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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2017年 8月号 | 3次元MRAM 積層プロセス開発 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年5月17日PP.29) | CMOS形成ウェハとTMR薄膜ウェハを別々に形成後圧着 | 230 260 |
| 2017年 1月号 | 単眼カメラ高性能化 夜間歩行者を認識 | デンソー | 日刊工業新聞 (2016年10月26日PP.7) | 自動ブレーキシステム用画像センサ CMOS採用 | 210 |
| 2016年 5月号 | 毎秒56ギガビットで無線伝送 http://pr.fujitsu.com/jp/news/2016/02/1-1.html | 東工大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2016年2月1日PP.18) | CMOS製無線送受信チップ 周波数インターリーブ 72G-100GHz | 340 |
| 2016年 5月号 | 照度0.01ルクスでカラーハイビジョン動画撮像 | パナソニック | 日刊工業新聞 (2016年2月3日PP.1) | APD-CMOSイメージセンサ | 210 |
| 2016年 5月号 | 逆光下の被写体も鮮明 有機薄膜採用 CMOSイメージセンサー技術開発 | パナソニック | 電波新聞 (2016年2月4日PP.1) | 逆光やライト照射したの被写体も鮮明に撮影 123dBのダイナミックレンジ 明暗同時撮像ダイナミックレンジ100倍 有機薄膜 CMOSイメージセンサ 車載用 | 210 |
| 2016年 3月号 | 最高感度CMOSイメージセンサ 暗所で画像を鮮明検知 https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00368399 | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2015年12月17日PP.28) | CMOSイメージセンサ 星明かり程度の1mlxの照度でもノイズなし 1mlxの照度での平均ノイズ0.27 暗所で画像を鮮明検知 実用化されている高感度イメージセンサーの1/3以下の平均ノイズ | 210 |
| 2016年 1月号 | オン・セミコンダクター 230万画素のCMOSイメージセンサー LEDフリッカ抑制技術を搭載 | オン・セミコンダクター | 電波新聞 (2015年10月22日PP.3) | CMOSイメージセンサ LEDフリッカ抑制 | 210 |
| 2015年 6月号 | 毎秒2億コマ撮影のCMOSセンサ http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150304eaal.html | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2015年3月4日PP.21) | 現行品の100倍の速度，多眼レンズを採用 撮像部がメモリーを兼ねる構造， | 210 |
| 2014年 9月号 | 水晶発振器並みの周波数精度を持つCMOS発振器 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2014年6月12日PP.19) | 温度領域ごとに特性を補正するディジタル回路を用いて温度補償100ppm以下の周波数精度を実現 Si半導体発信機 | 220 |
| 2014年 7月号 | 高感度な曲面型CMOS | ソニー | 日経産業新聞 (2014年4月24日PP.3) | 周辺部の感度従来比2倍・中央部1.4倍 裏面照射型 チップ厚10μm 案電流従来比1/5 | 210 |
| 2014年 5月号 | スピントロニクス活用で電池の寿命を延ばすMCU | 東北大 NEC | 日刊工業新聞 (2014年2月11日PP.13) | 不揮発レジスタの書き込み電力を削減 回路線幅90nmのCMOS回路と三端子MTJ素子を組み合わせたICチップ | 220 |
| 2014年 5月号 | 28Gbps伝送可能な60GHzミリ波無線機IC | 東工大 | 日刊工業新聞 (2014年2月12日PP.14) | ミキサファースト型IC 消費電力が送信機168mW・受信機155mW・発信器64mW 65nmのCMOSプロセス技術 60GHz帯 64QAM | 220 340 |
| 2014年 3月号 | 3次元LSI向け多結晶Geトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年12月18日PP.21) | GeのCMOS化 n型MOSFET 500℃以下で形成 p型n型の両極性 多結晶Geトランジスタ Siの3倍の電流駆動能力 | 220 |
| 2013年 9月号 | 低消費電力通信用MOSFET | 東芝 | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) | CMOSでプロセッサ部と通信部を1チップに小型・集積化可能 ゲート電極材料を2種類 | 220 |
| 2013年 9月号 | 低電圧CMOSインバータ | 産総研 住化 | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) | GeのpMOSFETとInGaAsのnMOSFETを積層 0.2Vで動作 | 220 |
| 2013年 9月号 | 有機CMOSイメージセンサ | 富士フイルム パナソニック | 電波新聞 (2013年6月12日PP.2) | 受光部に厚さ0.5μmの有機薄膜を使用 ダイナミックレンジ88dB 従来比1.2倍の開口率 入射光線範囲60° | 110 210 |
| 2013年 9月号 | 多値構造セルでMROM高速化 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2013年6月13日PP.21) | 1セル当たり2ビットの多値構造 40nm世代CMOSプロセスで試作 | 230 |
| 2013年 9月号 | 微弱な光でも色や形を正確に映せる内視鏡カメラ | 国立成育医療研究センター | 日経産業新聞 (2013年6月13日PP.11) | CMOS | 310 |
| 2012年12月号 | SHV対応液晶ディスプレイ | NHK | 電波タイムズ (2012年9月5日PP.3) | IBC展示 85インチ直視型 120Hz SHV CMOS イメージセンサ IBC国際栄誉賞 | 660 |
| 2012年 9月号 | CMOSの省エネを実現する低電圧トランジスタ | LEAP 東大 | 日刊工業新聞 (2012年6月20日PP.21) | SOTBを独自の構造にして0.4Vで動作 しきい値電圧の制御が簡単 LGP構造 | 210 |
| 2012年 5月号 | スーパハイビジョン対応復号LSIを試作 | 早大 | 日刊工業新聞 (2012年2月20日PP.17) | 7680×4320×60fps H.264/AVCハイプロファイル 65nm CMOS 消費電力410mW | 220 |
| 2012年 3月号 | 省電力化と高速化を両立したLSI用電子回路 | 東北大 NEC | 日刊工業新聞 (2011年12月6日PP.1) 日経産業新聞 (2011年12月8日PP.11) | スピントロニクス素子とCMOS素子のハイブリッド回路を高速化 動作周波数600MHz ラッチ回路向け | 220 |
| 2012年 1月号 | 25Gbpsで100m伝送可能な小型光送信機 | 日立 | 日刊工業新聞 (2011年10月19日PP.23) | 1Gbpsあたり9mWの低消費電力で動作 回路面積を35%縮小 消費電力を30%低減 CMOSレーザ駆動回路 | 340 440 |
| 2011年 9月号 | 業務用4K対応ビデオカメラ発売へ | ソニー | 日経産業新聞 (2011年6月30日PP.4) | 4K用高感度CMOS | 310 |
| 2011年 8月号 | 60GHz帯ミリ波無線機 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2011年5月3日PP.12) | 11Gbps 16QAM変調に対応したダイレクトコンバージョン型無線機 65nmCMOSプロセスで試作 | 340 |
| 2011年 7月号 | 2000万fps撮影可能なイメージセンサ | 東北大 島津製作所 | 日経産業新聞 (2011年4月18日PP.11) 日刊工業新聞 (2011年4月19日PP.26) | CMOS採用により消費電力抑制 45mm角チップを試作 内蔵メモリへ一時保存して読出す 1コマ50nsで処理 既存の半導体製造工程で製造可能 低消費電力 10万画素で約250コマ撮影可能なチップを試作 | 210 220 |
| 2011年 7月号 | 待機電力1/100の無線LAN対応LSI | 東芝 | 日刊工業新聞 (2011年4月21日PP.21) | 90nmのCMOSプロセスで試作したLSIで待機電力7μW LSI全体の消費電力を35.2mWから0.28mWへ削減 | 120 |
| 2011年 6月号 | Si素子で小型光スイッチ | NEC | 日刊工業新聞 (2011年3月7日PP.20) | Siフォトニクス 800μm×60μmの光路切替素子 光合分波素子 素子の内部を局所的に加熱することで材料の屈折率を変更 130nmCMOSプロセス | 240 160 |
| 2011年 3月号 | 28nm世代システムLSI向け混載DRAM技術 | ルネサスエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2010年12月9日PP.22) | 寄生容量・抵抗を削減 CMOSプロセスを導入 低誘電率の多孔質(MPS)膜を採用 配線層内にキャパシタ形成 | 160 230 |
| 2010年11月号 | 暗所でも高感度な大型CMOSセンサ | キヤノン | 日経産業新聞 (2010年8月31日PP.1) | 202mm×205mm 160万画素 0.3Lxで60fps撮像 | 210 220 |
| 2010年 3月号 | 動作速度が3割向上した高速無線用半導体 | NECエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2009年12月18日PP.11) | アナログ部の配線抵抗を従来と比べて半減 動作クロック200GHz 線幅40nmのCMOS | 220 |
| 2009年 2月号 | CMOS微細化技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年11月14日PP.9) | 絶縁膜の厚さ0.37nm 回路線幅16nm以下のLSI開発に不可欠な技術 絶縁膜に酸化ランタンを採用 | 220 120 |
| 2008年 9月号 | 車載・監視CMOSカメラ
-明暗が肉眼より鮮明- | セイコーエプソン | 日経産業新聞 (2008年6月11日PP.1) | 撮影可能な明暗差は120dB 0.2lxから15万lxを認識 1秒間に120枚撮影 1秒間に30枚の画像出力 33万画素 | 210 310 |
| 2008年 9月号 | 感度2倍のCMOSセンサ | ソニー | 日刊工業新聞 (2008年6月12日PP.8) | Si基板の裏側から光を照射 画素寸法1.75μm角 有効画素数500万 60fps ノイズを2dB低減 | 210 |
| 2008年 7月号 | CMOSの特性変動を予測するシミュレーションモデルを開発 | Selete | 日刊工業新聞 (2008年4月23日PP.1) | 設計時のマージン不要 LSI性能20%向上 STI工程 | 220 620 |
| 2007年12月号 | 次世代CMOS素子 -しきい値電圧の時間変動の仕組み解明- | Selete 筑波大 広島大 早大 | 日刊工業新聞 (2007年9月20日PP.28) | 45nm世代 窒化ハフニウムシリケートの劣化 界面特性 | 120 220 |
| 2007年10月号 | 低電圧駆動有機CMOS回路 | 東大 シャープ | 日経産業新聞 (2007年7月31日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年7月31日PP.33) | 駆動電圧1〜5V 動作電圧範囲従来の2倍以上 p型にペンタセン n型にフラーレン 絶縁膜にチタンSi酸化膜 上下をSi酸化膜が挟む3層構造 | 120 220 |
| 2007年 9月号 | CMOSトランジスタのしきい値電圧の仕組み解明 | 産総研 超先端電子技術開発機構 | 日刊工業新聞 (2007年6月12日PP.24) | 高誘電率絶縁膜 Si酸化膜と下部絶縁膜の界面でしきい値に大きくずれ Si酸化膜上の絶縁膜を0.1nm寸法で精度よく制御することが閾値電流を制御する鍵 | 120 220 160 |
| 2007年 9月号 | 5000万画素のCMOSセンサ | キヤノン | 日経産業新聞 (2007年6月13日PP.7) | 縦18.7×横28.1mm 1画素の大きさ3.2μm角 受光容量従来比50%拡大 | 210 |
| 2007年 9月号 | 有機材料とCMOSセンサーを組み合わせたカラー撮像素子 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2007年6月22日PP.10) | CMOSセンサーの緑部分を有機材料に置換 高感度化可能 余分な電子を除去する材料でS/N改善 有機材料はCMOSに比べて感度を3倍高められる | 210 310 |
| 2007年 4月号 | Siチップ上での光データ通信の速度遅延方法 | 米IBM | 電波新聞 (2007年1月3日PP.2) | 最大100個の小型リングを縦接続した共振器を構築する光遅延線 既存のSiCMOS製造ツール利用可 | 240 340 |
| 2007年 3月号 | 可視光・近赤外同時撮像可能なCMOSカメラ | 豊田中研 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 波長780〜1100nmの近赤外線 二つある緑色カラーフィルタの一つを近赤外線用に変更 画素サイズ7.4μm角 | 210 |
| 2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
| 2006年 6月号 | 高解像度CMOSセンサ -光で距離と画像を認識- | シャープ 静大 スズキ | 電波新聞 (2006年3月24日PP.1) 日経産業新聞 (2006年3月24日PP.8) 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.12) | LED光源からの近赤外光が対象物で反射しセンサまでの光の飛行距離と光の速度から距離計算 信号電荷検出機能を集積化 TOF OVGA 距離分解能パルス幅20nm距離1mで1cm 68ピンLCCパッケージ | 210 220 320 |
| 2006年 5月号 | ロボットハンド用滑りセンサ | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | 指先に半球状のゲル状物質 ゲル状物質表面に等間隔の点 CMOSカメラで点の動きを検出 | 310 120 210 320 |
| 2005年 5月号 | 消費電力40mWのASIC用AD変換器 -回路融合で実現- 14と一つに | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年2月8日PP.33) | パイプライン型ADC 分解能10bit サンプリングレート125MHz サンプル保持回路とMDAC回路を融合 0.18μmCMOSプロセス 電源電圧1.8V | 220 |
| 2005年 5月号 | 32nm世代の壁を越えた超微細化SRAM技術 | NEC | 日刊工業新聞 (2005年2月9日PP.1) | 読出しループを切ってデータを反転させない役割の素子 CMOSロジックとともに微細化・低電圧化に対応 面積9%増 | 160 230 |
| 2005年 5月号 | 極端な明暗差を忠実再現する撮像素子 | 静大 | 日刊工業新聞 (2005年2月22日PP.29) | ダイナミックレンジ117dB CMOSイメージセンサ 四つのアナログ信号を12bitのディジタル信号にするA/D変換器 1000階調以上 | 210 |
| 2004年 9月号 | 電子・正孔の移動度を厳密計算 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2004年6月21日PP.21) | 正孔のエネルギー形状の異方性を考慮したアルゴリズムを明確化 高性能CMOS モンテカルロ法 | 120 220 |
| 2004年 7月号 | 電子線ホログラフィでCMOS解析 図使用 | ファインセラミックスセンター(JFCC) | 日経産業新聞 (2004年4月19日PP.8) | 半導体断面電位解析 不純物の分布を利用 | 360 430 660 |
| 2004年 3月号 | 35nmCMOS接合技術 | Selete | 日刊工業新聞 (2003年12月19日PP.27) | SPE FLA p型MOS駆動電流2倍 300mmウェハ上に101段のリング発信器回路 | 160 220 |
| 2003年 7月号 | 明暗差大きい撮影に対応する画像センサ | シャープ | 日経産業新聞 (2003年4月15日PP.8) 日刊工業新聞 (2003年4月15日PP.9) | 対数変換型CMOSイメージセンサ 0.01〜100klx | 210 |
| 2003年 7月号 | 800万画素動画ライブ伝送実験 -HDTVの4倍の解像度- | 通信総研 | 電波新聞 (2003年4月17日PP.4) | CMOS動画像カメラ 研究用ギガビットネットワークを用いてATM600Mbps 同期バッファ並列伝送方式 | 540 440 |
| 2007年 3月号 | 可視光・近赤外同時撮像可能なCMOSカメラ | 豊田中研 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 波長780〜1100nmの近赤外線 二つある緑色カラーフィルタの一つを近赤外線用に変更 画素サイズ7.4μm角 | 210 |
| 2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
| 2006年 6月号 | 高解像度CMOSセンサ -光で距離と画像を認識- | シャープ 静大 スズキ | 電波新聞 (2006年3月24日PP.1) 日経産業新聞 (2006年3月24日PP.8) 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.12) | LED光源からの近赤外光が対象物で反射しセンサまでの光の飛行距離と光の速度から距離計算 信号電荷検出機能を集積化 TOF OVGA 距離分解能パルス幅20nm距離1mで1cm 68ピンLCCパッケージ | 210 220 320 |
| 2006年 5月号 | ロボットハンド用滑りセンサ | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | 指先に半球状のゲル状物質 ゲル状物質表面に等間隔の点 CMOSカメラで点の動きを検出 | 310 120 210 320 |
| 2003年 5月号 | CMOSイメージセンサ -画像ごとに信号増幅- | ソニー 静岡大 | 日経産業新聞 (2003年2月13日PP.7) | CMOSイメージセンサ ノイズを半減 | 210 |
| 2003年 5月号 | 2GHz帯1チップ受信IC | 東芝 | 日刊工業新聞 (2003年2月13日PP.4) | DCオフセｯト変動60mV以下 SiGeBiCMOS技術 第3世代携帯に対応 | 220 240 |
| 2003年 1月号 | HDTVの圧縮・伸張処理1チップ化に成功 -伝送装置を大幅小型化- | NTTコム NHK | 電波新聞 (2002年10月16日PP.3) 日刊工業新聞 (2002年10月16日PP.7) | HDTV・CODEC・LSIを世界で初めて開発 0.13μmCMOS技術 ハガキ大の基板サイズ 180×120mm | 220 320 420 520 |
| 2002年12月号 | 1110万画素受像のCMOSセンサ | キヤノン | 日本経済新聞 (2002年9月24日PP.9) | デジタルカメラ用 23.8mm×35.8mm 3回露光の微細加工技術 | 210 160 |
| 2002年10月号 | 多層カーボンナノチューブ 垂直成長させる技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年7月8日PP.9) 電波新聞 (2002年7月8日PP.1) 日本工業新聞 (2002年7月8日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月8日PP.21) | 微細なLSI配線 φ:50nmL: 500nmのCNT CMOS･FETのシリサイド層上にて成長 電極にNiやCoを混入 CH4とH2の混合ガスによるプラズマCVD法 | 120 160 220 |
| 2002年 9月号 | 3.3psの超高速スイッチ -新構造で低消費電力- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年6月6日PP.4) | 高温超電導JJ リング発振器 微細CMOSの3倍の高速性と1/1000の消費電力 21個のJJ 単一磁束量子回路 30K | 220 |
| 2002年 9月号 | LSIの消費電力を1/10に低減するトランジスタ | 松下電器 | 日本経済新聞 (2002年6月20日PP.11) | SiGeのナノ構造薄膜をSi基板に形成 0.5V動作 CMOSトランジスタ | 220 160 |
| 2002年 7月号 | 立体認識画像CMOSセンサ -1mmの物を立体視- | 山武 静大 | 日経産業新聞 (2002年4月9日PP.3) | 2つの画像センサ 画像変換器 | 210 520 |
| 2002年 7月号 | 画像処理可能なセンサ | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2002年4月16日PP.10) | 半球の全方位観測可能なカメラ用半導体センサ CMOS構造 処理能力を持つ画像センサ 8.9mm角 32×32の画像素子 | 210 520 |
| 2002年 5月号 | 低消費電力化技術 ISSCC2002で発表 -CMOS周波数変換回路- (No4 5と合わせる) | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年2月7日PP.6) | 消費電力30%削減 信号電流加算と自己スイッチング | 220 |
| 2002年 5月号 | 携帯電話搭載に最適な指紋センサ | 富士通 | 日刊工業新聞 (2002年2月28日PP.15) | 静電容量方式 スウィープ型 0.5μmのCMOSプロセス | 210 620 |
| 2002年 1月号 | 超高速光ネットワークスイッチ -LSI-CMOS設計感覚で実装- | NEC | 日刊工業新聞 (2001年10月1日PP.9) | CMOS 40Gb/s LSI 分散処理用ネットワーク RHINET | 220 260 240 |
| 2001年11月号 | 無線回路1チップに -腕時計型パソコンに道- | 米UCLA | 日本経済新聞 (2001年8月17日PP.17) | 1.8mm×2.4mm 消費電力2.2mW 500bps ウエアラブル機器CMOSトランジスタ | 220 240 |
| 2001年 8月号,9月号 | ハイビジョンの4倍の高画質画像システム | 通信総研 日本ビクター | 日経産業新聞 (2001年6月6日PP.10) 日刊工業新聞 (2001年6月6日PP.7) 電波新聞 (2001年6月7日PP.3) | HDTVの4倍解像度 300インチプロジェクタ 1.3インチ800万画素 CMOS素子 反射形液晶表示素子(D-ILA) | 210 310 350 250 |
| 2001年 5月号 | 新形CMOSセンサ | 東芝 MIT(米) | 日経産業新聞 (2001年3月2日PP.7) 電波新聞 (2001年3月16日PP.6) | DSP一体化 128×128画素 | 210 220 |
| 2001年 4月号 | 光ネット用送受信器 -10Gbpsでワンチップ- | 日立 | 日刊工業新聞 (2001年2月7日PP.6) | 0.25μmプロセス 10Gbps SiGe Bi-CMOS SOI シリコンゲルマ | 240 220 |
| 2001年 4月号 | 携帯端末で複数動画処理 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2001年2月7日PP.11) | 複数動画処理可能なLSI MPEG-4準拠 0.18μmCMOS 同時に2画像圧縮 4画像伸長 | 220 520 |
| 2001年 2月号 | MPUで新技術 -0.03μmゲート幅のトランジスタ- | インテル | 日経産業新聞 (2000年12月12日PP.1) | MPU CMOS ゲート長0.03μm 線幅0.07μm | 220 |
| 2001年 1月号 | 無線回路1Vで駆動 -切手大の端末可能- | NTT | 日経産業新聞 (2000年11月15日PP.11) | 従来の半分の1Vで駆動 10〜100mの近距離を通信 ブルートゥース対応 周波数変換 40mW以下 2〜2.4GHz SOI 0.2μmCMOS | 220 340 |
| 2000年10月号 | ワイドダイナミックレンジ視覚センサ | 本田技研 | 日刊工業新聞 (2000年8月9日PP.18) | CMOSイメージセンサ 明暗比130dB ワイドダイナミックレンジ | 210 |
| 2000年 9月号 | 皮膚の微小振動センサ | 名大 | 日経産業新聞 (2000年7月6日PP.1) 日刊工業新聞 (2000年7月1日PP.6) | マイクロ加速度センサ CMOS 応力インピーダンス効果 感度26倍 脳機図センサ | 210 |
| 2000年 4月号 | 高画質化技術 | ソニー | 日経産業新聞 (2000年2月9日PP.6) | 1/3インチ 33万画素 CMOSイメージセンサ | 210 |
| 2000年 2月号 | 1GHzの微小トランジスタ | 日立 | 日経産業新聞 (1999年12月7日PP.5) | 1GHz ゲート長0.1μm トランジスタ CMOS 2層構造絶縁膜 タングステン薄膜 | 220 |
| 2000年 2月号 | CCD画質のCMOSセンサ | 東芝 | 日本工業新聞 (1999年12月6日PP.6) | CMOSイメージセンサ 埋込みフォトダイオード構造 ノイズ1/6 ワンチップ化 | 210 220 |
| 2000年 1月号 | CMOSを利用したイメージセンサ -映像から動く物体検出- | NEC | 日経産業新聞 (1999年11月12日PP.5) | CMOSイメージセンサ 物体検出回路 フォトダイオード 画素間に動体検出回路 36,864画素 | 210 |
| 2001年 1月号 | 無線回路1Vで駆動 -切手大の端末可能- | NTT | 日経産業新聞 (2000年11月15日PP.11) | 従来の半分の1Vで駆動 10〜100mの近距離を通信 ブルートゥース対応 周波数変換 40mW以下 2〜2.4GHz SOI 0.2μmCMOS | 220 340 |
| 1999年10月号 | カラー人工網膜LSI -携帯機器などに応用- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1999年8月3日PP.5) | 人工網膜LSI CMOSセンサ カラー人工網膜LSI CMOS | 210 |
| 1999年 9月号 | CMOSエリアイメージセンサ -100倍のダイナミックレンジ- | ミノルタ ローム | 電波新聞 (1999年7月13日PP.2) | CMOS イメージセンサ 対数変換回路 ダイナミックレンジ105 | 210 220 |
| 1999年 8月号 | 0.05μm世代のCM0S素子 | 日立 | 日刊工業新聞 (1999年6月15日PP.6) | CMOS RTA炉 | 160 220 |
| 1998年 9月号 | 人間の目と脳を持つビジョンチップ | 東大 | 日本工業新聞 (1998年7月29日PP.21) | 視覚センサ 並列演算処理回路 高速画像処理 ビジョンチップ CMOS 画像処理 | 210 220 |
| 1998年 4月号 | 家庭用高速通信ネット向け IC -2.5Gbpsの信号受信- | NEC | 日本工業新聞 (1998年2月10日PP.17) | 光IC CMOS 高速データ通信 | 220 240 |
| 1997年11月号 | 160新半導体 -半導体の配線に銅を使用- | IBM | 日本経済新聞 (1997年9月23日PP.11) 読売新聞 (1997年9月24日PP.10) | 銅配線ICの量産技術 高速CMOSロジック用 半導体 同配線 | 220 160 |
| 1997年11月号 | 高速通信用LSI基本回路 -消費電力1/5- | NEC | 日経産業新聞 (1997年9月11日PP.5) | フリップフロップ CMOS | 220 |
| 1997年 9月号 | 携帯電話向け新型CMOS -1チップ化可能に- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1997年7月28日PP.5) | CMOS メッシュ状配列 | 220 |
| 1997年 8月号 | ローパワーLSI技術 | 松下電器産業 NTT | 電波新聞 (1997年6月12日PP.1) | DSP 16bDSP 内部電圧1.2V 20MHz 12mW MTCMOS 最小動作電圧検出 | 220 |
| 1997年 7月号 | 小型・高感度CCD | NHK | 日経産業新聞 (1997年5月7日PP.5) | CCD HARP膜 絶縁耐圧75V 高感度カメラ CMOS | 210 310 |
| 1997年 4月号 | CMOSイメージセンサ -130万画素タイプ- | 東芝 | 電波新聞 (1997年2月26日PP.1) 日本経済新聞 (1997年2月26日PP.13) | センサ CMOS 130万画素 CMOS撮像素子 | 210 |
| 1997年 4月号 | ディジタルビデオカメラ用 LSI -イメージセンサと画像処理を1チップ化- | 松下電器産業豊橋技科大 | 電波新聞 (1997年2月8日PP.1) 日経産業新聞 (1997年2月13日PP.5) | CMOS 128×128画素 イメージセンサ内蔵 DCT | 210 520 220 |
| 1997年 2月号 | CMOS向け微細化技術 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年12月24日PP.4) | MOS FET 微細化 | 220 160 |
| 1996年10月号 | 半導体の素子分離技術 -回路線幅0.25μmまで対応- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年8月28日PP.5) | CMOS トレンチ法 0.25μm幅 BとPを含むSiO2 | 260 160 |
| 1996年 7月号 | CMOSで1Gbpsのデータ伝送 | LSIロジック | 日経産業新聞 (1996年5月8日PP.1) | CMOS 超高速データ伝送 ASIC用コアロジック 送受信を4線で イーサネット ATM対応 シリアルリンク | 220 240 540 |
| 1996年 4月号 | 光通信の信号処理用IC -SiCMOSで作製- | NEC | 日経産業新聞 (1996年2月16日PP.5) | 光通信 Si LSI CMOS MUX/DEMUX 3Gbps | 220 240 |
| 1996年 4月号 | 高集積メモリー -ISSC開幕，LSI閾値制御競う- | 三菱電機 東芝 NEC NTT | 日経産業新聞 (1996年2月9日PP.4) 電波新聞 (1996年2月9日PP.1) 日刊工業新聞 (1996年2月9日PP.6) 日刊工業新聞 (1996年2月9日PP.9) 日刊工業新聞 (1996年2月16日PP.5) 日経産業新聞 (1996年2月19日PP.5) | DRAM 1Gb シンクロナスDRAM 8bADC 1.5V動作 15MSPS 8mW 3揮発性メモリー 1Mb 変調閾値制御 閾値 CMOS DCT ADC | 230 220 660 520 |
| 1995年10月号 | 0.15μmのCMOS -世界最高速- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1995年8月22日PP.1) | シングルゲート構造 ゲート遅延15.4ps | 220 |
| 1995年 9月号 | 銅配線のCMOSトランジスタ | NTT | 日経産業新聞 (1995年7月19日PP.5) | CMOS 銅配線 | 160 |
| 1995年 8月号 | ギガヘルツ対応0.07μmCMOS | NEC | 電波新聞 (1995年6月6日PP.7) 日刊工業新聞 (1995年6月6日PP.9) 日経産業新聞 (1995年6月6日PP.5) | ゲート長0.07μm 低電源電圧1.5V 3.5nm接合 CMOS 遅延時間19.7ps DRAM 16Gbps | 220 520 160 |
| 1995年 4月号 | 1GbDRAM | NEC | 電波新聞 (1995年2月14日PP.1) 日経産業新聞 (1995年2月14日PP.9) 日刊工業新聞 (1995年2月14日PP.7) 日本経済新聞 (1995年2月14日PP.1) 日本経済新聞 (1995年2月14日PP.13) | '98年サンプル出荷 1GbDRAM 0.25μmCMOSプロセス DRAM 1Gb | 230 |
| 1994年12月号 | 低コストバイCMOS製造技術 -製造費15%減- | NEC | 日経産業新聞 (1994年10月14日PP.5) | エッチング 小型化 | 160 |
| 1994年 4月号 | MPEG-2対応IC -1チップでHDTV並み画質を復元- | 東芝 | 電波新聞 (1994年2月15日PP.1) 日経産業新聞 (1994年2月15日PP.9) 日刊工業新聞 (1994年2月15日PP.9) | MPEGIC 15mm×15mm CMOS MPEG-2復号LSI 0.5μm 70MHz MPEG-2 HDTV | 220 520 320 |
| 1993年 7月号 | 次世代バイCMOS | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1993年5月21日PP.5) | 低電圧 高速動作 | 220 |
| 1993年 3月号 | スイッチング速度20psの高速CMOS | 富士通 | 日刊工業新聞 (1993年1月20日PP.5) | ディレイ20ps CMOSトランジスタ 27ps ゲート長0.17μm 2ゲート構造 従来は28ps(常温) 走査線2000本 従来プロセス | 220 |
| 1992年10月号 | 1μmゲート長のCMOSトランジスタ -室温動作で28PS- | 東芝 | 電波新聞 (1992年8月26日PP.2) 日経産業新聞 (1992年8月26日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年8月26日PP.9) | CMOSLSI CMOSトランジスタ ゲート長0.1μm 速度2.8ps CMOSプロセス トランジスタ | 220 |
| 1992年 8月号 | 放射光使い0.2μm級のCMOS回路 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年6月30日PP.6) | 加工技術 0.2μmCMOS 遅延時間60ns | 160 220 |
| 1992年 4月号 | 低電圧動作LSI -1.0V動作SRAM 1.5V動作BiCMOS- | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年2月22日PP.6) | LSI SRAM BiCMOS | 220 |
| 1992年 3月号 | 256メガ級に対応可能なCMOS | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1992年1月25日PP.1) | CMOS 256MbDRAM | 220 |
| 1992年 3月号 | マスク7枚でCMOS製造 -新プロセス確立- | 日電 | 日刊工業新聞 (1992年1月17日PP.9) | CMOS マスク7枚 LPD技術 | 220 |
| 1992年 3月号 | 77Kで高速動作するバイポーラトランジスタ -超高速BiCMOSに道- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年1月16日PP.5) | 160 | |
| 1992年 2月号 | ゲート長0.1μmCMOS | NTT | 日経産業新聞 (1991年12月13日PP.5) | 製造加工技術 1Gbメモリーへ道 | 260 |
| 1991年 6月号 | 次々世代LSI実現へ | 日電 ATT | 電波新聞 (1991年4月23日PP.1) | 次々世代LSI 3.5μmCMOSプロセス | 220 |
| 1991年 5月号 | 3次元IC | 日電 | 電波新聞 (1991年3月27日PP.1) 電波タイムズ (1991年3月29日PP.2) | 3次元IC 6層構造(世界初) 4Gbメモリーの可能性 2層×3枚残り合わせ DUALCMOS+CUBIC技術 | 260 |
| 1991年 4月号 | 4MbBi-CMOS型SRAM | 富士通 | 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) | 64kHEMTSRAM 1.2ns 4MSRAM 7ns | 230 |
| 1991年 3月号 | 40万ゲートアレイのCMOSゲートアレイ | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1991年1月31日PP.0) 日経産業新聞 (1991年1月31日PP.0) | 125psの遅延時間 6μW/gate | 220 |
| 1991年 2月号 | BiCMOSの低温動作 | 日電 | 日刊工業新聞 (1990年12月21日PP.0) | BiCMOS 83K(-190℃)の低温動作 電流利得124 遅延時間200ps | 220 |
| 1991年 1月号 | TRON仕様の32bMPU | 沖電気 | 電波新聞 (1990年11月9日PP.0) | 0.8μ CMOSプロセス14.75×14.75mm2 70万個TRS 208pinPGA | 320 |
| 1990年10月号 | BiCMOS使う新回路 | 日電 | 日刊工業新聞 (1990年8月16日PP.0) | 0.6μmプロセス 15万ゲート 164m 180ps/負荷 350ps/負荷 | 220 |