばらつきをなくし歩留まり向上 基板上に立てたチャネルをゲートが挟み込む構造 | 160 220 230 |
| 2006年 3月号 | 明るさ256倍の白色LED材料 | 出光興産 慶応大 | 日経産業新聞 (2005年12月15日PP.11) | 直径10nmの蛍光体粒子にして光の散乱を抑圧 YAG(Y3Al5O12)蛍光体 青色LEDからの光を吸収し白色光を出す 光の透過率80% 300℃の液体中で加圧合成 | 120 160 250 |
| 2006年 3月号 | 起立型ダブルゲートMOSトランジスタ
-中性粒子ビームエッチング技術確立- | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月16日PP.6) | 時間変調塩素プラズマ 加速した負イオン効率よく中性化 Si基板表面の平坦性も1nm以下 | 160 360 |
| 2006年 3月号 | 光をねじるナノ「卍」 | 東大 | 朝日新聞 (2005年12月6日PP.7) | 厚さ95nm 偏光の向きが1.5度回転 500nm角の「卍」 | 120 250 260 |
| 2006年 3月号 | 金属ナノ構造で光ナノイメージング技術 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2005年12月22日PP.21) | 細い銀線(銀ナノ円柱)を剣山のように並べた構造 表面プラズモン ナノサイズの微細な構造までがクリアに結像 | 160 210 120 260 |
| 2006年 2月号 | ナノ構造の人工金薄膜 -旋光特性が自然界の500倍- | 東大 | 日刊工業新聞 (2005年11月14日PP.28) | 鏡面非対称のキラルパターン 25nm厚の金薄膜に500nmの卍型パターンを周期的に構成 可視光の偏光は1.5°回転 | 160 250 120 |
| 2006年 2月号 | Si基板にナノサイズのらせん孔 -深さ25μm 10分で形成- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2005年11月16日PP.25) | 直径100nm Pt粒子表面にH2O2が還元されて発生した活性酸素がSiを酸化しSiO2発生 HFによりSiO2が解けて孔発生 | 160 260 |
| 2006年 2月号 | 次世代光メモリー「RRAM」 -既存の電子材料- | NTT | 日経産業新聞 (2005年11月21日PP.10) | 抵抗式随時書き込み読み出しメモリー Bi4Ti3012の30～50nmの薄膜を電極で挟む ECRスパッタ法を利用 | 120 160 230 |
| 2006年 2月号 | 新イメージセンサSMPD | 韓国電子技術研 | 電波新聞 (2005年11月25日PP.3) | 単一キャリヤ変調フォトデテクタ 180nmプロセス技術 | 160 210 |
| 2006年 1月号 | 次世代メモリーPRAM | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2005年10月6日PP.1) | 1.5Vでデータの読み書き可能 厚さ100nmの薄膜をMOSトランジスタ上に配線 | 230 160 |
| 2006年 1月号 | ナタデココで新基板材 -曲がる有機EL- | パイオニア 京大 三菱化学 | 日経産業新聞 (2005年10月17日PP.21) | 厚さ1mm以下 ガラス並みの強度 熱膨張係数はSiの1/30 バイオナノファイバコンポジット 平行光線85%以上透過 繊維質 | 250 120 160 |
| 2006年 1月号 | 白色LED -粒子40nmに- | 日東電工 | 日経産業新聞 (2005年10月18日PP.1) | YAG蛍光体 気相法 光の散乱を押さえ込みやすい | 250 120 160 |
| 2006年 1月号 | 金型でLSI製造 -線幅40ナノ回路に対応- | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2005年10月19日PP.3) | 従来の1/10の時間で作ることに成功 ナノインプリント 8インチウェハサイズ エッチングやメッキなどの工程を改良 | 160 220 230 |
| 2006年 1月号 | 半導体デバイス閾値電圧を低減 -単一イオン注入法(SII)で不純物原子を制御- | 早大 | 日刊工業新聞 (2005年10月20日PP.1) | 閾値電圧ゆらぎ低減 閾値電圧0.4V 60nm精度の位置制御 Si基板にP原子を100nm間隔で規則配列注入 | 160 |
| 2006年 1月号 | 量子ドットを活用した半導体レーザ | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年10月24日PP.11) | InAs製 直径15nm GaAs基板上に1000億個/cm2形成 5層積層 波長1.3μmのレーザ光発振 10GHz高速光通信 | 160 250 120 |
| 2006年 1月号 | FELの発光効率高める | 高知県産業振興センター | 日経産業新聞 (2005年10月27日PP.8) | 厚さ10nm以下のダイヤモンド薄膜 カーボンナノウォール 1700cd/m2 発光効率60lm/W 5cm角の面発光光源試作 | 120 160 250 |
| 2005年12月号 | 16Gbフラッシュメモリー | サムスン電子 | 日経産業新聞 (2005年9月13日PP.3) | 回路線幅50nm フラッシュメモリー | 230 |
| 2005年12月号 | 線幅32nmを実現する液浸露光用高屈折率液体 | 三井化学 | 日刊工業新聞 (2005年9月13日PP.19) | 屈折率1.63 環状アルカンを液浸向けに最適化 高透明度 低粘度 デルファイ | 160 120 |
| 2005年12月号 | コスト1/20のSi光スイッチ | NICT | 日経産業新聞 (2005年9月16日PP.6) | 160Gbps通信用 Si光経路を渦巻き状 切替え時間3ps ナノメートル単位の細い線上の経路 | 120 160 240 |
| 2005年12月号 | 直径6nm強磁性微粒子 | 筑波大 | 日経産業新聞 (2005年9月27日PP.10) | HDD向け FePt 保磁力10Oe オレイン酸とオレイルアミンの混合液を使用 | 120 160 230 |
| 2005年11月号 | フラーレン分子ナノスイッチ
-SAMで向きを制御- | 東工大 名大 | 日刊工業新聞 (2005年8月2日PP.25) | Tb原子1個 電気的極性 双極子モーメント STM Au基板上に厚さ約1nmのSAMを堆積 -260℃ 分子スイッチ技術 | 120 160 220 |
| 2005年11月号 | 最高性能45nmトランジスタ
-電極に金属材料- | Selete | 日経産業新聞 (2005年8月12日PP.4) | 電極にタンタルシリサイド 電子移動度値が5割高 | 120 220 |
| 2005年11月号 | 量子コンピュータ素子をSiで試作
-保持時間2桁長い量子ビット- | 日立 英ケンブリッジ大 | 日刊工業新聞 (2005年8月22日PP.22) 日経産業新聞 (2005年8月22日PP.7) | 縦50nm×横150nm二重結合量子ドット 配線をなくす構造 コヒーレンス時間200ns 酸化膜埋込み基板(SOI) 電界を介したゲートで制御 | 120 220 |
| 2005年 9月号 | 単層CNT 最高密度の垂直成長 -ダイヤ薄膜成長技術を用いて成功- | 早大 | 日刊工業新聞 (2005年6月8日PP.25) | 先端アークマイクロ波プラズマ励起化学気相成長法(PAMPCVD) 0.5nm厚のFeをアルミナ薄膜で挟む構造 20時間で2mm成長 体積密度66kg/m3 | 120 160 |
| 2005年 9月号 | 単一のT字型量子細線光吸収を初めて観測 | 東大物性研 ベル研 | 日刊工業新聞 (2005年6月14日PP.27) | 量子細線 光吸収測定 量子細線レーザ 光変調器 GaAsとAlGaAsで断面が14×6nm | 120 360 660 |
| 2005年 9月号 | 分子細孔法を用いた45nLSI向け低誘電率膜 | NEC NECエレクトロニクス MIRAIプロジェクト | 日刊工業新聞 (2005年6月14日PP.27) | 内径1nm以下の環状シリカ材料 誘電率2.4 65n世代に対して倍の配線密度と16%減の配線容量 | 120 160 |
| 2005年 9月号 | 線幅32nmLSI向け新技術 -新構造TR・新多層配線技術- | MIRAIプロジェクト | 電波新聞 (2005年6月14日PP.1) 日経産業新聞 (2005年6月14日PP.7) | 高電流駆動力 プロセス損傷抑制可能 歪みSi薄膜 歪みGe薄膜 局所酸化濃縮法 ポーラシリカ低誘電絶縁材料 | 120 160 220 |
| 2005年 9月号 | 新概念LSIゲート絶縁膜 -Hf添加で移動度15～20%向上- | 日立 ルネサステクノロジ | 日刊工業新聞 (2005年6月15日PP.25) | 65nm世代 ゲート絶縁膜とゲート電極界面に短分子膜に満たない微量のHfO2添加 バンド構造 仕事関数を制御 | 120 160 220 |
| 2005年 9月号 | ナノ電子機械システム(MEMS) -二層CNTを電流で20～30度の塑性変形- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2005年6月24日PP.25) | 曲がる部分を五角形や七角形に変形 CNTの直径が太くなるほど曲げに必要なエネルギーは小さくなる TEMで観察 | 120 |
| 2005年 9月号 | 超高密度垂直磁気媒体制作技術 -陽極酸化アルミナナノホールを1次元配列- | 山形富士通 富士通研 KAST | 日刊工業新聞 (2005年6月27日PP.28) | Alの表面をナノインプリント技術で規則的な凹凸をつけて陽極酸化 凹部にナノホール ナノホールにCoを電気メッキで充填 ピッチ25nmで1Tb/sq inch可能 パターンドメディア垂直磁気記録層 | 120 160 230 |
| 2005年 8月号 | ディスク状ナノ磁石 -磁化回転を初制御- | 東大 | 日刊工業新聞 (2005年5月11日PP.23) | MRAMの高密度化に道 放射光を用いた小型光電子顕微鏡(PEEM)を開発し観測ディスク構造の下側に微少なタグ | 120 |
| 2005年 8月号 | 白色LED向け緑色蛍光体 -自然光の再現可能に- | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2005年5月19日PP.31) | 窒化ケイ素 アルミなど粉末混合で成功 省エネルギー 水銀不要 β-サイアロン結晶 発光波長540nm | 120 250 |
| 2005年 8月号 | 発光効率4～5倍のLED -フォトニック結晶を導入し 不要な発光を禁止- | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2005年5月27日PP.37) 日経産業新聞 (2005年5月27日PP.6) 読売新聞 (2005年5月27日PP.38) | 基本原理を実証 半導体に微細な周期構造 200nm厚のInGaAsP板に390～480nm間隔の穴 特定の波長(バンドギャップ波長)の光を禁止する性質 エネルギー再配分 | 250 160 |
| 2005年 7月号 | 光硬化樹脂を用いたカーボンファイバ整列技術 | 首都大 | 日刊工業新聞 (2005年4月13日PP.27) | 垂直に揃える 引っ張り上げながら紫外線で硬化 直径150nmのカーボンファイバ混入光硬化樹脂をアクリル基板に吐出 5%で密集 FED用電子銃 | 120 160 |
| 2005年 6月号 | 1本の光ファイバに1000波長多重伝送 -10倍の波長数と8倍の高密度伝送- | NTT | 日本経済新聞 (2005年3月9日PP.11) 日刊工業新聞 (2005年3月9日PP.27) | 10Tbps 1046波長で63kmを往復 6.25GHz(波長0.16nm)間隔の超高密度1000波WDM信号を波長単位に分離 JGNIIで126km伝送 スーパーコンティニゥム 波長アレイ導波格子(AWG) | 240 340 440 |
| 2005年 6月号 | CNTの密度を定量測定 -TEM断面像を利用- | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年3月15日PP.26) | TEMの試料作成手法を応用 平面テレビ用CNT電子銃の密度最適化に応用 スライス間隔80nm | 120 660 |
| 2005年 6月号 | 1Tb級光スイッチ -エネルギー1/5で稼働- 図 | FESTA | 日経産業新聞 (2005年3月15日PP.7) | 制御用レーザ光出力100pJが20pJに 結合量子井戸構造 Al/As/Sb層とIn/Ga/As層の間に1nm以下のAl/As層 | 120 160 240 |
| 2005年 6月号 | 単層有機ELパネル -インタカレーターを使い高い発光効率- | 九大 | 日刊工業新聞 (2005年3月28日PP.1) | 多環芳香族分子 蛍光色素 大きさ約900の低分子 厚さ30nm 電圧7.7V 電流0.1Aで760cd/cm2 | 250 160 |
| 2005年 6月号 | 世界最高速GaNトランジスタ | 情通機構 | 日経産業新聞 (2005年3月29日PP.9) | 最高動作周波数152GHz ゲート長60nm ミリ波 | 220 160 |
| 2005年 6月号 | 1分で充電可能なリチウムイオン電池 | 東芝 | 日経産業新聞 (2005年3月30日PP.10) 日刊工業新聞 (2005年3月30日PP.14) | ナノテクノロジー 充電時間1/60 試作電池の厚さ約4mm×長さ約6㎝×幅3.5㎝ 重さ16g 金属のナノ微粒子を均一に並べた負電極 | 250 160 |
| 2005年 6月号 | 燃料電池向けの微細・均等な新触媒 | 日立マクセル | 日経産業新聞 (2005年3月31日PP.7) | PrRuにPを添加 触媒直径2nm 粒径ばらつき1.5～2.5nm | 250 160 |
| 2005年 5月号 | 電子放出2倍のナノチューブ | 筑波大 東京学芸大 | 日経産業新聞 (2005年2月1日PP.9) | 表面にケイ素化合物 電圧140Vで蛍光体発光に充分な電子放出 | 120 |
| 2005年 5月号 | 微細孔1平方インチに400Gb | 群馬大 太陽誘電 日本ビクター | 日刊工業新聞 (2005年2月2日PP.1) | 超高密度ディスク用 外径20nm 電子描画技術 | 230 160 |
| 2005年 5月号 | 2層CNT -高純度生成とナノペーパ調製- | 信州大 | 日刊工業新聞 (2005年2月3日PP.23) | 単層CNTと多層CNTlの良さを併せ持つ 気相成長法に新製法 DWNT | 120 160 |
| 2005年 5月号 | 32nm世代の壁を越えた超微細化SRAM技術 | NEC | 日刊工業新聞 (2005年2月9日PP.1) | 読出しループを切ってデータを反転させない役割の素子 CMOSロジックとともに微細化・低電圧化に対応 面積9%増 | 160 230 |
| 2005年 5月号 | 半導体二重ナノリング | 物材機構 | 日経産業新聞 (2005年2月15日PP.8) | GaAs製 内側リング直径40～50nm 外側リング直径100nm 高さ4～5nm 分子線エピタキシ 2ビット/リングの記録素子 | 120 160 230 |
| 2005年 5月号 | 希土類元素をナノクラスタにした次世代白色LED材料 | KRI | 日刊工業新聞 (2005年2月21日PP.1) | 希土類元素の周囲にAlなどの金属を配した1～2nmサイズのクラスタ 有機溶媒にEu(赤)Tb(緑)Ce(青)を添加したクラスタに紫外線を照射 | 250 |
| 2005年 4月号 | 棒状金ナノ粒子 -吸収する光の領域自在に- | 三菱マテリアル | 日経産業新聞 (2005年1月1日PP.17) | 直径5～50nm 長さ20nm～数μm 塩化金酸H[AuCl4(下付)]・4H2(下付)O溶液に界面活性剤をいれ電流や光 600～1300nm波長光 | 120 160 |
| 2005年 4月号 | 省エネ・高速ナノスイッチ -消費電力半導体の1/100万- | 物材機構 科学技術振興機構 理研 | 朝日新聞 (2005年1月6日PP.2) 日経産業新聞 (2005年1月6日PP.7) 日刊工業新聞 (2005年1月6日PP.25) | 原子スイッチ 消費電力を1nW Ag突起の伸び縮み Ag2(下付)S電極とPt電極を1nm間隔 固体電解質の特性利用 金属原子の動き1個単位で精密制御 | 120 160 220 |
| 2005年 4月号 | CNCの量産技術 -合成速度が15倍に 燃料電池電極に応用- | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2005年1月10日PP.1) | 触媒を載せた基板を電気炉に自動で連続投入 温度650～800℃ FeとSnの混合触媒 直径200～700nm 長さ1～150μmの螺旋形状のCNCを2g/hr生産 | 120 250 |
| 2005年 4月号 | リチウム電池新電極 -携帯充電1～2分に- | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年1月19日PP.7) | パワー密度8000～10000W/kg 結晶性金属酸化物複合ナノポーラス材料 Cu2O | 250 120 |
| 2005年 4月号 | CNT高純度回収法 | 筑波大 東京学芸大 | 日経産業新聞 (2005年1月20日PP.7) | 直径1.4nmの単層CNTが3割程度含まれる市販品で実験 カロ酸 アミン 純度96% | 120 160 |
| 2005年 4月号 | 薄くて曲げられる有機ELディスプレイ -フレキシブル透明基板と有機発光TRを開発- | 京大 パイオニア 三菱化学 ローム | 日本経済新聞 (2005年1月25日) 電波新聞 (2005年1月26日PP.1) | 名刺サイズ 厚さ0.2mm 生物が作り出した特殊な繊維 直径100nmのバイオナノファイバコンポジット 発光外部量子効率0.8% 輝度300cd/m2(上付) | 120 160 220 250 |
| 2005年 4月号 | 強度ダイヤモンド並みの導電性炭素皮膜 -ハードディスク保護膜向け- | NTTアフティ | 日経産業新聞 (2005年1月27日PP.9) | 厚み約40nm 直径2～3nmの筒状炭素分子が林立 1000℃までの耐熱性 | 230 120 |
| 2005年 4月号 | 有機薄膜太陽電池 -エネルギー変換効率4%- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2005年1月28日PP.26) | n型有機半導体にフラーレン p型に亜鉛フタロシアニン使用 i層により実効的な接合面積を増加 厚さp層5nm・i層15nm・n層30nm Pn接合の界面にナノ構造のi層を挿入 タンダム積層 | 120 160 250 |
| 2005年 3月号 | 数百倍高輝度なLED -柱状ナノ構造で実現 GaN系- | 上智大 | 日刊工業新聞 (2004年12月7日PP.29) | 多重量子ディスク(MQD)ナノコラム構造 100～200nm径 高周波分子線エピタキシャル成長で無欠陥形成 | 250 160 |
| 2005年 3月号 | 携帯電話向けトランジスタ -消費電力1/10に- | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2004年12月14日PP.9) | データ処理速度2割向上 65nm半導体向け 絶縁膜厚さ10nm | 220 |
| 2005年 3月号 | 次世代LSIの電流漏れカット | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年12月17日PP.7) 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | ニッケルシリサイド層の形成前にSiにFを含ませNiの拡散を抑える 45nm半導体向け | 220 160 |
| 2005年 3月号 | トンネル絶縁膜厚さ2.7nmのフラッシュメモリー -二重接合技術で実現- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | 1nmの2枚のシリコン酸化膜で2nm径のシリコン微結晶をサンドウィッチ クーロンブロッケード効果 単一電子素子 | 160 230 |
| 2005年 3月号 | ナノコイル15倍速合成 | 豊橋技科大 東邦ガス 双葉電子工業 日本バルカー工業 | 日経産業新聞 (2004年12月20日PP.8) | 直径200～700nm 長さ1～150μm 1時間あたり2g生産可能 C2H2 CNT合成可能 | 120 160 |
| 2005年 3月号 | 単層カーボンナノチューブ内に室温・大気圧で氷形成 | 産総研 都立大 | 日刊工業新聞 (2004年12月21日PP.21) | 平均直径1.17のCNT 先端や側面に微小な穴を開けた後水蒸気にさらす 室温27℃で5角形のチューブ状の氷 | 120 160 |
| 2005年 3月号 | 線幅50nmのSRAM -誘電率高い新材料使用- | Selete | 日経産業新聞 (2004年12月21日PP.7) | 高温にさらす時間を1/100にして結晶化を防ぐ HfSiO 容量1Mb 漏れ電流0.1A以下/cm2(実効膜厚1.2nm) | 160 230 |
| 2005年 3月号 | 簡便な金薄膜形成技術 | 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2004年12月27日PP.11) | 金ナノ粒子とチオール分子を含む室温溶液にプラスチック基板を浸して攪拌 薄膜形成時間4時間 45nm厚 | 120 160 350 |
| 2005年 2月号 | 次々世代光ディスク -DVD1枚で映画100本分記録- | パイオニア | 日経産業新聞 (2004年11月8日PP.8) | 500GB記録可能 電子線描画 ピット間隔約70nm 感光性樹脂を塗った炭素基板 紫外線レーザ | 230 |
| 2005年 2月号 | 光交換機 -光ファイバで1Tbps処理- | フェムト秒テクノロジ研究機構 | 日経産業新聞 (2004年11月12日PP.7) | 仮想励起 AlGaAsとAlAsを交互に50層 1層の厚み100～120nm | 240 340 |
| 2005年 2月号 | 積層型3次元LSIを量産 -次世代機器向け用途開拓- | 東北大 ザイキューブ | 日刊工業新聞 (2004年11月16日PP.25) | センサチップ・アナログLSI・論理LSI・CPU・メモリーなどを積層 トレンチ溝 マイクロバンプ電極 膜の厚さ数十nm～数百μm トレンチ溝直径500nm～数μm | 160 |
| 2005年 2月号 | 身近になった単層ナノチューブ -高純度で安く生産- | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年11月19日PP.7) | CVD 鉄微粒子の薄膜を触媒 エチレンガス 10分間で高さ2.5mm 従来法と比較して高さ500倍・成長速度3000倍 直径1～4nm 純度99.98% | 120 160 |
| 2005年 2月号 | マリモのようなナノ炭素材料 -航空機や燃料電池向け- | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2004年11月24日PP.1) | 直径1μm～10μm ダイヤモンド核の直径は10nm～100nm 酸化ダイヤモンドを触媒単体 Fe Ni 500℃～700℃のCVD マリモカーボン | 120 |
| 2005年 2月号 | 45nm半導体向け絶縁膜 -2005年春 成膜装置供給へ- | MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年11月25日PP.1) | 絶縁膜材料にHfAlO 窒化処理と酸化処理 電子移動度260 窒化処理でSiO2(下付)膜薄く | 120 160 |
| 2005年 1月号 | 金属基板上にCNT -蓄電器を高性能に- | 三洋電機 阪大 | 日経産業新聞 (2004年10月1日PP.8) | 直径20nm 長さ80μm 蓄電能力6.5F/g Ta製基板 AlとFeを触媒層に使用 CVD 電気二重層キャパシタ 垂直に長く高密度形成 | 120 |
| 2005年 1月号 | 青紫色半導体レーザ -室温連続発振300mW- | NEC | 日刊工業新聞 (2004年10月5日PP.1) | LD 405nm波長 室温～80℃で動作 活性層の上のp型層にAlNを埋め込んだ | 250 |
| 2005年 1月号 | ナノ空孔3次元解析 -次世代半導体量産化に貢献- | Selete | 日経産業新聞 (2004年10月6日PP.1) | 透過型電子顕微鏡(TEM) 数十枚の顕微鏡画像を合成 65nm半導体 多孔質ローK膜 最適な絶縁膜を選べる | 660 360 |
| 2005年 1月号 | 薄型大画面に第三勢力SED -小さなブラウン管数百万個並ぶ- | キヤノン 東芝 | 日本経済新聞 (2004年10月10日PP.29) | 表面電界ディスプレイ 36インチ試作機 数nmの隙間に電圧を加えるトンネリング効果 BdO薄膜を数nm間隔で配置 | 250 350 |
| 2005年 1月号 | 強度6倍の絶縁膜 | 三菱 | 日経産業新聞 (2004年10月14日PP.7) | 回路線幅65nm 層間絶縁膜 ボラジン CVD 65nm半導体向け 誘電率2.3 | 120 220 |
| 2005年 1月号 | ナノワイヤ自在に配線 -低コスト技術確立- | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2004年10月13日PP.1) | フタロシアニン 幅10nm程度のナノワイヤ 微小ギャップ間にナノデバイス形成可能 低抵抗 高性能 | 160 |
| 2005年 1月号 | 単一光子を連続発生 | 情通機構 独マックスブランク量子光学研 | 日刊工業新聞 (2004年10月28日PP.29) 日経産業新聞 (2004年10月29日PP.8) | 時間波形とタイミングを高精度に制御 イオントラップ使用 90分間 6万発の単一光子 Caの単一イオン 866nmの単一光子 | 120 140 |
| 2004年12月号 | 単層CNTの位置･直径を初制御 | NEC | 日刊工業新聞 (2004年9月3日PP.28) | SWNT ナノレベルで位置と直径を制御できる成長技術 触媒金属を混ぜた電子線レジストで微細な触媒金属微粒子を配置する技術 CVD 直径1.3nm ばらつき±0.4nm 長さ2μm | 120 160 |
| 2004年12月号 | 医療向けスーパルミネッセントダイオード -高出力・広波長域を実現- | NTT NTTエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2004年9月3日PP.28) | 1.31μm帯 50mW以上の高出力 50nm以上の広波長帯域 LEDとLDの利点を併せ持つ SLD | 250 |
| 2004年12月号 | 走査型トンネル電子顕微鏡(STM) -半導体の不純物分布を数ナノレベルで計測- | 半導体MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年9月6日PP.7) | Si表面をNH4Fで処理 洗浄用純水中の酸素濃度を減らし 映像ノイズを減らす | 660 360 |
| 2004年12月号 | 新量子暗号通信技術 -半導体から光子の対を発生- | 東北大 阪大 | 日経産業新聞 (2004年9月9日PP.7) 朝日新聞 (2004年9月9日PP.3) | CuAlの結晶に390nmの紫外線レーザ 量子もつれ 光子対 | 220 240 250 120 |
| 2004年12月号 | 薄膜永久磁石 -デバイス微細化に貢献- | NEOMAX | 日刊工業新聞 (2004年9月14日PP.13) | 20nmのNd・Fe・B系磁性膜と10nmの中間膜を交互に重ねた構造 厚さ1μm 最大磁気エネルギー積45.8MGOe スパッタリング法 | 120 160 |
| 2004年12月号 | 次世代DRAM向け65nm対応キャパシタ -Nbで高性能化- | 日立 エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2004年9月16日PP.8) | Nb2O5とTaを積層 結晶化温度500℃ | 230 |
| 2004年12月号 | 波長光変換素子 -1.55μm帯の超高速信号で実証- | FESTA | 日刊工業新聞 (2004年9月24日PP.1) | 160Gbpsの波長変換 4光波混合を利用 1.54μmへ10nm変換 | 240 250 |
| 2004年12月号 | 色素太陽電池 -プラス極でも電気発生- | 信州大 | 日刊工業新聞 (2004年9月28日PP.37) | 15%の発電効率 1Wあたりの発電コスト40～70円 プラス電極側にナノスケールのNiO微粒子を使用 開放電圧0.92V | 250 |
| 2004年11月号 | 45nm半導体向けに電流漏れ少ない絶縁膜 | MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年8月2日PP.9) | 炭素不純物を5～9割除去 HfO2 Al2O3 リーク電流1μm/cm2 | 160 |
| 2004年11月号 | 炭素分子の新構造体 | 名大 | 日経産業新聞 (2004年8月5日PP.1) | カーボンナノウォール FEDの性能大幅向上 CNTよりも多くの電子を放出 CVD装置 厚さ数nm～数十nmのC分子の壁 | 120 150 |
| 2004年11月号 | 単分子膜を用いた微細位置決め技術 -ナノギャップを安価に加工- | 分子科研 米ペンシルバニア州立大 | 日刊工業新聞 (2004年8月11日PP.17) | 自己組織化単分子膜(SAM) 位置選択性分子定規(PS-MR) 低速電子線 16-メルカプト・ヘキサデカノイック酸(MHDA)と二化Cuイオンの層 数nm加工 | 120 160 |
| 2004年11月号 | ナノチューブの炭素原子の配列・格子欠陥 | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年8月19日PP.6) | 透過型電子顕微鏡 電子ビームに加える電圧を低下 感度5～6倍向上 | 360 660 |
| 2004年11月号 | 光電変換素子1/6に小型化 | NEC 産総研 | 日経産業新聞 (2004年8月24日PP.7) | 強誘電体セラミックス PLZT セラミックス結晶粒の大きさ20nm以下 変換素子大きさ数mm角程度 半導体基板上に形成 | 240 160 |
| 2004年10月号 | 電気変換しない光スイッチ | 産総研 大日精化 | 日経産業新聞 (2004年7月13日PP.10) | 縦12cm横8cm厚さ2.7cm 660nmの光照射で制御 切替え速度0.5ms | 240 |
| 2004年10月号 | CNT2芯構造を合成 -4年ぶり新タイプ- | 信州大 | 日経産業新聞 (2004年7月29日PP.8) | nmレベルの電気制御 2本のCNTを2 | 100℃に加熱し 外層だけをつなぎ合わせ Bi-cable 120 160 |
| 2004年10月号 | 可変分散補償モジュール -Cバンド35nm幅をカバー- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日刊工業新聞 (2004年7月12日PP.19) | 1/20に小型化 光時時分割多重(OTDM) パルス幅8.5psを1.8psに短縮 | 240 340 |
| 2004年 9月号 | 65nm半導体絶縁膜技術 | 富士通 | 日経産業新聞 (2004年6月17日PP.7) | 絶縁膜のひずみを利用 成膜の温度や時間を細かく制御 導電率15%改善 | 160 220 |
| 2004年 9月号 | 65nm次世代半導体 -配線強化で歩留まり2倍に向上- | 東芝 ソニー | 日経産業新聞 (2004年6月24日PP.9) | 配線の剥落を防ぐ技術 高密度配線 層間絶縁膜 電子ビームで配線材料強度高める | 160 220 260 |
| 2004年 9月号 | ナノ結晶の原子構造を高速に決定 -解析時間1/100に- | 高輝度光科学センタ 東工大 | 日刊工業新聞 (2004年6月29日PP.33) | 大型放射光施設Spring-8 0.05nm のX線 原子4層分の縞状ナノ細胞配列 解析時間数分 | 360 660 |
| 2004年 8月号 | 世界最速の量子暗号通信 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2004年5月13日PP.25) 日経産業新聞 (2004年5月13日PP.7) | 10MHz光子検出装置で実現 光ファイバ通信波長1550nm帯 45kbpsの鍵生成率 素子放電時の電流特性から光子の有無判別 | 340 520 440 |
| 2004年 8月号 | カーボンナノホーン金属原子を補足 | 東大 産総研 | 日刊工業新聞 (2004年5月25日PP.25) | CNH 新複合材料に道 | 120 |
| 2004年 8月号 | CNTを均等にした電子放出素子 -省電力型FED向け- | 阪大 | 日経産業新聞 (2004年5月28日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年5月28日PP.32) | CVD法で作製 平均直径10nmのCNTを束ねて直径50μm・高さ125μmにまとめ250μm間隔で配置 CNT密度10G本/㎝2 駆動電圧1V 冷電子エミッタ | 160 250 |
| 2004年 7月号 | 次世代LSI向けマスク欠陥検査技術 | 東芝 Selete | 日経産業新聞 (2004年4月13日PP.7) | 198.5nmの遠紫外光採用 マスク1枚を2時間程度で検査 欠陥の種類によっては20nm程度も検出 | 360 |
| 2004年 7月号 | 単電子メモリーの新型素子 -1個の記憶容量5倍- 図使用 | NTT | 日経産業新聞 (2004年4月26日PP.9) | 単電子転送メモリー 配線幅35nm 動作温度-247℃ | 160 230 |
| 2004年 7月号 | ガラス加工技術 -ナノサイズで型押し- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2004年4月30日PP.14) | 型に非晶質カーボン使用 深さ350nm幅100nmの溝が300nm間隔の型 FIBで加工 | |
| 2004年 6月号 | 安価な高速光通信用レーザ光源 | 東工大 | 電波新聞 (2004年3月2日PP.9) | LiF DFBレーザ 450nmの光を受けると波長710nmで発振 | 240 250 |
| 2004年 6月号 | 解像度1.5倍の電子ペーパ | 千葉大 | 日経産業新聞 (2004年3月16日) | 250dpi 直径200nmの電子インク | 160 250 |
| 2004年 6月号 | 次世代半導体向け製造技術 -露光処理せず微細配線- | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年3月17日PP.11) | 1時間の工程を1分に短縮 ソフトリソグラフィ 直径50nmの粒子を50nm間隔で碁盤の目に並べる | 160 |
| 2004年 6月号 | Siで高速光IC | 富士通 | 日経産業新聞 (2004年3月23日PP.1) | 50Gbps ゲート長45nm | 240 250 |
| 2004年 6月号 | 単電子トランジスタ試作 図を使用(日経産業) | 東大生研 | 日経産業新聞 (2004年3月25日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年3月10日PP.25) 日経産業新聞 (2004年3月10日PP.9) | 2nmの量子ドット 室温でTrとして機能 1素子2ビット記録 | 160 220 |
| 2004年 6月号 | 超広帯域量子ドット光増幅器 -帯域120nmで高出力- | 東大 富士通 | 日刊工業新聞 (2004年3月25日PP.37) | 出力200mW QDSOA 増幅媒体に30nm径InAs 光帯域1.26～1.61μm | 220 250 |
| 2004年 6月号 | 線幅20nmで回路描画可能な微細加工技術 図使用 | 早大 | 日経産業新聞 (2004年3月29日PP.9) | 拡散光の重なりが回路になる マスクとウェハの距離20μm以上 X線使用 | 160 |
| 2004年 6月号 | 32nm幅の半導体加工技術 | Selete | 日経産業新聞 (2004年3月30日PP.1) | F2(下付)レーザ 波長157nm 液浸技術 | 160 |
| 2004年 5月号 | 磁石の境 電流で制御 -新型演算素子に応用- | 阪大 京大 | 日経産業新聞 (2004年2月3日PP.10) | 電流で磁壁の動き制御 長さ240nm 厚さ10nm NiFe合金 | 120 |
| 2004年 5月号 | 二層CNT量産技術 | 名大 東レ | 日経産業新聞 (2004年2月16日PP.7) | 直径2nmの二層CNT CVD Bの入ったゼオライト | 120 160 |
| 2004年 5月号 | 化学反応でLSI配線切り換え -ナノブリッジ- | NEC 物質・材料研究機構 科学技術研究機構 | 日刊工業新聞 (2004年2月17日PP.27) 日経産業新聞 (2004年2月17日PP.8) | プログラマブルロジックの配線切り換え 固体電解中の金属原子の移動を利用 書き換え可能なセルベースIC | 120 220 |
| 2004年 5月号 | 65nm半導体向けレジスト除去技術 | Selete | 日経産業新聞 (2004年2月18日PP.1) | レジスト除去にH2とHeの混合ガス 誘電率上昇ほぼ0 レジスト能力厚さ1μm/分 | 160 |
| 2004年 4月号 | 記録密度3倍のHDD用媒体 | TDK | 日経産業新聞 (2004年1月26日) | 1インチ角600Gbpi トラックピッチ90nm ディスク区リートトラック型垂直磁気記録媒体厚のポリイミド基板 曲率半径1cmまで丸め可能 | 160 230 |
| 2004年 4月号 | 合金フラーレン発見 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2004年1月27日PP.1) | 2元合金 CdSe34 直径1.5nm 有機溶媒中で黄緑色の発光 粒径により発光の度合いに変化 | 120 160 |
| 2004年 3月号 | 触媒微粒子の直径制御 -多層CNT- | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2003年12月5日PP.1) | MWNT 10nm以下の触媒微粒子を10%標準偏差 レーザアブレーションとDMAの組合せ 幾何平均径5.0nm | 160 |
| 2004年 3月号 | 線幅45nm対応の絶縁膜 -次々世代半導体向け- | NEDO 富士通 東芝など24社 | 電波新聞 (2003年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (2003年12月8日PP.9) | 半導体MIRAIプロジェクト 多孔質無機Low-kの改良 弾性率8GPa プラズマ共重合 TMCTSガス処理 | 160 220 |
| 2004年 3月号 | Si層0.7nmトランジスタの動作確認 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2003年12月12日PP.1) | 5原子層 NEDO Si単結晶薄膜厚さ0.7nm SOI 試作素子のゲート長は2～3μm 実現可能なゲート長は1.5～3nmと予想 | 160 220 |
| 2004年 3月号 | 歪みSiで微細トランジスタ高速化 | 東芝 | 日経産業新聞 (2003年12月16日PP.9) | ゲート電極に歪みSi 加工寸法45nmトランジスタ 11%高速化 | 160 220 |
| 2004年 3月号 | 35nmCMOS接合技術 | Selete | 日刊工業新聞 (2003年12月19日PP.27) | SPE FLA p型MOS駆動電流2倍 300mmウェハ上に101段のリング発信器回路 | 160 220 |
| 2004年 3月号 | 有機材料の発光効率を50%高める新技術 | パイオニア ローム 京大 | 日経産業新聞 (2003年12月25日PP.9) | ITOフォトニック結晶 300nm間隔で深さ60nmの穴 | 160 250 150 |
| 2004年 2月号 | 65nmLSI向け絶縁膜 -量産技術確立- | Selete 東京エレクトロン | 日経産業新聞 (2003年11月6日PP.1) | 高誘電率絶縁膜 ハイK テルフォーミュラ 熱処理計2時間 | 160 |
| 2004年 2月号 | 45nmの回路線幅形成 -フッ素レーザで形成- | Selete | 日経産業新聞 (2003年11月21日PP.7) | 内蔵レンズ開口率0.9 CaFレンズ | 160 260 |
| 2004年 2月号 | SiやGeの量子ドット新製法 -基板上に高密度で形成- | 米オークリッジ国立研 | 日刊工業新聞 (2003年11月24日PP.13) | BLaC法 Geの量子ドットサイズ3nm径 高さ0.6nm 密度約3～7×1012(上付) | 160 |
| 2004年 2月号 | 65nmプロセスSRAM | 米インテル | 日本経済新聞 (2003年11月26日PP.3) | ゆがみSi技術 高速インタコネクト 低誘電率絶縁材料 0.57μm2(上付)に4MB | 160 230 |
| 2004年 2月号 | ナノレベルの顕微鏡 -DNAを動画撮影- | 金沢大 | 日本経済新聞 (2003年11月28日PP.17) | 高速原子間力顕微鏡(AFM) 探針の振動周波数600kHz | 360 660 |
| 2004年 1月号 | 幅8nmの微細配線用レジスト | NEC トクヤマ | 日経産業新聞 (2003年10月13日PP.5) | 低分子材料 電子ビーム加工用 | 160 |
| 2004年 1月号 | 直径0.46nmの走査顕微鏡向け電極 | 慶応大 | 日刊工業新聞 (2003年10月20日PP.1) | 光ファイバを加工し先端を電極化 フッ酸のエッチング溶液 アクリル系ポリマー溶液 直径1.1～980nm程度に制御可能 | 160 360 |
| 2004年 1月号 | ブラシ状CNT -長さと太さを制御- | 日立造船 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2003年10月24日PP.1) | CVD工程 710℃で長さ50μml・直径15nmφ 740℃で長さ30μml・直径20nmφ | 160 |
| 2004年 1月号 | 350GB容量の光ディスク | 日立 | 日経産業新聞 (2003年10月31日PP.9) 日本経済新聞 (2003年10月31日PP.17) | 映画140時間分を1枚に レーザ光により結晶構造を変化させてアルカリ溶液によるエッチング 記録点40nm 読出し専用ディスク | 160 230 |
| 2003年12月号 | ナノチューブで超電導現象確認 -量子計算機開発に道- | 青山学院大 NTT研 科学技術振興事業団 | 日経産業新聞 (2003年9月5日PP.7) | Alの上に微細な穴のアルミナの穴の中に0.8μmのCNT NbとAlの電極間にCNT -272.4℃で超電導 | 120 160 |
| 2003年12月号 | ナノチューブで半導体 -トランジスタ実現へ- | 東北大 ソニー 都立大 科学技術振興事業団 高輝度光化学研究センター | 日本経済新聞 (2003年9月8日PP.21) 日本工業新聞 (2003年9月9日PP.2) | CNT内部に有機分子 導電性の制御に成功 Spring-8 | 120 160 |
| 2003年12月号 | 有機トランジスタ新製法 -自己組織化を利用- | 日立 産総研 光技術振興協会 | 日刊工業新聞 (2003年9月11日PP.5) | ナノ材料の自己組織化 位置合わせ不要 電極間隔3μm シートディスプレイ用 | 120 160 220 |
| 2003年12月号 | カーボンナノチューブの発光を電気制御 | 米IBM | 日経産業新聞 (2003年9月15日PP.5) | CNTを半導体素材に応用 1.5μmの波長で発光 | 120 160 |
| 2003年12月号 | 容量30倍の磁気テープ | 日立マクセル | 日経産業新聞 (2003年9月18日PP.1) | 記憶容量最大で10TB 球状磁性体 直径20nm ナノキャップ | 130 |
| 2003年12月号 | 超高速トランジスタ -カーボンナノチューブ活用- | NEC | 日本経済新聞 (2003年9月19日PP.11) | Siの10倍以上高速に動作 CNTの半導体の性質を利用 | 220 120 |
| 2003年12月号 | 磁気記録用5nm径の白金鉄粉 | 同和鉱業 東北大 | 日経産業新聞 (2003年9月29日PP.7) | 高分子のアルコール中で化学反応 加熱工程不要 PtFe | 130 120 |
| 2003年11月号 | LSI配線用カーボンナノチューブ -触媒微粒子で直径制御- | 富士通 | 日経産業新聞 (2003年8月7日PP.5) | 直径4nmのFe Pt触媒を使用 直径3～10nmのCNTが林立 作成時基板温度600℃以下 | 120 160 |
| 2003年11月号 | 強誘電体ナノチューブ | サムコ研 英ケンブリッジ大 | 日刊工業新聞 (2003年8月20日PP.8) | 直径800nm 厚さ100nm 長さ80μm ミストデポジション法(CVD) Sr Bi Ta2O5 | 160 120 |
| 2003年11月号 | カーボンナノチューブを長く高密度に生成 | 阪大 高知工科大 | 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.1) | 熱CVDとプラズマCVDを組合せる 10億本/cm2で長さ50～100μm | 160 120 |
| 2003年11月号 | 光ファイバ先端にカーボンナノチューブを合成 -超高速通信に道- | 東大 | 日経産業新聞 (2003年8月28日PP.9) | アルコール原料の単層カーボンナノチューブ 650℃で合成 厚み約100nm 光通信の異常信号除去フィルタ | 140 160 240 |
| 2003年11月号 | 3次元ナノ配線 | 姫路工大 NEC | 日刊工業新聞 (2003年8月29日PP.1) | 集束イオンビーム(FIB) 70～100nmの配線 | 160 |
| 2003年11月号 | 次世代半導体用絶縁膜 -溶液中で作製- | 理化学研 | 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.7) | Hfを含む溶液 400℃加熱 絶縁膜10～15nm | 160 |
| 2003年11月号 | 光導波路型波長フィルタ -波長可変幅10倍に- | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2003年8月27日PP.5) | 波長可変幅約10nm 熱光学(TO)効果のポリイミド製の積層微小リング共振器 アド・ドロップフィルタ マイクロヒータで温度可変 | 240 |
| 2003年11月号 | 200GB級光ディスク -記憶容量10倍に- | 産総研 サムスン電子 | 日経産業新聞 (2003年8月29日PP.9) 日刊工業新聞 (2003年8月29日PP.5) 日本経済新聞 (2003年8月29日PP.17) | 青色DVDの10倍 Tb Fe Co SiO2 ZnS 熱で薄膜が山形に盛り上がり記録 50nmの山が100nmの間隔 熱体積変化膜 記録技術のみ開発 | 160 230 |
| 2003年10月号 | 3次元「ナノ鋳型」新製法 -DVD容量が数十倍- | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2003年7月8日PP.1) | Si基板に水ガラスを均一に塗布して焼き 水ガラスを固体化 パターンの幅は125nm | 160 |
| 2003年10月号 | CNTを低温合成技術 -FEDを安価に- | 三菱電機 大阪府立大 | 日経産業新聞 (2003年7月22日PP.8) | 500℃で合成 ガラス基板使用可 直径数十nmの微粒子状鉄合金 | 120 160 |
| 2003年10月号 | 次々世代半導体の回路原板 -窒素化合物で精密描画- | HOYA | 日経産業新聞 (2003年7月23日PP.9) | 反射型マスク 極端紫外線 吸収層にTaとBと窒素化合物 10nm紫外線より短い紫外線 EUVの散乱防ぐ 反射層にM/Siを積み重ね | 120 160 |
| 2003年10月号 | Si基板を微細加工する新技術 -光スイッチ量産に道- | NTT物性科学基礎研究所 | 日経産業新聞 (2003年7月30日PP.9) | ナノレベルの微細な穴 200nm角で深さ100～150nmの無数の穴 | 160 |
| 2003年 9月号 | 65nm幅LSI用新技術 -ウエハ研磨工程を改善- | Selete | 日経産業新聞 (2003年6月10日PP.1) | 多孔絶縁膜 CMPに耐える強度の膜弾性率12GPa 比誘電率2.3 | 160 |
| 2003年 9月号 | 現露光機で45nm幅LSI | 大日本印刷 米インテル | 日刊工業新聞 (2003年6月11日PP.1) | 最先端位相シフトマスク CPL 一枚のマスクで3度露光 | 160 |
| 2003年 9月号 | リーク電流1/1000のトランジスタ | 東芝 | 日経産業新聞 (2003年6月11日) | 線幅65nm 窒化ハフニウムシリケート | 220 |
| 2003年 9月号 | サブ100nm世代トランジスタ -高速で漏れ電流2ケタ減- | NEC | 日刊工業新聞 (2003年6月12日PP.5) | サブ1nm世代トランジスタ モバイル機器向けSOC ハフニウムシリケート | 220 |
| 2003年 9月号 | 線幅90nmのフラッシュメモリー回路 | 東芝 米サンディスク | 日経産業新聞 (2003年6月12日) | 線幅90nm 2GbのNANDフラッシュメモリー用回路 | 230 |
| 2003年 9月号 | 新トライゲートトランジスタ -チャンネル部を立体化- | 米インテル | 日経産業新聞 (2003年6月13日PP.9) | ゲート長が30nm 20GHz級のMPUに適用 | 160 220 |
| 2003年 9月号 | 絶縁体にナノ量子細線 -導電性付与に成功- | 科学技術振興財団 | 日刊工業新聞 (2003年6月16日PP.5) | 超高温透明セラミックス 転位構造配列制御 サファイア結晶内に5nmの金属細線 | 120 160 |
| 2003年 8月号 | 面発光型半導体レーザ
-素子1個で20種の波長- | 東工大 | 日経産業新聞 (2003年5月7日PP.10) | 約1mm角のチップ 950nm～1500nm 半導体幅で | 240 250 |
| 2003年 8月号 | 狙ったところにカーボンナノチューブを合成する手法 | 早大 | 日経産業新聞 (2003年5月8日PP.9) | シングルイオン注入 Ni触媒 CNT | 160 120 |
| 2003年 8月号 | 光の波長を変換
-導波路で自在に- | 東工大 | 日経産業新聞 (2003年5月20日PP.9) | 光通信 導波路を変形 WDM用 波長変化幅3～4nm 長さ2mm 太さ27μm | 240 440 |
| 2003年 7月号 | ナノサイズ発光アレイ | 物質・材料研究機構 太陽誘電 | 日刊工業新聞 (2003年4月8日PP.4) 日経産業新聞 (2003年4月8日PP.10) | 酸化亜鉛を格子状に配列 結晶異方性エッチング 機械化学研磨技術 2500万ドット/cm2 Si(100) | 160 250 |
| 2003年 7月号 | 細胞を生きたまま観察 | オリンパス光学 東工大 | 日本経済新聞 (2003年4月18日PP.17) | 可視光顕微鏡 波長500nmで175nmの物質を観測 | 360 |
| 2003年 7月号 | 光通信用の波長可変レーザ -32個分の素子を1個で- | NTT | 日経産業新聞 (2003年4月23日PP.12) | 分布反射型レーザ WDMシステム 波長シフト1nmを1nsで変化 | 240 |
| 2003年 7月号 | ナノシリコンで赤緑青色安定発光 | 東海大 電通大 | 日刊工業新聞 (2003年4月23日PP.5) | スパッタ形式 石英ガラスとシリコンのターゲット 寿命赤3年・青10日 動作電圧10V以下 量子サイズ効果による発光を確認 | 150 250 |
| 2003年 7月号 | 緑色レーザダイオード開発へ | 電力中研 | 日経産業新聞 (2003年4月28日PP.6) | LEDに比べ明るさが100倍 素子の構造をナノﾚベﾙで制御 研究開始 | 160 250 |
| 2003年 7月号 | 紫外線LED | 日本EMC | 日本経済新聞 (2003年4月29日PP.12) | 量子ドット 発光波長360nm GaN | 250 |
| 2007年 3月号 | PRAM駆動電力1/10 | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2006年12月13日PP.9) | 記録層と絶縁膜の間に厚さ2～3nmのTa2O5薄膜 記録時電流数百μA | 160 230 |
| 2007年 3月号 | 光電変換CNT | 東大 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 電子を放出する層を電子を受け取る分子の層で包んだ中空構造 直径16nm 壁の厚さ3nm 長さ数μm | 120 |
| 2007年 3月号 | 駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年12月15日PP.30) | 雪かき効果 金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2～3nm厚に偏析した層を形成 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 可視光・近赤外同時撮像可能なCMOSカメラ | 豊田中研 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 波長780～1100nmの近赤外線 二つある緑色カラーフィルタの一つを近赤外線用に変更 画素サイズ7.4μm角 | 210 |
| 2007年 3月号 | 線幅32nmLSI性能2倍に | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ 0.1%で解析 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 動作速度2割向上した線幅45nmトランジスタ | 富士通 富士通研 | 日経産業新聞 (2006年12月19日PP.11) | 電流低下や電流漏れを抑制 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 1ns間光を閉じ込める新共振器構造 | NTT | 日刊工業新聞 (2006年12月25日PP.15) | フォトニック結晶 導波路の幅を変調 直径200nm程度の穴を三角格子状に配列 穴の位置を局所的に3～9nm移動 Q値120万 | 160 240 |
| 2007年 2月号 | 回路線幅55nmのシステムLSI量産技術 | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年11月6日PP.1) | DRAM混載 液浸露光 ゲート絶縁膜上にハフニウム極薄膜 | 160 |
| 2007年 2月号 | 凹凸がナノ級のUV照射無電解メッキ | 関東学院大 | 日刊工業新聞 (2006年11月16日PP.1) | ポリイミドフィルム 液晶ポリマー 数分間のUV照射で材料に凹凸をつけずに表面改質 Cu・Ni・Pの合金を下地メッキ スパッタリングに比べて低コスト | 160 |
| 2007年 2月号 | フェムト秒レーザ照射で単結晶の格子欠陥確認 | 京大 東大 | 日刊工業新聞 (2006年11月20日PP.19) | 特定方向に数nm幅の転位線 クロス形状の構造MgO結晶 | 120 |
| 2007年 2月号 | 炭素のナノ粒子を簡単に作製 -Liイオン2次電池電極材料に使用- | 宮崎大 | 日経産業新聞 (2006年11月24日PP.10) | レゾルシノールとホルムアルデヒドを添加剤を加えて水溶液に入れて90℃で加熱 N2ガス中で約1000℃に加熱 | |
| 2007年 1月号 | LED向けGaN結晶を横向きに成長させる技術 | ローム | 日経産業新聞 (2006年10月18日PP.9) | 緑色レーザ 六角柱の結晶構造 トリメチルガリウム アンモニア 2mW出力 波長500nmの光を出すことに成功 | 160 250 |
| 2007年 1月号 | HDD磁気ヘッド用積層型光素子 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年10月19日PP.25) | 熱アシスト磁気記録方式 波長の15%に相当する88nm×60nmの光ビーム径 Si材料を用いて光の透過層を積層 波長400nmの光で17%の光利用効率 | 120 230 |
| 2007年 1月号 | 有機薄膜太陽電池の光電変換効率を向上 | 東大 | 日経産業新聞 (2006年10月25日PP.9) | 電極に直径約30nmの無数の突起 1.25cm×2.5cmの試作電池で効率2.7% ポリチオフェン フラーレンを含む有機高分子 | 120 250 |
| 2006年12月号 | フィルム中に金ナノ粒子を作製 -立体ナノ配線に道- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年9月4日PP.28) | PVAフィルム ラジカル前駆体(ベンゾフェノン)と金イオン1～5%をドープ 波長が異なる二つのレーザを照射 ギ酸がない場合に比べ金ナノ粒子の生成速度は約20倍 | 260 160 |
| 2006年12月号 | DRAMの消費電力を10%削減 -絶縁膜材料に水使用- | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年9月14日PP.37) | Al2O3絶縁膜 成膜時間半減 シリコン酸窒化膜 漏れ電流抑制 界面の酸化を回避 酸化膜換算膜圧2.9nm | 230 160 |
| 2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
| 2006年12月号 | 明るさ1.8倍のLED | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年9月21日PP.11) | ナノサイズの微細な凹凸 自己組織化 ポリスチレン ポリメタクリル酸メチル 高分子塗布 200℃で加熱 150～200nm間隔に直径100nm高さ450～500nmの円柱状の突起 | 250 160 |
| 2006年11月号 | ZnOの液晶パネル用透明導電膜 | 高知工科大 | 日経産業新聞 (2006年8月4日PP.1) | ZnOで酸化インジウムスズ(ITO)並みの電気抵抗を実現 反応性プラズマ蒸着装置 膜厚30nmで電気抵抗率4.4μΩm | 160 250 |
| 2006年11月号 | 光導波路向け微細金型 | アルプス電気 | 日経産業新聞 (2006年8月11日PP.1) | MEMS 導線幅10μm ナノインプリント 光導波路 | 160 260 |
| 2006年11月号 | 有機ナノデバイス -整流作用を確認- | 自然科学研究機構 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年8月24日PP.1) | nm径の円筒状単層CNTにポルフィリン分子吸着 自己組織化 Si製の1/10 | 120 160 220 |
| 2006年11月号 | カーボンナノウォールを効率よく大量生産 | 横浜市大 石川島播磨 | 日刊工業新聞 (2006年8月28日PP.1) | プラズマCVD装置 約10㎝角の基板でも均一に作製可能 | 120 160 |
| 2006年11月号 | 長さ3.5mmで光を100倍増幅する高分子光導波路 | KRI | 日刊工業新聞 (2006年8月29日PP.1) | ナノ粒子合成・分散技術 ユーロピウムを添加 希土類-金属ナノクラスタ 消光現象を抑制 希土類元素の添加濃度5% | 160 240 |
| 2006年10月号 | 立体映像を記録したホログラムの安価量産技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年7月11日PP.10) | ナノインプリント 微細金型 透明レジスト膜 光硬化性樹脂 紫外線照射 | 160 430 |
| 2006年10月号 | SiでLED | 日立 | 日経産業新聞 (2006年7月25日PP.10) | 厚さ9nm 発光波長約1000nm 厚さ700μmのSi基板上に厚さ約200nmのSi酸化膜とそのうえに厚さ50nmのSi膜 | 160 250 |
| 2006年 9月号 | 強度2倍層間絶縁膜 -50nm世代メモリー向け- | 日立 日立化成 | 日刊工業新聞 (2006年6月13日PP.27) | 塗布型 強固な分子構造 耐熱性800℃ 比誘電率2.4 薬品耐性向上 平坦性維持 | 160 |
| 2006年 9月号 | 55nm素子形成技術 -SRAMで実用性確認- | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜 トランジスタのしきい値制御範囲拡大 漏れ電流10%低減 ArF液浸露光装置 | 160 220 |
| 2006年 9月号 | 色でナノ構造観察する光学顕微鏡 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年6月21日PP.31) | 散乱光の色の変化 約20nmの金属針 波長532nmの光照射 CNTの構造変化を測定 | 210 320 360 |
| 2006年 9月号 | 縦型構造のGaNトランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2006年6月28日PP.1) | 微細セルフアライン工程 チャネル幅0.3μm 単位デバイス幅1.2μm In・Alを添加したInAlGaN4元混晶を20nm成長 | 160 220 |
| 2006年 8月号 | 単層CNTの新合成技術 -後処理不要 純度97%ー | 産総研 | 日刊工業新聞 (2006年5月12日PP.25) 日経産業新聞 (2006年5月12日PP.9) | 構造欠陥1/10以下 直噴熱分解合成法(DIPS法)を改良 量産性100倍 CNTの直径を0.1nm単位で制御可能 | 120 160 |
| 2006年 8月号 | ストレージ用磁気テープの基礎技術 -記録密度15倍以上へ- | 富士写真フイルム 米IBM | 日経産業新聞 (2006年5月17日PP.1) | 6.67Gbpiの記録密度 酸化鉄粒子層の上に65nm厚でバリウムフェライトを塗布 粒子直径21nm 長期保存性 テープ1巻あたり8Tbyte目標 | 130 120 160 |
| 2006年 7月号 | 次世代半導体メモリー -蓄積電荷5倍の新材料を開発- | 東工大 富士通 | 日経産業新聞 (2006年4月3日PP.17) | FeRAM ビスマスフェライト(BFO)に微量のMnを加えた新材料 65nmまで微細化可能 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 液体でSiTFT | セイコーエプソン JSR | 朝日新聞 (2006年4月6日PP.3) 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.9) | HとSiを含む液体材料 回転塗布またはインクジェットで成膜 厚さ300nmのSi膜パターン シラン化合物 500℃前後で焼成 コスト半分 消費電力1/10程度 | 120 160 220 250 |
| 2006年 7月号 | 光100%透過の新材料を設計 | 理化学研 | 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.10) | ポリマーの中に外径60nm内径40nmの金属リングを規則的に配置した構造 リング状金属 通信時の損失防ぐ | 140 120 |
| 2006年 7月号 | 黒鉛基板上の銀ナノ粒子加熱で液化せず蒸発 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年4月12日PP.29) | 透過型電子顕微鏡(TEM) 黒鉛基板を680℃で保持 約2分で消滅 ナノ粒子により融点が下がる | 160 |
| 2006年 7月号 | 1TbitHDD向けパターン磁気記録技術 | 早大 | 日刊工業新聞 (2006年4月18日PP.33) | 湿式法 直径10nmの微細孔 直径2nmの有機シラン Co系合金 ドット径10～20nmの磁性ナノドットアレイ | 120 160 230 |
| 2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
| 2006年 6月号 | 屈折限界超すナノレンズ -金属ナノ構造と光の相互作用で実現した波長を超える高解像度- | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2006年3月2日PP.27) | 表面プラズモン 金属ロッドアレイ メタマテリアル構造 生体細胞ナノサイズで撮影可能 光の収差 プラズモニクス 金属錯イオンを2光子還元 負の屈折率 | 120 160 310 |
| 2006年 6月号 | マルチモードファイバ(MMF) -10Gbps 300mの伝送に成功- | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 温度無依存の量子ドットレーザ(QDLD) 3Dのナノ構造に電子が閉じ込められて発光 冷却機・電流駆動制御不要 | 240 120 |
| 2006年 6月号 | 白色レーザ発振可能なフッ化物ファイバ | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 1本で青色半導体レーザを白色レーザとして連続発振 PrをAlF系ガラスに含ませた独自素材 522nm・635nmとあわせ440nm ディスプレイ光源 高い変換効率 三原色の高い色再現性 | 120 160 240 250 |
| 2006年 6月号 | 有機ELを光源に使用した印字ヘッド | セイコーエプソン | 日経産業新聞 (2006年3月15日PP.9) | 厚さ0.5mmのガラス基板上に有機EL素材をnm単位の厚さで塗布 印字品質向上と小型化 体積比で1割 | 250 |
| 2006年 6月号 | 次期光波網用MEMS中空導波路 -波長可変幅1桁向上- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2006年3月22日PP.19) | 微小電気機械システム 中空コア 上の反射板のMEMSで波長を変化 下の反射板の回折格子で波長選択 数百nmの変化幅 | 160 240 250 |
| 2006年 6月号 | 光で動く分子ピンセット | 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月23日PP.31) | 大きさは1nm 伸縮はアゾベンゼン 軸回転はフェロセン 塩基分子をつかむ亜鉛ポルフィリン 分子ロボット | 120 160 |
| 2006年 6月号 | 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)新材料 -記憶保持能力を5倍に- | 東工大 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.33) | ビスマスフェライト(BFO)にMnを加えて漏れ電流低減 65nm世代で256MB実現 | 120 230 |
| 2006年 6月号 | 高解像度CMOSセンサ -光で距離と画像を認識- | シャープ 静大 スズキ | 電波新聞 (2006年3月24日PP.1) 日経産業新聞 (2006年3月24日PP.8) 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.12) | LED光源からの近赤外光が対象物で反射しセンサまでの光の飛行距離と光の速度から距離計算 信号電荷検出機能を集積化 TOF OVGA 距離分解能パルス幅20nm距離1mで1cm 68ピンLCCパッケージ | 210 220 320 |
| 2006年 6月号 | 再構成可能な光合分波器 -フォトニック結晶で実現- | 東大 NEC | 日刊工業新聞 (2006年3月29日PP.37) | 波長を変えて光経路を切替え R-OADM PCの対応波長幅約10nm 埋込みSOI基板のSi層に周期的に孔 | 160 240 |
| 2006年 5月号 | すりつぶすだけでナノ結晶 | 海洋研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2006年2月2日PP.1) | フラーレン C60 C70 数分すりつぶす 約30%が直径数μm以下 毒性なし | 120 160 |
| 2006年 5月号 | LED型量子暗号通信素子 | 東芝欧州研究所 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 量子もつれ光子対を任意に発生 高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造 半導体素子 | 120 240 250 220 |
| 2006年 5月号 | たんぱく質で半導体メモリー | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2006年2月9日PP.27) | 不揮発性半導体メモリー フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子 フェリチンの外径13nm | 120 220 230 |
| 2006年 5月号 | キャパシタの蓄電効率10%改善 -電極抵抗1/4に- | 東海大 | 日経産業新聞 (2006年2月15日PP.11) | ナノテク素材 電気二重層キャパシタ 50mgの活性炭に直径10nm長さ100μmのCNT加え直径約1cm厚さ1mmの電極 電極の抵抗2.5Ω 厚さ3mmで2.5F | 120 160 250 |
| 2006年 5月号 | 銅ナノインク開発 | 旭化成 | 日刊工業新聞 (2006年2月22日PP.23) | 印刷技術活用 Cu配線や薄膜を低コスト形成 厚さや線幅をμmオーダーで制御可能 酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合 塗布後焼成 エッチング工程不要 | 130 160 120 |
| 2006年 5月号 | 回路線幅29.9nmパターン生成 -深紫外線光リソグラフィ- | 米IBM JSR | 電波新聞 (2006年2月22日PP.3) 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.3) | DUV193nm 光屈折率液侵技術 石英レンズや有機液体などの新素材 EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能 独自開発のフォトレジスト | 120 160 |
| 2006年 5月号 | 電界集中効果2割増のCNT束エミッタ -ランプやディスプレイなど多用途- | 高知工科大 大阪大 ソナック | 日刊工業新聞 (2006年2月24日PP.29) | しきい電界強度0.4～3V/μm 直径50μm 高さ125μm 個々のCNTの直径9nm フォトエッチング法 CVD法 | 160 250 |
| 2006年 4月号 | ペースト状ナノ粒子 -幅20μm配線可能に- | 大研化学工業 大阪市立工業研 | 日経産業新聞 (2006年1月1日PP.21) | AgとPdの合金ナノ粒子 直径5nm 樹脂と混ぜる スクリーン印刷 プラスチック基板に回路パターンを書く 加熱300℃で樹脂が分解 | 120 160 |
| 2006年 4月号 | 金属内包フラーレン1個でスイッチ動作 | 東工大 名大 | 電波新聞 (2006年1月5日PP.7) | 分子ナノデバイス 融合新興分野 Tb@C82 自己組織化分子膜 測定温度-260℃ | 120 160 660 |
| 2006年 4月号 | 通電にまっすぐになるコイル状CNT ―原子構造変化を解明- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2006年1月19日PP.26) | 2層CNT 円周電流密度0.9μA/nmでコイルがゆるみはじめ 2.2μA/nmで大きく変形 2.6μA/nmで直線状 電流による局所的な高温状態により曲面にある五角形 七角形の原子構造が六角形に変化 | 120 130 |
| 2006年 4月号 | 液晶フィルム新素材 | 慶応大 JST | 日本経済新聞 (2006年1月20日PP.17) | 複屈折を抑えるnmサイズの微粒子 ポリカーボネート樹脂に約50nmのSrCO3粒子を加える 押し出し成形 40μm厚 | 120 160 |
| 2003年 6月号 | 曲げに強い光ファイバ | 日立電線 | 日経産業新聞 (2003年3月3日PP.8) | コア周囲に空気の穴 穴はnm単位制御 ホーリーファイバ 直径1cmに曲げた光の損失が数% | 240 |
| 2003年 6月号 | 光通信用発光レーザ -10Gbpsコスト半分以下- | 古河電工 | 日経産業新聞 (2003年3月19日PP.1) | 光通信 面発光レーザ 1300nm帯 | 240 250 |
| 2003年 5月号 | 半導体EB露光装置 -つなぎ精度実用化レベル- | ニコン Selete | 日経産業新聞 (2003年2月6日PP.1) | 回路半導体EB露光装置 つなぎ精度23nm 65nmプロセス用 2005年の製品化 | 260 330 |
| 2003年 5月号 | 赤色有機EL発光素子 -高純度素子開発- | タイホー工業 | 日本経済新聞 (2003年2月18日PP.15) | 発光波長655nm 耐久時間2万時間 輝度1500cd以上 歩留まり6～7割 | 250 |
| 2003年 5月号 | 高感度センサ -人間の触覚 センサで再現- | ニッタ 東大 | 日本経済新聞 (2003年2月28日PP.17) | 透明なシリコンゴム中に2層の格子点 変形をCCDカメラでとらえ分析 格子点間隔は2nm | 210 410 |
| 2003年 4月号 | 量子リソグラフィー技術の原理を実証 | 阪大 | 日本経済新聞 (2003年1月6日PP.23) | ペア光子 波長860nmで波長430nm相当の干渉縞を確認 | 160 |
| 2003年 4月号 | ナノスペース技術 -単一分子基板上に規則的配置- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2003年1月17日PP.5) | デンドロン構造を利用 リポ酸間距離は6-7nm | 160 |
| 2003年 4月号 | トランジスタ製造技術 -線幅65nm技術確立- | 半導体先端テクノロジーズ | 日経産業新聞 (2003年1月21日PP.8) | 高誘電率絶縁膜 ハイK 25%のHfO2含有ON2O3 | 120 220 |
| 2003年 3月号 | DRAM混載システムLSI -65nm世代プロセス- | 東芝 ソニー | 日刊工業新聞 (2002年12月4日PP.8) 電波新聞 (2002年12月4日PP.1) | SoC向け スイッチング速度0.72ps(NMOS) 1.41ps(PMOS) 0.6μm;2のメモリーセル | 220 230 160 |
| 2003年 3月号 | 新顕微鏡 -材料の歪みを100nmレベルで観察- | 農工大 | 日経産業新聞 (2002年12月5日PP.11) | 近接場光 先端の直径が10nm 透過型 | 360 660 |
| 2003年 3月号 | 暗号処理回路小型化技術 -1/10000に小型化- | 東芝 | 日経産業新聞 (2002年12月6日PP.9) | 表面を薬品処理 1μm角 1.5nW nmレベルの凹凸 | 160 220 |
| 2003年 3月号 | 新チャネル構造 -ゲート長30nm以下でトランジスタ動作- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年12月10日PP.4) | オン電流960μA/1μm 65nmプロセスシステムLSI用 プラズマ窒化したゲート酸化膜 スイッチング速度0.72ps(NMOS) 1.41ps(PMOS) | 160 220 |
| 2003年 3月号 | SiMOSトランジスタ -ゲート長6nmと最小- | 米IBM | 日刊工業新聞 (2002年12月11日PP.4) | SOI上のSi膜厚4nm ハロー・インプラント技術 | 160 220 |
| 2003年 3月号 | 光回線の分岐装置 -大きさ1/200に- | 産総研 ニューガラスフォーラム | 日本経済新聞 (2002年12月13日PP.15) | FTTH ナノテクノロジー 回折格子 レンズ | 240 |
| 2003年 3月号 | 次々世代LSI用金属成膜技術 | 三菱重工 | 日刊工業新聞 (2002年12月16日PP.11) | 45nmプロセス用 MCR-CVD 塩素ガス利用 200～300℃で製膜可 | 160 |
| 2003年 3月号 | カーボンナノチューブ -加工しやすいテープ状に- | NKK | 日本経済新聞 (2002年12月18日PP.11) | CNT 直径数10nm アーク放電 ほぼ100%の純度 | 120 |
| 2003年 3月号 | 膵臓ガン診断システム -早期発見に道- | 慶応大 | 日本経済新聞 (2002年12月27日PP.13) | 診断システム 波長630nmのレーザ 圧電素子 フォトフリン 治療も可 | 660 |
| 2003年 2月号 | ナノ粒子の形を自在に制御 | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年11月1日PP.17) | 化学的気相成長法を改良 酸化チタンを使って実験 液体と気体の原料 | 120 160 |
| 2003年 2月号 | DNAで磁性微粒子配列 | 阪大 韓国 延世大 | 日本経済新聞 (2002年11月4日PP.15) | 直径8nmのCo微粒子 Si基板上 磁気の向きを検出 | 130 |
| 2003年 2月号 | カーボンナノチューブでFET試作 | NEC | 日刊工業新聞 (2002年11月8日PP.5) | CNT | 220 |
| 2003年 2月号 | 光で結晶変化する分子 -新記録材料に- | 九大 | 日刊工業新聞 (2002年11月14日PP.5) | ジアリールエテン分子 フォトクロミック材料 3次元光メモリー 数十nm単位の有機化合物 | 120 130 |
| 2003年 2月号 | ネマチック液晶デバイス -消費電力さらに低減- | 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2002年11月14日PP.4) | 3安定性液晶デバイス ナノラビング 多重安定メモリー性のあるネマチック液晶デバイス | 250 |
| 2003年 2月号 | 量子カスケード半導体レーザの発振に成功 | 東北大 | 日本工業新聞 (2002年11月15日PP.2) | 遠赤外領域 ナノ構造 InAs AlSb 厚さ4～7nm×20層の超格子×40周期 発光波長9.94μm | 250 220 |
| 2003年 2月号 | ナノ対応の3次元電子顕微鏡 | 日本電子 東大 | 日本経済新聞 (2002年11月22日PP.15) | CT手法 様々な角度から電子照射 分解能5～10nm 撮影2時間 立体画像処理2時間 | 360 320 |
| 2003年 2月号 | Si製半導体 -｢2世代先｣実現にメド- | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年11月29日PP.17) | ゲート電極幅14nmのトランジスタ 基板正負電極間の絶縁膜最適化 ゲート電極材料の改良 | 220 160 |
| 2003年 1月号 | 超広帯域光増幅技術 -10Gbps信号光を同時に1000波増幅- | 富士通研 | 日本工業新聞 (2002年10月7日PP.2) | ラマン増幅 1000波 信号波1450～1661nmの範囲 | 240 340 |
| 2003年 1月号 | 金属微粒子の配列方法 -金属ナノ粒子一列に- | 九大 | 日経産業新聞 (2002年10月17日PP.7) | 自己組織化で極細配線 金の粒子が1.5nmの距離で一列 繊維全体の太さは10数nm | 120 160 |
| 2003年 1月号 | 構造の新分子 羽根付き -フラーレン使い合成- | 東大 北大 | 日経産業新聞 (2002年10月18日PP.10) | 縦方向に積層 nmサイズの電線や光スイッチに応用有望 | 120 160 240 |
| 2003年 1月号 | 光ディスク -容量250GB開発にメド- | 東芝 パイオニア 日本サムスン 日本ビクター シャープ TDK パルステック工業 産総研 | 日本経済新聞 (2002年10月18日PP.17) | スーパーレンズ 4nmPtO薄膜 青色レーザ80GB・赤色レーザ60～70GB ディジタルハイビジョン映像を20時間録画可能 ライトワンス | 230 330 |
| 2003年 1月号 | 導電性で強度倍のセラミック | 阪大 ニッカトー | 日本経済新聞 (2002年10月25日PP.17) | 結晶境界面に厚さ1nmの有機化合物系の導電性材料 | 120 |
| 2003年 1月号 | 世界最小の演算回路 | 米IBM | 日本経済新聞 (2002年10月26日PP.9) 日経産業新聞 (2002年10月28日PP.9) | 銅基板上12nm×17nmのサイズ CO分子を電線代わりに使用 分子カスケード ドミノ倒し演算回路 | 220 |
| 2003年 1月号 | 超小型大容量磁気ディスク -ナノ媒体応用 100円玉大- | NHK | 日経産業新聞 (2002年10月28日PP.8) | グラニュラー垂直媒体 100円玉サイズでディジタルハイビジョン番組を2時間以上録画 20GB以上記録，垂直磁気記録，記録ビット長30nm以下 | 230 330 |
| 2003年 1月号 | カーボンナノチューブ -水溶性持たせる- | 長崎大 | 日本経済新聞 (2002年10月28日PP.23) | 親水性化合物 超音波 分離精製容易 | 120 160 |
| 2002年12月号 | 3000～6800Oeと最高保持力を持つ磁性ナノ粒子 | 明大 | 日刊工業新聞 (2002年9月4日PP.5) | スピネルフェライト コバルト､ニッケル､鉄酸化物 粒径30～40nmの超微粒子 | 120 160 |
| 2002年12月号 | ナノ応力電子顕微鏡 -素材構造を1nm単位で観察- | 京都工芸繊維大 | 日本経済新聞 (2002年9月13日PP.17) | ナノ応力電子顕微鏡 | 360 |
| 2002年12月号 | カーボンナノチューブの特性解明へ研究会設立 | 信州大 名大 NEC 他 | 日本経済新聞 (2002年9月16日PP.19) | 地球シミュレータ 研究会設立 熱電導解析 | 120 620 |
| 2002年12月号 | Agナノ粒子を均一成形 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2002年9月19日PP.4) 日経産業新聞 (2002年9月27日PP.10) | 光ディスク上に均一成形 ナノ粒子ナノワイヤを3次元形成 粒径20～30nm | 230 160 |
| 2002年11月号 | 高生産性のナノ加工技術 -インプリントで10nm級- | 姫路工大 産総研 NEC NTT 明昌機工 | 日刊工業新聞 (2002年8月8日PP.4) 日刊工業新聞 (2002年8月14日PP.1) | 室温ナノインプリント技術 モールドのパターン一括転写 基板上のポリマー薄膜 | 160 |
| 2002年11月号 | 電子顕微鏡 -最高解像度0.075nm- | 米IBM ニオン | 日刊工業新聞 (2002年8月13日PP.4) | 走査型電子顕微鏡 磁気レンズ収差を0.1nm以下に動的補正 7枚の磁気レンズ | 360 320 |
| 2002年11月号 | 生物の力で超微細回路 -チップ性能100倍に- | 松下電器 阪大 理化学研 | 日本経済新聞・夕刊 (2002年8月15日PP.1) | バイオナノ技術 生物の自己組織化 | 160 |
| 2002年11月号 | ナノ応用光通信素子 -4大学と産学共同開発- | NEC 富士通 KDDI 東大等 | 日経産業新聞 (2002年8月19日PP.9) | フォトニックネットワーク 配線面積が現在の1/1000 WDM用 | 160 240 |
| 2002年11月号 | 次世代DVD新規格 | 東芝 NEC | 日本経済新聞 (2002年8月24日PP.1) 日本経済新聞 (2002年8月24日PP.14) 朝日新聞 (2002年8月24日PP.3) 日本経済新聞 (2002年8月30日PP.13) | 二重の記録層の凹凸にデータを焼き込む ディジタルハイビジョンを5時間余り 片面2層40GB 保護層0.6mm厚 DVDフォｰﾗムに公開 ランドグループ方式 405nm青色レーザ | 230 530 |
| 2002年11月号 | 初の磁性微粒子 -磁気テープ記憶容量数十倍に- | 明大 | 日本工業新聞 (2002年8月28日PP.1) | 微粒子直径30nm(従来の1/4) 保磁力480kA/m(従来の4倍) 主成分はCoとNiを組合せた酸化鉄 塗布型 水溶液を混合 | 130 160 |
| 2002年10月号 | DNAで有機EL素子 -小型化と高画質可能性- 1行紹介 | 千葉大 | 日経産業新聞 (2002年7月8日PP.9) | DNA 有機EL素子 縦横2mm・厚さ30～50nm | 250 |
| 2002年10月号 | 多層カーボンナノチューブ 垂直成長させる技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年7月8日PP.9) 電波新聞 (2002年7月8日PP.1) 日本工業新聞 (2002年7月8日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月8日PP.21) | 微細なLSI配線 φ:50nmL: 500nmのCNT CMOS･FETのシリサイド層上にて成長 電極にNiやCoを混入 CH4とH2の混合ガスによるプラズマCVD法 | 120 160 220 |
| 2002年10月号 | 近接場光記録 -読出し原理実証- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2002年7月8日PP.7) | 面発光レーザ(VCSEL)分布ブラッグ反射層 SNOMプローブの2次元像 200nm以下の分解能 テラバイト級データストレージ技術 | 230 250 330 |
| 2002年10月号 | 次世代DVD -容量4倍パソコン用で標準目指す- | NEC | 日刊工業新聞 (2002年7月16日PP.1) | 光ディスク 405nm青色半導体レーザ 片面最大20.5GB・32Mbps DVDとの互換制を重視 保護層厚0.6mm カートリッジ不要 | 230 330 530 |
| 2002年10月号 | 量子ドット形成法 -ナノオーダで制御- (NO31合わせる) | 富士通研 | 電波新聞 (2002年7月29日PP.1) | 化合物半導体 量子コンピュータ 分子線エピタキシ 結合量子スピンを利用 直径30nmと20nmの量子ドット | 120 160 |
| 2002年10月号 | 1次元鎖状に量子ドット配列 (NO29合わせる) | 電通大 | 日刊工業新聞 (2002年7月31日PP.5) | 分子線エピタキシャル法(MBE) 20nm～30nm直径のIn・As量子ドット 5μm以上の長さに配列 | 120 160 |
| 2002年 9月号 | ナノチューブ利用の太陽光発電 | 徳島大 ジェイジーエス | 日本経済新聞 (2002年6月3日PP.21) | カーボンナノチューブ 変換効率7.75% | 250 |
| 2002年 9月号 | ダイヤモンドLED -光出力が従来の600倍に- | 東京ガス | 日刊工業新聞 (2002年6月7日PP.5) 日経産業新聞 (2002年6月27日PP.11) | 紫外線LED 出力17μW 波長235nm 発光効率0.032% | 250 160 |
| 2002年 9月号 | 書籍2.500万ページを切手1枚大に記録 -ナノテク新技術- | 米IBM | 日本経済新聞 (2002年6月12日PP.13) | プラスチックフィルム 微小な針で10nm大の印 1兆ビット/平方インチ | |
| 2002年 9月号 | 90ナノ世代システムLSIプロセス技術 -世界最小SRAMセル内蔵- | 三菱電機 松下電器 | 電波新聞 (2002年6月13日PP.1) | 140万トランジスタ/mm2 SRAMセルサイズ1.56μm×0.64μm KrF露光 90nmプロセス | 220 230 |
| 2002年 9月号 | 演算処理担う論理素子 -すべて金属で作製- 1行紹介 | 英ダーラム大 | 日本経済新聞 (2002年6月14日PP.15) | 磁性鉄合金 電子スピン利用 サイズ100nm NOT回路 | 220 |
| 2002年 9月号 | 純度95%のナノチューブ | 富士ゼロックス | 日本経済新聞 (2002年6月14日PP.15) | アーク放電法 磁場によりプラズマ密度を向上 | 120 160 |
| 2002年 9月号 | LSIの消費電力を1/10に低減するトランジスタ | 松下電器 | 日本経済新聞 (2002年6月20日PP.11) | SiGeのナノ構造薄膜をSi基板に形成 0.5V動作 CMOSトランジスタ | 220 160 |
| 2002年 9月号 | 単一電子トランジスタ -ナノチューブで作製- | 産総研 富士通研 | 日本経済新聞 (2002年6月24日PP.23) | SiO2基板上 自己組織化 チューブ径 2nm | 220 120 |
| 2002年 9月号 | 新観察技術 -磁気ヘッドの記録磁界分布をnmスケールで可視化- | 日立 | 電波新聞 (2002年6月25日PP.2) | ヘッド表面から30nm領域の記録磁界を可視化 透過型電子顕微鏡 | 660 230 360 |
| 2002年 8月号 | DNAトランジスタ -スパコン携帯型に道- | 富士ゼロックス | 日本経済新聞 (2002年5月9日PP.3) | 大きさ従来トランジスタの1/10 電極間隔10nm サケの精子のDNA | 120 220 |
| 2002年 8月号 | 分子集合でナノ配線 | 東大 | 日経産業新聞 (2002年5月10日PP.8) | ピロール 1本あたりの太さ2.7nm 自己組織化 表面にシリカの絶縁層 相田ナノ空間プロジェクト | 120 160 |
| 2002年 8月号 | 磁気ヘッド用耐熱材料 | 松下電器 | 日本経済新聞 (2002年5月10日PP.17) | 耐熱温度400℃ NiCoFeの混合薄膜 2nm厚のPtをはさむ | 210 |
| 2002年 8月号 | BN薄膜で電子放出増加 -FEDなどに応用- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2002年5月16日PP.4) | プラズマアシスト化学気相法 CNTにBNナノ薄膜被覆 放出電流100倍 | 120 150 |
| 2002年 8月号 | ナノレベルで膜厚制御するクラスタ銃 | 日立船造 | 日刊工業新聞 (2002年5月20日PP.1) | Siクラスタ グラファイト表面 | 160 |
| 2002年 8月号 | ナノチューブトランジスタ | 米IBM | 日経産業新聞 (2002年5月22日PP.8) | Si製の2倍の動作速度 p-n型の作り分け MOSFETと同構造 | 220 |
| 2002年 8月号 | 歯車型の微小レーザ | 横浜国大 | 日本経済新聞 (2002年5月27日PP.21) | 直径25μm 厚さ250nm InP 出力17μW 光励起 | 250 |
| 2002年 8月号 | 導電ペーストと導電シート-樹脂性能保ち高導電率- | 住友電工 | 日刊工業新聞 (2002年5月27日PP.1) | 粒径50nm | 120 |
| 2002年 8月号 | 次世代光伝送向けトランジスタ | 沖電気 | 日経産業新聞 (2002年5月27日PP.7) | ゲート幅100nm 積層部をInとPで構成 ウェットエッチング 6層構造 | 220 160 |
| 2002年 8月号 | 電子ビーム露光装置 -マスク製造に成功- | HOYA 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2002年5月28日PP.1) | φ200mm Siマスク 50nmプロセス用 | 160 |
| 2002年 7月号 | ナノ精度で一括製造する微細加工技術と製造装置 - 材料問わず3次元加工 - | 富士ゼロックス | 日刊工業新聞 (2002年4月2日PP.1) | 断面パターン薄膜 Arビーム清浄 高精度圧接 | 260 |
| 2002年 7月号 | カーボンナノチューブのフィールドエミッタ - 4V 低電圧で電子放出 - | 産総研 | 日本経済新聞 (2002年4月5日PP.17) 日刊工業新聞 (2002年4月11日PP.4) | 高さ1μmの山のあるSi基板 Fe蒸着後CNTを成長 電子放出電圧4V FED | 250 120 |
| 2002年 7月号 | 35GBの光ディスク - 容量DVDの7倍 - | NEC | 日本経済新聞 (2002年4月12日PP.17) | 波長405nm 直径12cm | 230 330 |
| 2002年 7月号 | ナノの規則構造 自在に作製 | 都立大 NTT | 日本経済新聞 (2002年4月19日PP.17) | AI 規則的に打点 電気酸化 | 120 160 |
| 2002年 7月号 | 有機太陽電池 - 微細結晶が光吸収 - | キヤノン | 日本経済新聞 (2002年4月26日PP.17) | 有機太陽電池 ナノウィスカー 太さ0.2μm 長さ10μm 発電効率1%以下 | 250 |
| 2002年 7月号 | 次世代メモリーMRAM -1Gb以上に- | 産総研 | 日本経済新聞 (2002年4月26日PP.17) 日刊工業新聞 (2002年4月26日PP.5) | 抵抗値変化幅従来の3倍 厚さ1nmのFe単結晶薄膜 TMR素子をシリコンLSI上に作製 | 210 230 |
| 2002年 7月号 | 超高集積チップへ道 -ナノチューブトランジスタ試作超LSI配線応用- | 富士ゼロックス NTT | 日本経済新聞 (2002年4月29日PP.15) | CNT 直径20nmリング | 120 220 |
| 2002年 7月号 | 単一電子素子 -消費電力1/1000に 室温で作動成功 | NTT | 日経産業新聞 (2002年4月30日PP.7) | 30nm幅のSi細線温室動作SET | 220 |
| 2002年 6月号 | カーボンナノチューブ-製造コスト1/100に- | 三菱化学 群馬大 東レ 名大 | 日本経済新聞 (2002年3月2日PP.1) 日刊工業新聞 (2002年3月18日PP.9) | 2層CNT30～40% 触媒化学気相成長法 (CCVD) ゼネライト | 160 120 |
| 2002年 6月号 | 立方体の白金ナノサイズ粒子 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2002年3月14日PP.1) | 排ガス触媒 N-イソプロピルアクリル酸 | 160 |
| 2002年 6月号 | 割れにくいガラス基板 | 日立 | 日本経済新聞 (2002年3月15日PP.17) | 磁気ディスク用ガラス基板 50GB/in2 ガラス内に直径10nmの結晶 | 130 230 |
| 2002年 6月号 | ナノサイズのカプセル型白金微粒子 | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2002年3月19日PP.1) | カプセル型白金微粒子 20nm 表面積が30000m2/モル | 260 160 |
| 2002年 6月号 | 特定の光信号選ぶ素子 | NTT | 日経産業新聞 (2002年3月20日PP.13) | プレーナ光波回路 7×1.5cm 波長1260～1625nm 低密度WDM | 240 |
| 2002年 6月号 | SNOMを使い100nm記録ピットを観測 | リコー | 日刊工業新聞 (2002年3月27日PP.7) | 走査型近接場光顕微鏡(SNOM) 偏光制御機構 光源780mm | 230 360 |
| 2002年 5月号 | 微小歯車 -直径0.2mm- | セイコーインスツルメンツ 北川工業 昭和電工 | 日本経済新聞 (2002年2月7日PP.13) | 射出成型 プラスチック カーボンナノファイバ 直径80～100nm | 620 260 |
| 2002年 5月号 | ナノ単位の部品加工技術 | 住友電工 | 日本経済新聞 (2002年2月8日PP.17) | 放射光 樹脂製の型枠 メッキ溶液 ばね探針 長さ3mm 厚さ0.03mm | 160 |
| 2002年 5月号 | 米TIが0.09μmプロセス技術 一行紹介 | 米T.I | 電波新聞 (2002年2月8日PP.5) | 37nm幅のトランジスタ | 220 |
| 2002年 5月号 | 超微細ダイヤ針 -薄型テレビなどに応用- | 阪大 住友電工 ファインセラミックセンター | 日経産業新聞 (2002年2月14日PP.9) | FED 先端の直径2nm 400本/1mの集積可能 | 160 250 |
| 2002年 5月号 | DVDに世界規格 -次世代光ディスク規格統一- | 松下電器 ソニー 日立 パイオニア シャープ 蘭フィリップス 仏トムソン・マルチメディア 韓サムソン電子 韓LG電子 | 日本経済新聞 (2002年2月16日PP.13) 日本経済新聞 (2002年2月16日PP.1) 日本経済新聞 (2002年2月20日PP.14) 電波新聞 (2002年2月22日PP.15) 学会誌4月号 (0年0月0日) | 波長405nm青紫色レーザ Blu-rayDisc 片面27GB 直径12cm ピックアップ | 330 230 530 |
| 2002年 5月号 | ナノ微粒子「光」で制御するマニピュータ | 農工大 | 日刊工業新聞 (2002年2月19日PP.1) | マニピュータ 球形レンズ 毎秒10nmで移動可能 | 160 |
| 2002年 5月号 | 希土類酸化物でナノチューブ合成 | 佐賀大 | 日刊工業新聞 (2002年2月25日PP.1) | エルビウム ツリウム イッテルビウム ルテチウム 外径6nm 内径3nm | 120 160 |
| 2002年 4月号 | 次世代大容量書換え型光ディスク | 東芝 | 電波新聞 (2002年1月8日PP.1) 日経産業新聞 (2002年1月8日PP.9) 日刊工業新聞 (2002年1月8日PP.13) 日本工業新聞 (2002年1月8日PP.5) | 30GB直径120mm光ディスク 波長405nmの青色レーザ ランドグルーブ方式 PRML技術 UDF カバー層厚0.1mm | 230 330 |
| 2002年 4月号 | 近接場光学顕微鏡 -100nm程度の物体判別- | 東大 | 日本経済新聞 (2002年1月21日PP.25) | 近接場光学顕微鏡 生きている細胞観察用 分解能100nm | 波長も観察 光ファイバ 16ギガビットDRAM用 360 |
| 2002年 4月号 | 光の速度を1/100に -人工結晶使い成功- | NTT | 日本経済新聞 (2002年1月28日PP.25) | フォトニック結晶 超小型光スイッチ用 Si結晶 直径200nm深さ200nmの周期的な穴 260nm幅の導波路 | 140 240 |
| 2002年 3月号 | Si・ナノ微粒子LED -温室で近赤外発光- | 松下電器 | 日刊工業新聞 (2001年12月5日PP.7) | 平均直径3.8nm 1.17eV Si発光 | 250 |
| 2002年 3月号 | 磁気ナノ微粒子 -温室で1kOeの保磁力- | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2001年12月12日PP.6) | 直径1.1～5.2nm 鉄酸化物 サイコロ状の結晶 温室で1kOe 磁石 | 120 |
| 2002年 3月号 | ダイヤ薄膜に微細な穴形成 | 東大 都立大 | 日本経済新聞 (2001年12月17日PP.19) | 穴径数10nm 加工速度1μm/分 | 160 |
| 2002年 3月号 | システムLSI高速化技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (2001年12月21日PP.7) | オン・オフ切換時間5ps 基板内に空洞 ゲート長50nm 漏れ電流防止 | 220 160 |
| 2002年 2月号 | 微細構造作る新技術 -ナノ大の金属粒子均一配列- | 松下電器 | 日本経済新聞 (2001年11月9日PP.17) | 球状タンパク質 外径12nm 空洞径6nm フェリチン Si基板 メモリー | 160 |
| 2002年 1月号 | ヨウ化セシウムの発光機構にナノ超微粒子の働き -高品質のシンチレータ材料へ道- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年10月5日PP.7) | シンチレータ材料CsI:Naの発光機構 | 120 |
| 2002年 1月号 | 14.5インチカラーFEDの試作 | 伊勢電子 | 日経産業新聞 (2001年10月31日PP.1) | 耐久10,000時間 多層化構造CNTの電子銃 カーボンナノチューブ FED 壁掛けテレビ 画素ピッチ 2.54mm | 250 350 |
| 2001年12月号 | 次世代光ディスク加工技術 -DVDの容量20倍に 赤色半導体レーザ利用- | シャープ 産総研 TDK | 日経産業新聞 (2001年9月11日PP.13) | 原盤加工 吸光発熱薄膜 熱疑固薄膜 幅100nmの線 直径80nmの突起 | 230 160 |
| 2001年12月号 | セラミックス製ナノチューブ | 大日本インキ 九大 | 日経産業新聞 (2001年9月17日PP.11) | シクロヘキサジアミン 外径50nm 内径10nm | 120 160 |
| 2001年12月号 | Si薄膜にナノ穴形成 -電子線を光速照射アモルファス化可能に- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年9月18日PP.7) | 量子サイズ効果 直径約3mm | 160 |
| 2001年12月号 | 青色レーザ -酸化亜鉛で開発- | ローム | 日刊工業新聞 (2001年9月20日PP.1) | 波長380nm n型はZnO p型はCu他の金属酸化物 | 250 |
| 2001年12月号 | 高出力・高性能SHG青色レーザ | 松下電器 日本ガイシ | 日本経済新聞 (2001年9月28日PP.17) 電波新聞 (2001年9月28日PP.1) | 非線形光学結晶 ニオブ酸リチウム 波長410nmの30mW青色出力 | 250 |
| 2001年11月号 | チップの上に光の集積回路 | NTT | 日本経済新聞 (2001年8月3日PP.17) | 光導波路 ナノテクノロジー 光通信 1.3～1.6μmの光で確認 Si基板 | 240 160 |
| 2001年11月号 | 書き替え可能光メモリ- -DVDの1万倍容量を可能- | 京大 | 日刊工業新聞 (2001年8月7日PP.6) | 書き替え可能光メモリー DVDの約1万倍 37Tb/ 3 直径200nmのスポットに記録 100nm間隔立で体的に記録 サマリウムイオン フェムト秒レーザ | 130 230 |
| 2001年11月号 | Si球体チェーン -直径2nmで量産- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年8月7日PP.1) | 直径2～3nm Si針状結晶 | 160 |
| 2001年11月号 | 低温で基盤形成技術 カーボンナノチューブ | 豊橋技科大 | 日経産業新聞 (2001年8月16日PP.7) | 50℃で基板を加熱 真空中のアーク放電利用 30Vで 50～100Aの放電 太さ数10nm 長さ1μm | 160 120 |
| 2001年11月号 | ナノサイズのくぼみ -レーザで瞬時形成- | 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (2001年8月24日PP.17) | 量子コンピュータ fsレーザ 干渉を利用 0.1mmの領域に1μm間隔で10～200nmのくぼみ | 160 |
| 2001年11月号 | カーボンナノチューブで論理回路作製 | 米IBM | 日経産業新聞 (2001年8月28日PP.8) | 電圧インバータ回路 単一分子構造 小型化 高速化 | 220 |
| 2001年11月号 | 新素材使った燃料電池 | NEC 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (2001年8月31日PP.17) | カーボンナノチューブ メタノール 発電効率Li電池の約10倍 名刺大で70mW 白金系触媒 水素 | 250 |
| 2001年10月号 | 「近接場光」で超微細加工 | 富士フイルム | 朝日新聞・夕刊 (2001年7月6日PP.13) | スリット幅130nm 深さ550nm 2層レジスト 水銀ランプ 436nm | 160 460 |
| 2001年10月号 | カーボンナノチューブ高配向膜 -高輝度発光に成功- | ファインセラミックスセンター ノリタケカンパニー | 日刊工業新聞 (2001年7月12日PP.8) | カーボンナノチューブ 高配向性膜 100kcd/m2 アノード電圧10kV 導電性グラファイト | 150 250 |
| 2001年10月号 | 先端径10nmのダイヤモンド・ナノエミッタ | 住友電工 ファインセラミックスセンター 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年7月17日PP.1) | 電流を均質化 数mm角の基板に10μmピッチで配置 成長とエッチングの組合せ 単結晶ダイヤモンド φ3～5mm円すい プラズマエッチング 高さ/先端径＞10 | 160 250 |
| 2001年 8月号,9月号 | ダイヤで紫外光LED 人工ダイヤの「輝き」 | 物質・材料研究機構 | 日経産業新聞 (2001年6月8日PP.9) 朝日新聞・夕刊 (2001年6月13日PP.12) | 波長235nm 15V､0.1mAで発光 人工ダイヤモンド 約2mm角 波長235nm 青紫の可視光 | 250 |
| 2001年 8月号,9月号 | 20nmゲート長トランジスタ -20GHzMPU動作目指す- | 米インテル | 日刊工業新聞 (2001年6月13日PP.10) | 20GHzマイクロプロセッサ MPU | 520 |
| 2001年 8月号,9月号 | 極微細粒でシリコン層形成技術 | アネルバ | 日経産業新聞 (2001年6月14日PP.7) | クオンタムドット形成技術 直径5-10nmの粒子 1T個/m2 | 160 130 |
| 2001年 8月号,9月号 | 赤色半導体レーザ -光利用効率20%向- | 三洋電機 | 電波新聞 (2001年6月15日PP.2) | アスクペクト比1対1.7の近円形ビーム 光利用効率20%向上 4倍の高速記録が可能 発振波長660nm AlGaInP系赤色半導体レーザ 低損質導波路 | 250 |
| 2001年 8月号,9月号 | ナクテク使い立体配線 | 東芝 | 日本経済新聞 (2001年6月15日PP.17) | 銅メッキ 線幅15μm 数10nm径の穴の開いたプラスチックシート 光の強弱で配線と貫通部を作成 | 260 160 |
| 2001年 6月号 | カーボンナノコイル -ら旋状化 大量合成に成功- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2001年4月10日PP.6) | 酸化InとFeの薄膜を設置した電気炉にアセチレンを送り込む | 160 |
| 2001年 6月号 | 弾性表面波を使った超小形モータ | 東大 東工大 | 日経産業新聞 (2001年4月13日PP.9) | SAWフィルタ 酸化ニオブ・リチウム 位置決め精度40nm 移動速度1.1m/s | 260 250 240 |
| 2001年 6月号 | 半導体チップ -極紫外線で加工- | 大手半導体メーカ エネルギー省傘下の研究所 | 日本経済新聞 (2001年4月13日PP.17) | EUV 波長13nm 線幅30nm | 160 |
| 2001年 6月号 | 次世代光メモリー -DVDの2500倍実現- | セントラル硝子 京大 | 日刊工業新聞 (2001年4月20日PP.1) | 1cm3に8Tb ガラスにフェムト秒でレーザ照射 希土類元素の価数が変化 波長680nm 光メモリー | 230 130 430 |
| 2001年 6月号 | トランジスタ素子 -1/500の大きさ- | 米IBM | 日本経済新聞 (2001年4月30日PP.25) | カーボンナノチューブ 大電流で金属タイプを焼き切る MOSトランジスタ | 220 |
| 2001年 5月号 | ナノレベル加工機 -先晩部分の曲率半径5μm- | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2001年3月26日PP.1) | V字溝加工 | 260 |
| 2001年 5月号 | 撮影画像を重ねてタンパク質構造を解析 | 電総研 京大 | 日経産業新聞 (2001年3月23日PP.11) | 3次元画像 分解能1.9nm | 450 520 |
| 2001年 5月号 | 面発光レーザ素子 -1/1000の電流で発光- | ローム 東工大 | 日刊工業新聞 (2001年3月5日PP.1) | 波長850nm LAN用 1mW出力 面発光レーザ | 250 |
| 2001年 5月号 | 青紫レーザ量産へ -20GB級DVD- | 住友電工 | 日本工業新聞 (2001年3月5日PP.1) | 青紫レーザ DVD 20GB以上 単結晶GaN基板 波長400nm | 250 |
| 2001年 5月号 | 光で伸縮する単結晶 | 九州大 | 日経産業新聞 (2001年3月2日PP.7) | 1nm単位で長さが変化 スチルベン Tb級メモリー 紫外線で着色/可視光で無色化 光照射で20pmずつ伸張 | 120 130 |
| 2001年 4月号 | スピンSTMで新手法 -原子レベルで磁化分布検出- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2001年2月22日PP.1) | スピン走査トンネル顕微鏡 ダブルバイアス法 分解能1nm トンネル電流1nA以下 | 360 |
| 2001年 4月号 | カーボンナノチューブの量産化技術 -既存設備で量産化- | 群馬大 | 日刊工業新聞 (2001年2月21日PP.7) | カーボンナノチューブ ポリマーブレンド紡糸法 最小直径10～20nm | 160 |
| 2001年 4月号 | 任意の位置に分子1個分の配線 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2001年2月8日PP.6) 日経産業新聞 (2001年2月8日PP.12) | ジアセチレン化合物分子 ナノ細線 走査形トンネル顕微鏡(STM) | 160 |
| 2001年 3月号 | カーボンナノチューブ -溶接機で簡易合成- | 豊橋技科大 名城大 双葉電子工業 | 日経産業新聞 (2001年1月30日PP.1) | 内径1nm以下 外形数十nm 長さ数百nm～1μm 大気中アーク放電 ナノチューブ率80% | 150 120 |
| 2001年 3月号 | カーボンナノコイル作成 -ディスプレイなどへ応用- | 大阪府立大 豊橋技科大 | 日経産業新聞 (2001年1月23日PP.10) | カーボンナノコイル 太さ数十nm カーボンナノチューブ 有機分子の高温ガス 反応温度650～800℃ 直径数10nm マイクロマシン用ばね | 150 120 260 |
| 2001年 3月号 | 新有機分子 -単一分子に導電性- | 東大 | 日経産業新聞 (2001年1月16日PP.7) | CとSiからなる分子 大きさ2nm 常温～ -273℃で導電性 | 120 |
| 2001年 2月号 | 特徴電子顕微鏡使い検出 | 科技庁日仏共同研究チーム | 東京新聞 (2000年12月22日PP.10) | 金属原子ガドニウム カーボンナノチューブ チューブの直径1.6nm | 320 360 |
| 2001年 2月号 | 光の波長 計測精度10000倍に | 工技院計量研 英バース大 | 日経産業新聞 (2000年12月21日PP.7) | チタン・サファイア固体レーザ 光ファイバ 0.1nm間隔の物差し 卓上サイズの装置 | 320 360 |
| 2001年 2月号 | X線レーザ装置を小形化 | 豊田工大 | 日経産業新聞 (2000年12月20日PP.13) | 波長15.4nmのX線レーザ X線光電子顕微鏡 | 350 250 360 |
| 2001年 2月号 | 高純度の赤色有機EL素子 | タイホー工業 | 日本工業新聞 (2000年12月13日PP.13) 日刊工業新聞 (2000年12月18日PP.9) | 色度座標にてX軸0.67/Y軸0.32 2000cd/m2 インドール染料系 有機ポリマ 発光ピーク波長657nm | 150 250 |
| 2001年 2月号 | MRAM向け成膜装置 | アネルバ | 日経産業新聞 (2000年12月4日PP.9) | 直径8inウェハ 1nm以下の磁性膜 真空技術 | 230 160 |
| 2001年 1月号 | SiCパワー素子 | 松下電器 | 電波新聞 (2000年11月22日PP.1) | SiCパワー素子 DACFET ナノ制御δドープ層状構造 113cm2/Vs | 220 |
| 2001年 1月号 | 単層カーボンナノチューブ -直径0.4nm作製- | 名城大 NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2000年11月2日PP.6) 日経産業新聞 (2000年11月2日PP.9) | カーボンナノチューブ 水素ガス中で放電 直径0.4～10nm 多層構造 | 120 160 |
| 2000年12月号 | 新形導電性銀ペースト -配線幅10μm実現- | アルバック・コーポレートセンター ハリマ化成 | 日本工業新聞 (2000年10月27日PP.7) | ナノ粒子ペースト | 160 |
| 2000年12月号 | ナノ結晶に光導電性 -CCDなどに応用- | NHK 広島大 | 日経産業新聞 (2000年10月24日PP.1) | Siナノ結晶 光導電性 | 210 120 |
| 2000年12月号 | 超精密技術 -レーザ使い極小文字- | 阪大 | 電波新聞 (2000年10月20日PP.2) | 微粒子20nm 蛍光プラスチック 光ピンセット | 160 |
| 2000年12月号 | 新規格ディスク装置 -記憶容量DVDの5倍- | ソニー | 日刊工業新聞 (2000年10月4日PP.1) | DVRブルー 22.5GB 相変化(PC)方式 波長405nm青色レーザ DVD | 230 250 530 330 |
| 2000年10月号 | 極超短波でエッチング | 日立 | 日経産業新聞 (2000年8月31日PP.9) | エッチング 電極幅0.1μm 加工精度0.5nm以下 | 160 |
| 2000年10月号 | 新形X線顕微鏡 -細胞や染色体鮮明に- | 明大 千葉大 | 日経産業新聞 (2000年8月24日PP.9) | X線顕微鏡 走査形電子顕微鏡を利用 10nmに絞った電子ビーム 分解能0.1μm 立体的な像 | 360 |
| 2000年10月号 | HD容量上げる微細加工技術 -容量10倍超へ- | 東芝 | 日本経済新聞 (2000年8月19日PP.13) | 高分子材料 自己組織化 ナノテクノロジー 単一電子トランジスタ ハードディスク | 160 230 |
| 2000年 9月号 | 金のナノワイヤ | 東工大 | 日刊工業新聞 (2000年7月28日PP.7) 日経産業新聞 (2000年7月29日PP.12) | 0.6nmφ×15nm 同軸形状 ナノワイヤ | 120 |
| 2000年 9月号 | 回折格子を形成する新技術 -硬い材料を直接加工- | 科学技術振興事業団 | 日経産業新聞 (2000年7月25日PP.1) | 80nmチタンサファイアレーザ 1mJ/pulse 干渉縞で回折格子を形成 0.3μm幅の溝 溝間隔1μm幅 | 160 |
| 2000年 9月号 | ダイヤモンドナノチューブ | 東大 都立大 | 日本経済新聞 (2000年7月17日PP.15) | 人工ダイヤ CVD カーボンナノチューブ | 250 |
| 2000年 9月号 | ウェットプロセスで平滑な有機EL素子作成 -表面凹凸10nmに制御- | 慶大 | 日刊工業新聞 (2000年7月3日PP.9) 日刊工業新聞 (2000年7月6日PP.6) 日刊工業新聞 (2000年7月1日PP.7) | 有機EL素子 ディスプレイ ポリマー ウェットプロセス 交互吸着膜 凹凸10nm EL 光素子 | 160 150 |
| 2000年 5月号 | カーボンナノチューブで電子銃作成 | 電総研 | 日本経済新聞 (2000年3月27日PP.19) | 直径2～3nmφ Si突起 炭化水素系ガス カーボンナノチューブ 放電開始電圧10V 電子銃 | 260 250 150 |
| 2000年 5月号 | 紫外線の発光ダイオード -セラミックスを使用- | 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (2000年3月27日PP.19) | 紫外線発光ダイオード ストロンチウム銅酸化物膜 酸化亜鉛膜 波長380nm エピタキシャル成長 | 250 |
| 2000年 5月号 | 人工ダイヤ常温で紫外線発光 | 東京ガス | 日経産業新聞 (2000年3月3日PP.5) 毎日新聞 (2000年3月27日) | 紫外線 人工ダイヤモンド 波長235nm 常温で発光 LNG | 250 |
| 2000年 4月号 | 新半導体製造法 -垂直構造で高集積- | 米ルーセントテクノロジー | 日経産業新聞 (2000年2月25日PP.5) | トランジスタ 半導体 ゲート長50nm 垂直構造 | 220 160 |
| 2000年 3月号 | 世界最高速のHEMT | 郵政省 富士通 阪大 | 日経産業新聞 (2000年1月21日PP.5) | HEMT 362GHz 電子走行層10nm InGaAs 電子供給層 InAlAs ミリ波 | 220 |
| 2000年 3月号 | 量子ホール効果を確認 -新形素子開発に道- | NTT 東北大 | 日経産業新聞 (2000年1月14日PP.5) | 量子ホール効果 量子コンピュータ GaAs AlGaAs 3nm厚 | 120 210 660 220 |
| 2000年 2月号 | 半導体で最短の発光波長 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (1999年12月14日PP.6) 日本工業新聞 (1999年12月16日PP.18) | 量子井戸構造 AlN AlGaN 波長230nm 紫外波長域 波長234nm | 250 |
| 2000年 1月号 | シリコン基板上に情報書込み -1平方インチに1兆ビット- | 早大 | 日経産業新聞 (1999年11月8日PP.5) | 10Gb/in2 Si基板 酸化膜 ウエットエッチング 直径10nmの穴 | 160 230 |
| 2000年 1月号 | 3次元電子顕微鏡 -ナノ構造を立体で観察- | 理化学研 日本原子力研 名大 工学院大 日立 | 日刊工業新聞 (1999年11月3日PP.5) 日経産業新聞 (1999年11月4日PP.4) | 分解能0.2nm 3次元画像 3次元顕微鏡 画像処理 エネルギー分析 | 360 320 520 |
| 2001年 1月号 | SiCパワー素子 | 松下電器 | 電波新聞 (2000年11月22日PP.1) | SiCパワー素子 DACFET ナノ制御δドープ層状構造 113cm2/Vs | 220 |
| 2001年 1月号 | 単層カーボンナノチューブ -直径0.4nm作製- | 名城大 NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2000年11月2日PP.6) 日経産業新聞 (2000年11月2日PP.9) | カーボンナノチューブ 水素ガス中で放電 直径0.4～10nm 多層構造 | 120 160 |
| 1999年12月号 | 光CT装置 | 島津製作所 浜松ホトニクス機械技術研北大 | 日刊工業新聞 (1999年10月5日PP.6) | 近赤外光 200ns間隔の100ps光パルス 770nm・800nm・830nmの3波長 | 320 210 360 |
| 1999年12月号 | スピントランジスタ -基本動作確認- | 日立 | 日経産業新聞 (1999年10月7日PP.5) | 電子スピン カーボンナノチューブ | 220 |
| 1999年12月号 | 微粒子1個に1ビット記録-配列パターンに垂直磁化- | 日立 東北大 | 日刊工業新聞 (1999年10月13日PP.7) | 垂直磁化 円柱状磁性微粒子 パターンドメディア MFM 30Gb/inch2 80nmφ44nmHの円柱状微粒子 150nmピッチ | 130 230 160 |
| 1999年12月号 | 感触センサ | 阪大 産業科学研 イナバゴム | 日経産業新聞 (1999年10月26日PP.5) | ナノコンポジット 感圧センサ シリコンゴム 球状炭素 セラミックス微粒子 | 210 |
| 1999年11月号 | 青紫色面発光形半導体レーザ -室温発振に成功- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年9月17日PP.8) 日経産業新聞 (1999年9月17日PP.4) | 窒化ガリウム インジウム 発振波長399nm サファイア基板 多重量子井戸構造 青紫色面発光レーザ 室温発振 | 250 |
| 1999年11月号 | Si接合技術 | NEC 科学技術振興事業団 | 電波タイムズ (1999年9月20日PP.2) | カーボンナノチューブ | 260 160 |
| 1999年11月号 | 紫色半導体レーザ -世界初の実用化- | 日亜化学 | 電波新聞 (1999年9月22日PP.2) 電波タイムズ (1999年9月27日PP.7) | DVD 紫色半導体レーザ 波長405nm 出力5mW | 250 |
| 1999年10月号 | ハイブリッド式成膜装置 -耐磨耗性を80倍に- | ナノテック | 日刊工業新聞 (1999年8月6日PP.7) | ダイヤモンド 磁気ディスク DLC | 130 160 |
| 1999年10月号 | 10nmを切る半導体量子細線 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1999年8月25日PP.5) | ガスエッチング 有機金属気相成長 光通信帯で発光 InGaAs細線 | 250 160 |
| 1999年 9月号 | 単一電子素子量産用製造技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (1999年7月19日PP.19) | 自己組織化 超微細加工 半導体基板 20～30nmの凹凸 単一電子素子 製造技術 エッチング | 160 220 260 120 |
| 1999年 8月号 | 青紫色半導体レーザ -消費電力1/10に- | 東大 | 日本経済新聞 (1999年6月7日PP.19) | 青紫色半導体レーザ 量子箱 波長405nm 室温でパルス発振 | 250 |
| 1999年 8月号 | カーボンナノチューブ使用表示装置 | 物資工学研 | 日経産業新聞 (1999年6月13日PP.4) | カーボンナノチューブ 次世代平面ディスプレイ 3kV加圧で発光 100万A/cm2以上 | 250 |
| 1999年 8月号 | 幅3nmの電線 -微小機械などに応用へ- | 物質工学研 | 日経産業新聞 (1999年6月15日PP.5) | 誘電性繊維 | 260 160 |
| 1999年 8月号 | 世界最小のトランジスタ -構造試作 動作を確認- | NEC | 日経産業新聞 (1999年6月17日PP.5) | ゲート電極長50nm P-MOS MOSトランジスタ MOSFET | 160 220 |
| 1999年 7月号 | 青色半導体レーザ -量子ドットで実現- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年5月21日PP.1) | InGaN 量子ドット 10層構造 室温発振 閾値電流 MOCVD 直径約20nm 高さ約4.5nm 波長405nm 色素レーザ励起 | 250 |
| 1999年 7月号 | DVD-RAM次世代機 | 松下電器産業 | 日本経済新聞 (1999年5月25日PP.13) | 片面4.7GB 650nm | 230 330 160 130 |
| 1999年 6月号 | 記録用基礎技術「ナノマグネット」 -記録密度，磁気ディスクの100倍に- | 米コーネル大 | 日経産業新聞 (1999年4月7日PP.5) | ナノマグネット | 230 120 |
| 1999年 6月号 | 青紫色半導体レーザ -量産タイプの素子構造，連続発振- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年4月6日PP.6) | 青紫色半導体レーザ 室温連続発振 GaIn系 N形NGa基板 HVPE 低欠陥 裏面電極 へき開共振器 波長401.9nm | 250 |
| 1999年 5月号 | 0.1μmプロセス用絶縁材料 -2GHz動作のLSI実現- | 富士通研 | 電波新聞 (1999年3月30日PP.1) | 2GHz動作 0.1μmプロセス用絶縁材料 ナノキャビティ技術 層間絶縁膜誘電率1.98 アリサイクリックモノマ | 220 120 160 |
| 1999年 5月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長8nm- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年3月29日PP.1) | MOSトランジスタ HET 10Tbメモリー ホットエレクトロン効果 トランジスタ ゲート長8nm 電子線レジスト 横形HEMT | 220 160 |
| 1999年 4月号 | 最高速のFRAM | 東芝 | 日本経済新聞 (1999年2月16日PP.13) | 読出し37nm 書込み80ns | 230 |
| 1999年 4月号 | 紫色半導体レーザ -次世代DVD用光源- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1999年2月4日PP.1) 日経産業新聞 (1999年2月4日PP.5) 日本経済新聞 (1999年2月4日PP.11) 日本工業新聞 (1999年2月4日PP.4) | 次世代DVD 波長400nm 集光特性 連続発振 多重量子井戸構造 GaN DVD 紫色半導体レーザ 半導体レーザ 記録用光源 | 230 250 |
| 1999年 4月号 | 高精度不純物検定装置 -30nmの不純物も検出- | 横河電機 | 日経産業新聞 (1999年2月2日PP.5) | YAGレーザ プラズマ | 250 660 |
| 1999年 3月号 | 紫色半導体レーザ出荷 -DVD記録容量 赤の2.6倍- | 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (1999年1月12日PP.1) | 400nm 50mW 紫色半導体レーザ | 250 |
| 1999年 2月号 | 赤色有機EL -TPCが発光物質- | 東洋インキ 電総研 | 日経産業新聞 (1998年12月18日PP.5) | 有機EL素子 TPC濃度1.7% 赤色発光 波長650nm 100cd/m2 | 250 |
| 1999年 2月号 | 1.2nm極薄酸化膜使用のMOS素子 | 広島大 | 日刊工業新聞 (1998年12月8日PP.6) | 1.2nmシリコン酸化膜 | 220 160 |
| 1999年 2月号 | シリコン酸化膜の微細構造解析 -歪み層が信頼性決定- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年12月8日PP.5) | 1nm歪み層 絶縁破壊 | 160 |
| 1999年 2月号 | 書込み速度50倍のフラッシュメモリー | 松下電器産業 松下電子 ヘイロLSI社 | 日本経済新聞 (1998年12月7日PP.17) 電波新聞 (1998年12月7日PP.1) | ゲート間距離40nm 書込み200ns 書込み電圧5V バリスティック型トランジスタ 高効率エレクトロン | 220 230 |
| 1999年 1月号 | 炭素の微小管を使った平面ディスプレイ技術 | 米バファロー大 | 日経産業新聞 (1998年11月18日PP.5) | カーボンナノチューブ 平面ディスプレイ 電子銃 | 150 |
| 1999年 1月号 | 条件により光通す結晶 -紫外線レーザに道- | 東芝 | 日本経済新聞 (1998年11月16日PP.19) | セラミックス 電磁気誘起透明化 Y Al酸化物セラミクス プラセジオムイオン 190nm以下 紫外線域 半導体レーザ | 150 |
| 1999年 1月号 | シリコンの発光素子 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1998年11月4日PP.1) | LED シリコン ナノクリスタル 可視発光 Si発光 非晶質Si | 250 |
| 1998年12月号 | 面発光の青色レーザ -世界発開発- | 東大 | 日経産業新聞 (1998年10月28日PP.4) | 青色面発光レーザ DVD 380nm 面発光レーザ 青色レーザ 有機金属気相成長法 窒化ガリウム | 250 230 |
| 1998年11月号 | 世界初の完全単一モード -面発光半導体レーザ開発- | 東工大 | 電波新聞 (1998年9月13日PP.5) 日経産業新聞 (1998年9月21日PP.5) | 単一モードレーザ 面発光レーザ GaAs 傾斜基板 閾値260μA 波長985nm 出力0.7mW 単一波長 | 250 |
| 1998年11月号 | 大容量FeRAM -記憶容量大幅に拡大- | 富士通 | 日本経済新聞 (1998年9月8日PP.12) | FeRAM 50nmの絶縁体膜 BiOxとSTBの積層絶縁膜 | 230 |
| 1998年 9月号 | 電子線(EB)露光用ネガレジスト -7nmの最小パターン形成可能- | NEC | 日刊工業新聞 (1998年7月10日PP.4) | アルファメチルスチレン EB用 | 160 |
| 1998年 8月号 | 0.4V以下の超低電圧Si量子素子 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1998年6月24日PP.1) 日刊工業新聞 (1998年6月24日PP.11) 日経産業新聞 (1998年6月24日PP.5) | トンネル障壁 酸化膜 負性特性 エサキダイオード 消費電力 Si量子素子 超低電圧駆動 多結晶Si 量子化機能素子 3nm以下の薄いSi酸化膜 負性抵抗素子 3素子でメモリー | 220 120 |
| 1998年 8月号 | 高記録密度光ディスク -記録密度 DVDの15倍- | 工技院融合研 | 日本経済新聞 (1998年6月20日PP.11) 日経産業新聞 (1998年6月22日PP.5) | 光ディスク DVD 近接場光 アンチモン アンチモン薄膜 大容量記録 160nm直径の光スポット 波長680nm | 230 |
| 1998年 8月号 | ナノ結晶の原子レベル挙動 観察に成功 | 金属材料研 | 日刊工業新聞 (1998年6月19日PP.4) | 金属結晶 イオン照射 ナノ結晶 キセノン 電子顕微鏡 | 360 660 |
| 1998年 8月号 | 「円偏光」型面発光レーザ | NTT | 日経産業新聞 (1998年6月9日PP.1) | 円偏光 スピン光学 面発光レーザ 通信容量 超高速光通信 860nm 波長板 データ転送量2倍に | 250 240 |
| 1998年 6月号 | DVD用半導体レーザ | NEC | 日経産業新聞 (1998年4月17日PP.5) | 低消費電力 高温動作 5mW出力 波長650nm 共振器長を350μmに短縮 磁界電流70mA 最高動作温度100℃ | 250 330 |
| 1998年 6月号 | 光使う“半導体”素材 -情報処理速度100～1000倍に- | HOYA | 日経産業新聞 (1998年3月31日PP.1) | 光の強さで屈折率変化 1kW/cm2で利用可 酸化チタンに直径数十nmの金粒子を分散蒸着 | 220 230 |
| 1998年 5月号 | 高精度作業台システム -位置決めnm精度で- | 東工大 | 日経産業新聞 (1998年3月17日PP.5) | アルミナ 静圧案内 | 160 |
| 1998年 4月号 | 波長より小さな穴に光透過 | NEC北米研 | 電波新聞 (1998年2月14日PP.2) | 波長1370nmの赤外光 厚さ200nmの銀薄膜 穴の直径が波長の約1/10で光強度2倍 | 130 |
| 1998年 3月号 | 巨大磁気抵抗効果 -最大で40倍に変化- | アトムテクノロジー研究体 (JRCAT) | 日経産業新聞 (1998年1月26日PP.5) | 巨大磁気効果 磁気抵抗 マンガン酸化物 ランタンストロンチウム酸化物 0.2nmで交互に積層 4.2K 4000気圧で 40倍/0.3T GMRヘッド用材料 | 120 |
| 1998年 3月号 | ナノ構造の量子ドッド | アトムテクノロジー研究体 (JRCAT) | 日刊工業新聞 (1998年1月20日PP.9) | ゲルマニウム 10nm径 | 160 |
| 1998年 2月号 | 世界最小のトランジスタ | 京大 富士通研 | 日経産業新聞 (1997年12月17日PP.5) 日本経済新聞 (1997年12月17日PP.11) | 線幅40nm クラスタイオン ホウ素原子の10個の塊をイオン注入 トランジスタ | 160 220 |
| 1998年 2月号 | 界面の電子状態微細制御 | 科技振興事業団 | 日経産業新聞 (1997年12月8日PP.5) | 100nm未満 SiAu 縞模様 | 160 120 |
| 1997年12月号 | 半導体レーザ -青紫色 実用化にメド- | 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (1997年10月30日PP.1) | 青紫色半導体レーザ 50℃で寿命1500時間 室温換算寿命10000時間以上 電流密度4kA/m2 波長403nm 片面15GBのDVD用 | 250 |
| 1997年12月号 | 光導波路素子 -温度変化に強く- | NTT | 日経産業新聞 (1997年10月6日PP.5) | 光導波路 アレイ導波路回折格子 Si樹脂性のプリズム 0～80℃で0/05nmの変動 | 240 |
| 1997年12月号 | 片面15GBのDVD -記憶容量3倍に- | パイオニア | 日経産業新聞 (1997年10月6日PP.1) | 15GB 波長430nm 430nmレーザ ハイビジョンで2時間13分 片面15GB 430nmSHGレーザ 再生装置の試作 トラック幅0.37μm 3ビーム方式 | 330 230 250 |
| 1997年11月号 | 耐候性に優れた青色，青緑色発光の蓄光体 | リード | 電波新聞 (1997年9月22日PP.11) | 蓄光体 耐候性 460+490nm | 150 |
| 1997年11月号 | 超微細MOSトランジスタ -模擬素子で正常動作- | NEC | 電波新聞 (1997年9月12日PP.1) 日経産業新聞 (1997年9月12日PP.5) | ゲート長14nm EJ-MOSFET 2重ゲート構造 10Tbメモリーへ道 10Tb MOS | 220 |
| 1997年11月号 | 全光スイッチ -ナノ秒でオンオフ- | 静岡大 | 日刊工業新聞 (1997年9月5日PP.7) | 光スイッチ フォトクロミック色素 | 120 240 |
| 1997年10月号 | ナノメートルの領域で硬さ測定 | 科学技術庁 | 日経産業新聞 (1997年8月25日PP.5) | AFM ダイヤモンド針 | 360 660 |
| 1997年 9月号 | 厚さ最小のLSI用絶縁膜 | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年7月18日PP.6) | LSI 絶縁膜 1.5nm 消費電力1/18 | 220 160 |
| 1997年 8月号 | 15GBの高密度記録技術 -光ディスク記憶容量で世界最大- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1997年6月10日PP.1) 日本経済新聞 (1997年6月10日PP.11) 日刊工業新聞 (1997年6月10日PP.10) | 8mW 425nm青色レーザ 光ディスク DVD 高密度記録 SHG 425nm 15mW SHGレーザ 相変化ディスク トラックピッチ0.33μm マーク長0.42μm 片面15GB | 230 250 |
| 1997年 7月号 | 次世代大容量光ディスク -DVD越す12GB実現- | ソニー | 電波新聞 (1997年5月21日PP.1) 日刊工業新聞 (1997年5月21日PP.8) 日本経済新聞 (1997年5月21日PP.13) 日経産業新聞 (1997年5月21日PP.9) | CDサイズに片面12GB 青緑色レーザ 515nm 20mW CDサイズ 光ディスク 青緑色半導体レーザ 波長515nm 出力20mWの半導体レーザ 9.5Gb/in2 | 230 330 250 |
| 1997年 5月号 | 半導体型光フィルタ -温度変化の影響抑制- | NTT | 日経産業新聞 (1997年3月4日PP.5) | 光フィルタ 波長多重通信 0.01nm/℃ InGaAsP | 240 |
| 1997年 2月号 | 電圧0.6Vで動作するロジックLSI | シャープ | 日経産業新聞 (1996年12月12日PP.5) | LSI MOS FET ロジックLSI MOS型FET 低電圧動作 0.6V 3層構造チャンネル ゲート膜厚2.8nm 0.6V動作 低漏波電流形状 低電圧 MOSFET | 220 |
| 1997年 2月号 | 電界の振動一定の面発光レーザ | ATR 東工大 | 日経産業新聞 (1996年12月10日PP.5) | GaAs311A面 25μm角 1mAで発振 1500nm 電界方向一定 面発光レーザ | 240 250 |
| 1997年 2月号 | 青色発光有機EL材 -350℃でも安定- | ソニー | 日経産業新聞 (1996年12月2日PP.5) | 有機EL 亜鉛錯体 耐熱350℃ 発光波長460nmと550nm 20cd フルカラー表示板を試作 青色発光有機EL | 250 150 |
| 1997年 1月号 | 赤外半導体レーザ -出力1.5倍に- | 三井石化 | 日経産業新聞 (1996年11月25日PP.1) | 860nm 300mW 寿命10000時間以上 | 250 |
| 1997年 1月号 | 2nmのSi細線 -電子線露光で作製- | NTT | 日経産業新聞 (1996年11月5日PP.6) | 幅2nm エッチング 電子線露光 Si細線 単一電子トランジスタ | 120 260 160 |
| 1996年12月号 | 窒化膜で原子層マスク -STM使いナノ構造- | NTT | 日刊工業新聞 (1996年10月22日PP.6) | 微細加工 窒化膜原子層マスク STM MOCVD 窒化保護膜 低電流加工可能 量子効果素子 | 160 120 |
| 1996年12月号 | 原子層マスク技術 -ナノ構造を形成- | 工技院アトムテクノロジー研 | 日刊工業新聞 (1996年10月9日PP.6) | 1層原子層マスク | 160 |
| 1996年11月号 | 面発光レーザ -連続発振に成功- | 名工大 | 日経産業新聞 (1996年9月3日PP.5) | OEIC 844nm | 250 |
| 1996年10月号 | 幅20μm 深さ600nmの量子細線 | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1996年8月15日PP.7) | レーザ加工 GaAs基板 量子細線 20μm 600nm厚 | 160 140 240 |
| 1996年 5月号 | 電子線露光用レジスト -フラーレンを利用- | アトムテクノロジ-研究体 | 日刊工業新聞 (1996年3月12日PP.5) | 電子線用レジスト フラーレン 感度0.01クーロン/cm2 10nmオーダの加工 | 160 |
| 1996年 4月号 | 青緑色半導体レーザ -室温発振100時間突破- | ソニー | 電波新聞 (1996年2月1日PP.1) 日経産業新聞 (1996年2月1日PP.5) 日刊工業新聞 (1996年2月1日PP.6) | 波長515nm 1mW 青緑色半導体レーザ 室温連続発振101.5時間 | 250 |
| 1996年 3月号 | 量子細線形成技術 -厚さ幅とも10nm 均一に形成- | NTT | 日経産業新聞 (1996年1月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1996年1月19日PP.5) | 量子細線 光吸収ピーク観測 製造加工技術 | 120 160 |
| 1996年 2月号 | 青紫色半導体レーザ | 日亜化学工業 | 電波新聞 (1995年12月13日PP.1) 日経産業新聞 (1995年12月13日PP.10) 日刊工業新聞 (1995年12月13日PP.9) 日本経済新聞 (1995年12月13日PP.11) | 半導体レーザ 波長410nm DVD GaN 室温 パルス発振 高密度記録 | 250 |
| 1996年 1月号 | 光磁気ディスクに直径0.2μmの記録領域 | 豊田工大 IBM | 日経産業新聞 (1995年11月1日PP.5) | 光磁気ディスク 10GB/cm 記録波長830nm | 230 |
| 1995年12月号 | 書換え可能光ディスクレコーダ -両面で10.4GB記録- | NEC | 日経産業新聞 (1995年10月18日PP.12) 日刊工業新聞 (1995年10月18日PP.9) 電波新聞 (1995年10月18日PP.1) | 光ディスク 両面で10.4GB 記録波長680nm 相変化 両面で10.4GB 12cmディスク | 230 330 |
| 1995年11月号 | 純緑色LED | 日亜化学工業 | 電波新聞 (1995年9月19日PP.2) 日経産業新聞 (1995年9月19日PP.1) | LED 波長525nm 20mA 6cd 緑発光 | 250 |
| 1995年10月号 | 波長可変の半導体レーザ | NEC | 日刊工業新聞 (1995年8月4日PP.7) | 半導体レーザ MOCVD法 1.55μm帯 可変幅±3.8nm 連続波長可変 | 250 240 |
| 1995年 9月号 | 世界初の量子ドットレーザ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年7月25日PP.1) | 量子ドットレーザ 正孔とじこめ発光 InGaAs 閾値1.1A λ911nm/温度80K パルス発振 超低消費電力 | 250 150 |
| 1995年 9月号 | 全固体SHGレーザ | 日立製作所金属 | 日経産業新聞 (1995年7月6日PP.11) 電波新聞 (1995年7月6日PP.6) 日刊工業新聞 (1995年7月6日PP.16) | 青色レーザ SHGレーザ 波長430nm | 250 |
| 1995年 8月号 | 分解能15倍の光学顕微鏡 | NTT | 日経産業新聞 (1995年6月14日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年6月14日PP.7) | 光学顕微鏡 分解能20nm | 360 |
| 1995年 8月号 | ギガヘルツ対応0.07μmCMOS | NEC | 電波新聞 (1995年6月6日PP.7) 日刊工業新聞 (1995年6月6日PP.9) 日経産業新聞 (1995年6月6日PP.5) | ゲート長0.07μm 低電源電圧1.5V 3.5nm接合 CMOS 遅延時間19.7ps DRAM 16Gbps | 220 520 160 |
| 1995年 7月号 | 高安定光合分波器 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1995年5月9日PP.4) | 波長1nm間隔で8ch 波長多重伝送 光ファイバ増幅器 WDM(波長多重伝送) リトロー型 | 240 |
| 1995年 3月号 | 680nmの2ビーム赤色半導体レーザ | 松下電器産業 | 電波新聞 (1995年1月6日PP.1) | 2ビーム半導体レーザ | 250 |
| 1995年 2月号 | 世界最高速の省電力MOSトランジスタ | 東芝 | 朝日新聞 (1994年12月9日PP.13) 電波新聞 (1994年12月9日PP.2) 日経産業新聞 (1994年12月9日PP.5) | MOSトランジスタ 膜厚1.5nm 1.5V動作 1～4GbDRAM ゲート長0.09μm 省電力 | 220 |
| 1994年11月号 | POFで2.5Gbps伝送成功 | NEC | 日経産業新聞 (1994年9月27日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年9月27日PP.7) | POF(高性能プラスチック光ファイバ) 650nm 100m伝送 | 440 240 |
| 1994年11月号 | 走査型電子線露光 -初の5nmパターン形成- | NEC | 日刊工業新聞 (1994年9月13日PP.7) | 無機レジスト法 量子効果素子 イオンビームスパッタ法 | 120 160 |
| 1994年11月号 | POF向け半導体レーザ -可視光で世界最高速- | NEC | 日経産業新聞 (1994年9月7日PP.1) | POF用レーザダイオード 可視光 波長50nm 光通信レーザ 波長の短い可視光で世界最速2.5Gbps | 250 |
| 1994年11月号 | 超高密度記録の光ディスク -相変化光ディスク1Tb/cm2- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1994年9月17日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年9月17日PP.5) | 相変化光ディスク 1Tb/cm2 3.5インチ 1800時間 AFM利用 原子間顕微鏡 探針記録方式(AFM)方式 ビット径10nm | 230 360 |
| 1994年11月号 | 光ディスクで高画質動画再生 | 三洋電機 | 電波新聞 (1994年9月2日PP.1) 日経産業新聞 (1994年9月2日PP.8) | MOディスク 12cm 2.5GB 135分 4倍密度 光ディスク動画記録 635nmの半導体レーザ | 230 530 |
| 1994年10月号 | 10nm幅のSi細線 - -173℃で量子効果- | NTT | 日経産業新聞 (1994年8月26日PP.5) | Si細線 量子効果 極細構造 | 160 220 |
| 1994年 9月号 | 半導体ナノ細線製造技術 -超高速素子に道- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年7月12日PP.5) | 半導体細線製造加工 量子効果 太さ十数nm 超極細線半導体細線 超高速素子 半導体製造技術 | 160 |
| 1994年 8月号 | レーザ干渉計利用の小型装置 -0.4nmの高分解能- | ニコン | 日経産業新聞 (1994年6月22日PP.3) | レーザ干渉計 | 360 |
| 1994年 8月号 | T型トランジスタ-ゲート電極，長さ70nmに- | NEC | 日経産業新聞 (1994年6月21日PP.4) | ゲート電極 長さ70nm 増幅率ほぼ2倍 高効率 FET ゲート長70nm 電界効果型トランジスタ | 220 |
| 1994年 7月号 | 高輝度青緑色LED | 東芝 | 日経産業新聞 (1994年5月25日PP.5) | 青緑色LED 2cd 波長500nm セレン化亜鉛 | 250 |
| 1994年 7月号 | 量子箱構造を自然形成 | NTT | 日経産業新聞 (1994年5月12日PP.5) | 量子箱 半導体レーザ 直径50～200nm | 160 250 |
| 1994年 6月号 | SHG方式ブルーレーザの小型モジュールを試作 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1994年4月1日PP.1) | ブルーレーザ(SHG方式) 初の小型化(8cc) 429nm 2mW | 250 |
| 1994年 5月号 | 高密度記録磁気材料CoCr薄膜 | NTT原子研 | 日刊工業新聞 (1994年3月23日PP.11) 日本工業新聞 (1994年3月23日PP.6) 朝日新聞 (1994年3月23日PP.12) | 磁気記録材料 CoCr微細磁気構造 超微細磁気構造 8nm 10Gb/cm2 | 130 |
| 1994年 5月号 | 大容量光VDレコーダ | NEC | 電波新聞 (1994年3月23日PP.1) 日経産業新聞 (1994年3月23日PP.5) | VDレコーダ 300mm 23GB λ:680nm 時間:32分/5時間 | 230 330 |
| 1994年 5月号 | 高密度分子メモリー -1枚でCD100万枚分- | 京大 | 日刊工業新聞 (1994年3月15日PP.4) | 分子メモリー 1nmの有機分子 STM利用 メモリー 超高密度メモリー 1nm2/b | 130 230 |
| 1994年 5月号 | 青色半導体レーザ -室温で連続発振- | ソニー | 日刊工業新聞 (1994年3月29日PP.1) | 青色半導体レーザ 23℃ λ:189.9nm 半導体レーザ 青色室温連続発振 | 250 |
| 1994年 3月号 | フラーレン単結晶薄膜化 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年1月12日PP.1) | 炭素物質フラーレン ICB法 マイカ基板 フラーレン(C60) 1cm2 膜厚15nm 半導体材料 t=15nm | 120 |
| 1994年 3月号 | 新走査型顕微鏡 | 電総研 | 日本経済新聞 (1994年1月8日PP.12) | 走査型マクスウェル顕微鏡(SMM) nmレベル | 360 |
| 1994年 1月号 | 明るさ100倍の青色LED | 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (1993年11月30日PP.1) | 青色LED 1000mcd 20mA 3.6V 450nm 窒化ガリウム | 250 |
| 1994年 1月号 | 赤色半導体レーザダイオード633n帯で5mW | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年11月25日PP.9) | 赤色半導体レーザダイオード 発振波長633nm帯 光出力5mW | 250 |
| 1993年12月号 | 10nm測定エバネッセント場顕微鏡 | 阪大 | 日刊工業新聞 (1993年10月14日PP.5) | エバネッセント場顕微鏡 | 360 |
| 1993年11月号 | 磁化分布直接観察電子顕微鏡 -20nmの磁化分布直接観察- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年9月21日PP.6) | スピンSEM 分解能20nm 磁気記録媒体の評価 電子顕微鏡 | 360 |
| 1993年11月号 | 緑色波長用光磁気記録媒体 -MOの記録容量10倍に- | 新日鉄 NHK | 日刊工業新聞 (1993年9月7日PP.10) 電波新聞 (1993年9月7日PP.3) | ビスマス置換 ガーネット 波長500nm 5インチ 3GB MOディスク | 230 130 |
| 1993年 9月号 | 青緑色半導体レーザ -波長532nmの室温連続発振- | ソニー | 電波新聞 (1993年7月9日PP.1) 日経産業新聞 (1993年7月9日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年7月9日PP.7) | 青緑色半導体レーザ 波長523nm 室温連続発振 高密度記録 | 250 |
| 1993年 7月号 | 超音波力顕微鏡 | 工技院機械技研 | 日経産業新聞 (1993年5月19日PP.5) | 超音波力顕微鏡 原子レベル観察 顕微鏡 超音波振動子 解像力5nm | 360 |
| 1993年 6月号 | 真空マイクロ素子 -先端の鋭さ世界最高のエミッタアレイ- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1993年4月22日PP.7) | 真空マイクロ素子 先端曲率10nm | 260 |
| 1993年 5月号 | 超微粒子を密閉 | NTT 三重大 | 日経産業新聞 (1993年3月31日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年3月31日PP.13) | フラーレン 30nmの炭素結晶 | 160 |
| 1993年 5月号 | 記録容量4倍のCD-ROM | NEC | 日刊工業新聞 (1993年3月8日PP.1) | CD-ROM 光ディスク λ=363.8nm 記録容量2MB | 230 |
| 1993年 3月号 | 超高密度記録技術 -新聞100年分を1円玉サイズに記録- | 日立製作所 | 電波新聞 (1993年1月8日PP.2) 日刊工業新聞 (1993年1月8日PP.9) | 原子レベル記録密度 20nmドット 高密度記録 原子間力顕微鏡 Si基板金1Tb/inch | 130 660 630 |
| 1993年 2月号 | 第3の半導体光源誕生 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年12月4日PP.7) 日経産業新聞 (1992年12月4日PP.5) 日本工業新聞 (1992年12月4日PP.5) 日本経済新聞 (1992年12月4日PP.13) 電波新聞 (1992年12月4日PP.3) | 半導体レーザ 10μA 800nm帯 極小電流発振 新発光素子 自然放出光 光コンピュータ | 250 150 |
| 1992年12月号 | 発振波長635nmの赤色半導体レーザ | 東芝 | 電波新聞 (1992年10月6日PP.2) | 半導体レーザ | 250 |
| 1992年12月号 | 2ビーム・レーザ | ソニー | 日経産業新聞 (1992年10月21日PP.5) | 量子井戸構造 波長780nm 間隔100μm 出力50mW | 250 |
| 1992年11月号 | 103nmの広波長可変レーザ | NTT | 電波新聞 (1992年9月22日PP.6) 日本工業新聞 (1992年9月22日PP.5) | 波長可変半導体レーザ 可変域103nm 1.5μm | 250 |
| 1992年11月号 | 新方式光交換システム -光信号のまま伝送先切換え- | 東大 | 朝日新聞(夕刊)ほか (1992年9月11日PP.7) | 光交換 780/840nm切換え 1/1000シャッタ 液晶シャッタ | 240 |
| 1992年11月号 | 超高密度記録・消去STMメモリー -室温大気中で10nmレベル- | NEC | 電波新聞 (1992年9月9日PP.1) 日経産業新聞 (1992年9月9日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月9日PP.9) | 記録波長10nm 超高密度記録再生 トンネル顕微鏡(STM) 1インチ四方に1兆ビット 書換え可能STMメモリー ピット径10nm CDROMの3000倍 | 230 330 |
| 1992年10月号 | 発光層幅30nm以下の量子細線レーザ構造 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年8月20日PP.6) | 30nmの発光層幅 | 250 |
| 1992年10月号 | 超微細加工技術 -アルミ化合物を原子単位で積層- | NTT | 日経産業新聞 (1992年8月11日PP.4) | 超微細加工技術 厚さ1.96nm ALE法 | 160 |
| 1992年10月号 | 室温で連続発振可能な橙色半導体レーザ- -世界初発振波長615nm- | 三洋電機 | 電波新聞 (1992年8月6日PP.1) | レーザダイオード | 250 |
| 1992年 9月号 | 青色半導体レーザ -ダブルヘテロ構造- | ソニー | 読売新聞 (1992年7月22日PP.1) 電波新聞 (1992年7月24日PP.6) | 青色レーザ 青色半導体レーザ 440nm発振 音声3時間半/12cmCD CD情報量従来の3倍 | 250 330 |
| 1992年 8月号 | ナノメートル級の金細線製法開発 | アドバンテスト | 日本経済新聞 (1992年6月20日PP.11) | 加工技術 直径50nm | 160 |
| 1992年 6月号 | 633nmの半導体レーザ | 上智大 | 日刊工業新聞 (1992年4月24日PP.7) | ガスレーザの代替で小型化可能 | 250 |
| 1992年 4月号 | 高密度光ディスク記録技術 -記録密度2倍- | 東芝 | 電波新聞 (1992年2月8日PP.1) 日刊工業新聞 (1992年2月8日PP.4) 日本工業新聞 (1992年2月10日PP.15) | 赤色半導体レーザ 光ディスク 690nmレーザ | 230 250 |
| 1992年 4月号 | 出力35mWを実現した赤色半導体レーザ -光ディスク用に開発- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1992年2月5日PP.5) | 赤色半導体レーザ 35mW 680nmレーザ | 250 |
| 1992年 3月号 | 高性能光アイソレータ | 新技術事業団 並木精密 | 電波新聞 (1992年1月23日PP.2) 日経産業新聞 (1992年1月23日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年1月23日PP.6) | 800nm 1/1000の大きさに | 220 |
| 1992年 1月号 | 世界最小のグリーンレーザ -従来比1/70- | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年11月27日PP.1) 日経産業新聞 (1991年11月27日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年11月27日PP.9) | レーザ素子 半導体レーザ グリーンレーザ ハイビジョン録画 録画時間3倍 外寸10mm×17.5mm 532nm 4mW 集光レンズなし | 250 |
| 1992年 1月号 | 走査電子顕微鏡 -0.6nmの超高分解能- | 日立製作所 | 電波新聞 (1991年11月13日PP.2) | 電子顕微鏡 | 660 |
| 1992年 1月号 | 新原理でレーザ発振 | 東大 | 日刊工業新聞 (1991年11月5日PP.1) | レーザ素子 400～650nm | 250 |
| 1991年11月号 | DFBレーザ -外部変調器なしで100km光伝送可能- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1991年9月25日PP.7) 日経産業新聞 (1991年9月23日PP.1) | 10Gbps 量子井戸 光のゆらぎ0.4nm | 250 440 |
| 1991年11月号 | 極薄絶縁膜形成技術 | 沖電気 | 日経産業新聞 (1991年9月5日PP.5) | 酸窒化シリコン膜，厚さ5nm 256M～1GbDRAM用 | 260 |
| 1991年 7月号 | 緑レーザ書き替え型光磁気ディスク | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1991年5月29日PP.1) | SHG素子 2層膜媒体 書き替え可能 5インチMOディスク 出力15mW 波長530nm 記録媒体を2層膜にして記録密度3倍に | 330 |
| 1991年 7月号 | 紫外線光学顕微鏡 | オリンパス | 日経産業新聞 (1991年5月21日PP.5) | 紫外線 500nm識別 | 310 |
| 1991年 7月号 | 有機SHGで青色レーザ -PMMAに色素加え- | 慶大 | 日刊工業新聞 (1991年5月14日PP.5) | 薄膜導波路型SHG(第2高調波)素子 406nm レーザ光波長を半分にする変換効率は約1% 10W出力 第2高調波で変換効率1% | 250 |
| 1991年 7月号 | 高出力赤色半導体レーザ | 三洋電機 | 電波新聞 (1991年5月13日PP.1) | 赤色レーザ 半導体レーザ 635nm 33mW He-Neレーザ置替え | 250 |
| 1991年 7月号 | 親指大のグリーンレーザ -低雑音特性を達成- | 松下電子 | 日刊工業新聞 (1991年5月9日PP.9) 電波新聞 (1991年5月9日PP.1) | グリーンレーザ 半導体レーザ 1060nmのレーザ光を非線型光学結晶で波長変換して532nmの波長 親指サイズ(16φ×20mm) 532nm/3mW/-135dB/Hz | 250 |
| 1991年 6月号 | 波長幅4nmで可変のレーザ | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年4月10日PP.5) | 多重量子井戸構造分布レーザ 1548～1552nmと4nm可変 出力20mW 可変幅 従来の2倍 出力20mn コヒーレント光通信に応用可 | 250 |
| 1991年 5月号 | 青緑色レーザ発振に成功 | 京大 | 日刊工業新聞 (1991年3月15日PP.7) | 半導体レーザ -族青緑色で初 540nm(17℃)→490nm MQW11層と井戸層の薄膜化 | 250 |
| 1991年 4月号 | 光磁気ディスクの記録6倍に | ソニー | 電波新聞 (1991年2月22日PP.0) 日刊工業新聞 (1991年2月22日PP.0) 朝日新聞 (1991年2月22日PP.0) 日経産業新聞 (1991年2月22日PP.0) | 再生時にレーザスポットの中の高温部のみ読出す新技術 超高解像度光信号録再技術スポット径を等価的に縮小 現行半導体レーザ(λ7404nm)で記録波長370nm(1/2)の再生可能 光磁気ディスク 超解像 超解像光信号記録再生 アイソスター | 230 |
| 1991年 3月号 | パルスを22フェムト秒に圧縮レーザ | 電総研 住友電工 | 日刊工業新聞 (1991年2月6日PP.0) | DAN(ジメチルアセトアミドニトロベンゼン)と呼ぶ誘導体を用いたファイバ627nmのレーザ光を利用 | 240 250 |
| 1991年 3月号 | 微弱電力でレーザ発生 | 日電 | 日経産業新聞 (1991年1月29日PP.0) | 低消費電力 無しきい値レーザ 0.6ナノジュール560nm | 250 |
| 1991年 3月号 | 青色LED最高の光度達成 | 新技術事業団 豊田合成 | 日経産業新聞 (1991年1月24日PP.0) 日刊工業新聞 日経産業新聞(産業一語) (1991年1月24日PP.0) | 480nm 10mA 30～70cd 寿命2000hr以上 | 250 |
| 1991年 3月号 | 世界最高輝度のLED | 東芝 | 日経産業新聞 (1991年1月18日PP.0) | 橙色 6cd 620nm 20mA レンズ10nmφ | 250 |
| 1991年 3月号 | 固体表面から原子1個ずつはぎ取る | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年1月15日PP.0) 電波新聞 (1991年1月15日PP.0) | 屋温 走査型トンネル顕微鏡 一文字2nm口 | 130 430 |
| 1991年 2月号 | 2000時間の長寿命レーザ素子 | シャープ | 電波新聞 (1990年12月20日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年12月20日PP.0) | 830nm 150mW 50℃ 2000時間寿命 | 240 |
| 1991年 1月号 | 幅1nmの溝刻む | 日本電子 | 日経産業新聞 (1990年11月22日PP.0) | STM | 360 |
| 1991年 1月号 | 64Mb級DRAMの10nm厚極薄窒化Si膜形成技術 | 沖電気 | 電波新聞 (1990年11月16日PP.0) | 急速加熱法で極薄膜のSiN 純酸素を亜酸化窒素に置き換え | 260 |
| 1990年12月号 | 40msの高分子液晶光記録材料 | 東工大 | 日刊工業新聞 (1990年11月5日PP.0) | 高分子では高速応答(画素数は100ms) ファニルベンゾユート(対応液晶)とアゾベンゼル(光応答分子)のモノマーをランカル重複したもの フィルム塗布 633nmで書き込み 367nmで読み出しレゾ2μm保存1年以上 書き込み可能 | 130 |
| 1990年12月号 | 分子大の文字を描く | NTT | 日経産業新聞 (1990年10月25日PP.0) | Si基板にGeSe化合物 AgSe化合物をつけたフィルム材料 走査型トンネル電子顕微鏡の探針で原子をとばして溝を掘った 溝幅13nm 文字サイズ:40×70nm | 160 |
| 1990年11月号 | 高密度半導体レーザ連続発振に成功 | 日経産業新聞 (1990年9月28日PP.0) 電波新聞 (1990年9月28日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年9月28日PP.0) | 4.5μm間隔で集積102個 閾電流1.8 ΔI=0.017mA 8.5mW/個 840nm | 250 | |
| 1990年10月号 | 世界で最短波長 | 三洋電機 | 日経産業新聞 (1990年9月6日PP.0) | 631nm 35℃で発振2mW出力 | 250 |
| 1990年10月号 | 単純な新容量セル | 日電 | 日刊工業新聞 (1990年8月24日PP.0) | 80nm直径の半球状結晶つぶPoly-Si 容量2倍 | 130 |
| 1990年10月号 | 輝度3カンデラの橙色LED | 東芝 | 電波新聞 (1990年8月23日PP.0) 日経産業新聞 (1990年8月23日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年8月23日PP.0) | 620nm 発光効率1.5% | 250 |
| 1990年 9月号 | 世界最短波長632.7nm | 日電 | 日経産業新聞 (1990年7月25日PP.0) | 250 |